物理化学专业副教授

图索引第一 FigureIndexChapter 图索引第二 FigureIndexChapter 图索引第三 FigureIndexChapter 图索引第四 FigureIndexChapter 表索引第一 TableIndexChapter 表索引第二 TableIndexChapter 表索引第三 TableIndexChapter 表索引第四 TableIndexChapter 英文缩写符号对照 第一章绪 有机半导体g- 一级标 三级标 三级标 MOF材料[1,1'-双（二苯基膦基）二茂铁]二氯化钯 三级标 三级标 三级标 二级标 三级标 三级标 三级标 表征和分析方 组成分析.........................................................................元素分 光学分析 X射线多晶衍 原子吸收光 紫外-可见吸收光 紫外-可见漫反射光 荧光光 红外吸收光 拉曼光 电子能谱分析 X射线光电子能 能量色散X射线光 显微分析技 透射电子显微 电分析化学 循环伏安 2电化学阻抗 摩特-电容测 数学分析方 寻峰方 常规寻峰.....................................................一次导数残差谱寻找隐藏 二次导数谱寻找隐藏 解卷积技术解出峰参 拟合方 近似函数 变换 本课题的研究内容及意 参考文 第二章g-C3N4的XRD峰归属探究及其实验................................................引 实验与计算部 实验材 实验仪 g-C3N4的.........................................................................g-C3N4I.F.的...................................................................计算方 六方晶系晶面间距计 XRD衍射强度计 移动平均平滑 数据的平滑二阶导数算 DFT应用于双峰分 DFT应用于峰形提 结果与讨 g-C3N4的可能晶胞结 XRD图案的理论分 XRD图案中的衍射 FFT滤 一次导数残差 二次导数 XRD图案的实验............................................................ 动力学控制与金属配位辅助的高分辨 小角区域的峰归 大角区域的峰归 缺陷结构的归 g-C3N4的峰归属综 本章小 参考文 第三章多缺陷位点和多子转变的g-C3N4合成及其光催化RhB性能研 引 实验部 实验材 实验仪 g-C3N4的.......................................................................Fe-Pd/C3N4的................................................................光降解 电化学测 结果与讨 Fe-Pd/C3N4的形成机 Fe-Pd/C3N4的晶体结构与表面信 X射线粉末衍射图 变换红外光 拉曼光 紫外-可见吸收光 氮气吸附-脱附曲 Fe-Pd/C3N4的微观形貌与化学组 异质结催化剂的形 元素分布Map及含 X射线光电子能 Fe-Pd/C3N4的半导体性 紫外-可见漫反射吸收光 电化学阻抗 荧光光 摩特-曲线与能带结 Fe-Pd/C3N4的光催化活 Fe-Pd/C3N4的光催化能力探 g-C3N4的光催化机理分 本章小 参考文 实验部分 引 三级标 三级标 三级标 实验部 三级标 三级标 三级标 结果与讨 三级标 三级标 三级标 本章小 参考文 第五 的主要结 攻读期间的文 致 FigureIndexChapter图2.1（a）三嗪环和（b）三均三嗪环基的g-C3N4的二维结构参数示意 2.2以三均三嗪环为基本单位的g-C3N4（a）晶胞结构和（b） 图2.3g-C3N4的原始XRD图案（黑色）和基线校正的图案（红色。套图中为宽峰衍射图案的SG平滑放大 图2.4FFT平滑（PearsonVII函数解卷积）的XRD图案。套图中是12°-15°的放大 图2.5g-C3N4的（a）峰位置（b）一次导数残差谱和（c）相对残差 图2.6g-C3N4的（A）XRD谱图和（B）二阶导数谱，左上角的套图中给出了二次导数谱的局部放大 图2.7XRD图案在10°-15°附近的DFT处理结 图2.8（a）Gauss（b）Lorentz（c）Voigt和（d）PsdVoigt近似函数拟合得到的结 图2.9D4Endeavor型衍射仪上得到的衍射图案和SG平滑结 图2.10红外加热板在（A）50%功率和（B）80%功率下得到的动力学g- 图2.11N-50mg-80%P样品大角度下的XRD的FFT平滑谱 图2.1250mgMOF掺杂，80%功率下的g-C3N4的TEM 图2.13N-50mg-50%Pg-C3N4的高分辨TEM和对应的SEAD图 图2.14（a）三均三嗪环基及其（b）对应的缺陷结构的g-C3N4的微观结 图2.15本章的结构和主要结 FigureIndexChapterFigure2.1Structuresconsideredrepresentativeofg-C3N4:(a)triazineand(b)tri-s-triazine Figure2.2(a)Crystalstructureofheptazinebasedg-C3N4(black:Catomandblue:Natom)and(b)thecorrespondingstackedsequenceof