《半导体三极管》教案设计

《半导体三极管》教案设计《半导体三极管》教案设计15-/NUM三、课后小结：（约5分钟）通过本节课的学习，同学们要明确：三极管的放大原理是：以小控大，而不是能量的放大。即：以基极电流的微小变控制集电极电流的较大变化。四、课后作业1.请画出三极管的三种组态图。2.请同学们用自己的话复述三极管的内部载流子的传输过程。附：板书设计主板书副板书新授课：（约30分钟）1.内部载流子的传输过程2.电流分配关系3.三极管的三种组态4.放大作用1.课前提问（约10分钟）2.课堂小结（约5分钟）第三学时半导体三极管输入,输出的特性曲线一、课前提问（约10分钟）1.请说出三极管的内部电流分配关系？2.请说出三极管的电流放大原理？二、新课教学（约30分钟）1.输入特性曲线(1)当时vCE=0VvCE=0VvCE1V图5图5三极管的输入特性曲线(2)当时，，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的下，减小，特性曲线右移。(3)输入特性曲线的三个部分：死区；非线性区；线性区2.输出特性曲线图6图6三极管的输出特性曲线其输出特性曲线满足下面公式：其中：放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压，集电结反偏。饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。三、课堂小结：（约5分钟）通过本节课的学习，同学们能够掌握三极管的输入和输出特性曲线图的画法，并能利用本节课的知识总结出三极管的输出特性曲线的特点四、课后作业1.请分别画出三极管的输入和输出曲线。2.请同学们利用本节课的知识总结出三极管的输出特性曲线的特点。附：板书设计主板书副板书新授课：（约30分钟）vCEvCE=0VvCE1V2.输出特性曲线1.课前提问（约10分钟）2.课堂小结（约5分钟）第四学时半导体三极管的主要参数一、课前提问（约10分钟）1.请画出三极管的输入特性曲线？2.请画出三极管的输出特性曲线？二、新课教学（约30分钟）三极管的参数是用来表征管子性能优劣相适应范围的，它是选用三极管的依据。了解这些参数的意义，对于合理使用和充分利用半导体三极管达到设计电路的经济性和可靠性是十分必要的。1.半导体三极管的电流放大系数(1)共发射极直流电流放大系数(2)共发射极交流电流放大系数(3)共基极直流电流放大系数2.半导体三极管的极间反向电流(1)集电极基极间反向饱和电流ICBO；即发射极开路时，集电结的反向饱和电流。(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO：即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。注：选用半导体三极管时要选择ICBO、ICEO尽可能小，、不要过大的管子。硅管的ICBO和ICEO比锗管小，所以硅管的温度稳定性比锗管好。3.半导体三极管的极限参数(1)集电极最大允许电流ICM

ICM是指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。(2)集电极最大允许功率损耗PCM

PCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。PCM=iCvCE

(3)反向击穿电压

①V（BR）EBO

V（BR）EBO是指集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。

②V（BR）CBO

V（BR）CBO是指发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。

③V（BR）CEO

V（BR）CEO是指基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。V（BR）CEO<<V（BR）CBO。各击穿电压大小之间有如下的关系：V（BR）CBO>V（BR）CES>V（BR）CER>V（BR）CEO三、课堂小结（约5分钟）通过本节课的学习，同学们能够掌握三极管的各种参数，并能够很好的去理解它们，这样在选择三极管的时候就不会出错。四、课后作业：请同学们说出半导体三极管的参数有哪些？附：板书设计主板书副板书新授课：（约30分钟）1.半导体三极管的电流放大系数2.半导体三极管的极间反向电流3.半导体三极管的极限参数1.课前提问（约10分钟）2.课堂小结（约5分钟）关联生活常见的扩音器引出本课的知识点引导思考法运用动画把抽象的内部结构特点直观化直观教