Figure2.3Raw(blackcurve)andbaselinecorrection(redcurve)ofXRDpatternsforg-C3N4.EachinsetshowsthecorrespondingSGsmoothedpatternsinthebroadpeak Figure2.4FFTsmoothed(PearsonVIIresponsefunctiondeconbolution)XRDpatternswithamp=1.5%afterbaselinecorrection.InsetshowstherawXRDpatterns(blackdots)andtheenlargedviewofFFTsmooth(redcurve)at12°-15°forg- Figure2.5(a)Rawpatterns,(b)residualafterfirstderivativeofintensities,and(c)relativeresidualofintensitiesforg-C3N4 Figure2.6 (a)XRDpatternsand(b)FFTsmoothedsecondderivativeofXRDpatternsforg-C3N4.InsetshowstheenlargedviewoflocalminimuminFFTsmoothedsecondderivative Figure2.7Deconvolutionofg-C3N4XRDrawpatternsbyDFTin10°- Figure2.8Thefittingresultsbyusing(a)Gauss,(b)Lorentz,(c)Voigt,and(d) Figure2.9XRDpatternsobtainedonD4EndeavorX-raydiffractometerforg-C3N4.9Figure2.10XRDpatternsforg-C3N4preparedbyinfraredhottewith(A)differentmassofMOFat50%powerand(B)differentmassofMOFat80%power Figure2.11AssignmentsofFFTSmoothedXRDpatternsforN-50mg-50%Pg-C3N4inlargeangle(30°<2θ< Figure2.12TEMimagesforN-50mg-50%Pg-C3N4preparedbyinfraredhot Figure2.13HRTEMofN-50mg-50%Pg-C3N4.InsetshowsthecorrespondingSEAD Figure2.14(A)tri-s-triazinestructures(~12.4°)and(B)defecttri-s-triazinestructures(~6.3°)ofg- Figure2.15Illustrationofthecompositionsandmajorconclusionsinthis 图3.1二胺、MOF材料和前驱体中（a）N1s（b）Fe2p和（c）Pd3d轨XPS谱 图3.2金属离子配位协助下的Fe-Pd/C3N4缩聚过程示意 图3.3g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的XRD 图3.4（a）g-C3N4和(b)Fe-Pd/C3N4的FFT平滑二阶导数衍射图案。套图中是相应的局部放大 图3.5(a)g-C3N4和(b)Fe-Pd/C3N4宽峰衍射图案的DFT处理结 图3.6g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的FT-IR 图3.7.g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的拉曼光 图3.8g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的紫外-可见吸收光 图3.9g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的N2吸附-脱附曲 图3.10（a-b）Fe-Pd/C3N4的TEM图像和（c-d）高分辨TEM图 图3.11Fe-Pd/C3N4的（A）Map信号累积结果及其（B）主要元素C（b）N（c）Fe 3.12Fe-Pd/C3N4XPS去卷积谱图（a）C1s（b）O1s（c）N1s和Pd 图3.13Fe-Pd/C3N4的Fe2p轨道的XPS去卷积谱 图3.14Fe-Pd/C3N4和g-C3N4的紫外可见漫反射吸收光谱及其禁带宽 图3.15g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的电化学阻抗 图3.16g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的荧光光 图3.17g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的（a）莫特-曲线和（b）能带结构示意 图3.18g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的结构和半导体性质的变 图3.19不同掺杂量的Fe-Pd/C3N4的载流子曲线示意 图3.20g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的光催化降解 图3.21g-C3N4和Fe-Pd/C3N4的光催化降解图（假设均为一级反应 3.22（a）50mgg-C3N4100ppm的紫外可见吸收光谱。g-C3N4（b）准零级降解和（c）准一级降解动力学曲 图3.23（a）100mgg-C3N4和（b）50mgFe-Pd/C3N4催化降解100ppm的紫 FigureIndexChapterFigure3.1XPSsurveyspectrumof(a)N1s,(b)Fe2p,and(c)Pd3dcorelevelsindicyanamide,MOF,andprecursor Figure3.2SchematicillustrationoftheFe-Pd/C3N4formationwiththeinclusionofmetalion(Pd2+,Fe3+)viaanioncoordinationroute.Theblackballdenotesdicyandiamide Figure3.3XRDpatternsofg-C3N4andFe- Figure3.4FFTsmoothedsecondderivativeofXRDintensityfor(a)g-C3N4and(b)Fe-Pd/C3N4.Insetsshowmagnificationofsecondderivativespectroscopyfor(a)g-C3N4and(b)Fe- Figure3.5DFTresultsofXRDpatternsfor(a)g-C3N4and(b)Fe- Figure3.6FT-IRspectrumofg-C3N4andFe- Figure3.7.Ramanspectraofg-C3N4andFe- Figure3.8UV-visabsorptionspectraofg-C3N4andFe- Figure3.9N2adsorption/desorptionisothermsofg-C3N4andFe- Figure3.10TEMimagesof(a-b)Fe-Pd/C3N4andHRTEMimagesof(c-d)heterostructruesshowingthearrangementofmetallicoxidecrystallities Figure3.11(A)Cumulatedmapsignaland(B)thecorrespondingcolor-codedsingle-elementdistributionmapsofFe-Pd/C3N4containing(a)C,(b)N,(c)Feand(d) Figure3.12XPSsurveyspectrumandhigh-resolutionspectraof(a)C1s,(b)O1s,(c)N1s,and(d)Pd3dcorelevelsinFe- Figure3.13XPSsurveyspectrumandhigh-resolutionspectraofFe2pcorelevelsinFe- Figure3.14UV-visdiffusereflectionspectraofFe-Pd/C3N4andg-C3N4.InsetshowsestimatedbandgapsofFe-Pd/C3N4andg- Figure3.15Nyquistplotsofelectrochemicalimpedancespectroscopy.InsetshowsthesimplifiedequivalentcircuitmodeloftheEIS Figure3.16FluorescencespectraofFe-Pd/C3N4andg- Figure3.17(a)Motty-Scottyplotsand(b)bandstructuresofFe-Pd/C3N4andg- Figure3.18Thedifferencesinstructureandsemiconductorpropertiesforg-C3N4andFe- Figure3.19Linearfittingofthe1/kanddomass(kobtainedfromSchottky Figure3.20PhotodegradationofRhBbyFe-Pd/C3N4andg-C3N4underXelampillumination(λ>420nm).Insetshowsthepseudofirst-orderkineticsfittingdatafordegradationofFe-Pd/C3N4 Figure3.21PhotodegradationofRhBbyFe-Pd/C3N4andg-C3N4underXelampillumination(λ>420nm).Insetshowsthepseudofirst-orderkineticsforthephotodegradationofRhBbyFe-Pd/C3N4andg-C3N4 Figure3.22(a)Theabsorbanceof100ppmRhB(degradedby50mgg-C3N4)atdifferenttime.(b)Thecorrespondingpseudozero-orderkineticsand(c)thepseudofirst-orderkineticsplotsforthephotodegradationofRhBbyg-C3N4 Figure3.23Theabsorbanceof100ppmRhBdegradedby(a)100mgg-C3N4and(b)50mgFe-Pd/C3N4atdifferent FigureIndexChapterTableIndexChapter表2.1本章所用试 表2.2本章所用实验仪 表2.3文献中认为g-C3N487-1526号中的对 表2.4三嗪环和七嗪环基g-C3N4的晶胞参数和原子坐 表2.5不同文献提供的晶胞参数所对应的g-C3N4衍射信 表 a=8.04Å的g-C3N4的XRD峰位置和对应峰强 表2.7一次导数残差法和二次导数法寻找出的峰及其归属结 表2.8高分辨XRD谱图中各物质的峰位置和归 TableIndexChapterTable2.1 Table2.2 —Table2.3MainlycalculatedX-raypowder-diffractionpatternsofP6m2g-C3N4(a=7.76Å)comparedwithJCPDS:87- —Table2.4Structuralparametersoftriazineandheptazinebasedcrystallineg- Table2.5Maininternarspacingsofg-C3N4indifferent —Table2.6AllthecalculatedX-raypowder-diffractionpatterns(idealanddefective)ofP6m2g-C3N4(a=8.042 —Table2.7Theassignmentsofmaindiffractionpeakssearchbyresidualafter1stderivativeand2ndderivativemethods Table2.8ThediffractionpeaksandcorrespondingassignmentsinhighresolutionXRDpatterns 表3.1本章所用试 表3.2本章所用实验仪 表3.3固体块的EDS结 表3.4不同分析得到的各元素质量百分含量和原子浓度 表3.5XPS的N1s谱分峰结果中各不同环境N元素的比 表3.6EIS拟合的等效电路参数 表3.7根据图3.22b中对各波长进行线性拟合得到的结果参 TableIndexChapterTable3.1 Table3.2 Table3.3TheelementcontentofFe-Pd/C3N4calculatedfromtheEDS Table3.4PercentageofdifferentelementsobtainedfromEDS,XPS,EAandAAS.13Table3.5PercentageBreakdownofDifferentBondswithintheN1s Table3.6Estimatedparametersobtainedfromtheequivalent Table3.7Theparametersoffittingcurvesatdifferentwavelengthfor100ppmRhB(degradedby50mgg-C3N4)inFigure3.22b TableIndexChapterAtomicAtomicAbsorbanceDiscreteFourier离散变Element

EnergydispersiveX-raySpectrumElectrochemicalImpedance

能量色散X射线FourierTransformGraphiteCarbonIndiumTinPhotoluminescenceSelectedAreaElectronScanningElectronTransmissionElectron

UV-VisDiffuseReflection

Ultraviolet–Visible谱 X-Ray XX X-RayPhotoelectron谱此处为文章 ：石墨相氮化 2 3 4Hereis ofthe：Carbon 和与光谱相匹配的吸收谱（可至460nm再加上其原料廉价易得等优点，们广泛的研究。目前的认为，以胺类物质为前驱体合成g-C3N4的热聚过程中，胺会依次经历二胺（~203°C、三聚胺（~234°C、°C°C°C520°C得到g-C3N4。MOF材料[1,1'-双（二苯基膦基）二茂铁]二氯化钯（II）C3N4泛的关注通过合适的进一步探究其理想的三维结构并进一步改善其性质，拓宽它的实际应用是我们工作的终点。首先，七嗪环基的g-C3N4三维晶胞参数XRD图案的归属方面一直存在一些令人困惑的地方。此外，材料较差的导此，彻底弄清其理想的三维结构，并探索合成更优异实用的g-C3N4半导体材料研究材料，结构先行。深入透彻了解g-C3N4的晶体结构和晶胞参数对的意义。基于此，本文首先在数学上通过寻峰来处理g-C3N4的XRD图案，通过寻找存在于图案中的隐藏峰来确定的g-C3N4的晶胞衍射情况。更加精确地DFTXRD图案中确实存在（100）面和（001）面XRD图案分辨率的g-C3N4g-C3N4的晶胞参数XRD增强复合材料的性能。现有的金属离子掺杂方式大多是在得到g-C3N4之后胺进行原位修饰，通过金属与N之间的配位作用来实现驱体中掺杂金属材g-C3N4的多数载流子类型并改善了其到的g-C3N4复合材料在光催化降解B时从原本的零级反应变为了一级反g-C3N4XRD传统上，g-C3N4都是通过将胺类前驱体在马弗炉中加热到520°C以上制备得到的这种方法得到的黄色物质其晶胞衍射可以明显的归属于g-C3N4，XRD峰的归属上，还存在一些争议。1996年，Teter等人最早根据从头算的理论计算结果，提出了以三嗪环为主体的g-C3N4Wang等人通过计算证明，对于三嗪环基的g-C3N4，其（001）和（002）13.2°26.5°3.36Å的层间距。而（100）21.6°4.7Å的三嗪环孔洞结构。粉末衍射标准联合（JCPDS）就采用了这种编号，并在粉末衍射图谱集但随着人们对g-C3N4认识的深入，人们逐渐发现，三嗪环并非g-C3N4在热2008年，Bojdys等人也提27.30°27.8°—衍射峰时，那么其（001）面的衍射峰应当落在13.55°附近；同时，很多文献都7Å附近（6.8Å7.3Å，根据布拉格方程，12.8°g-C3N4是P6m2（187号—没有发生系统消光，那么（001）面也必然有一定的衍射强度。而如果g-C3N4因（001）12°-14°的衍射峰可能不是我们通常所简单认为的（100）面引起的。更加值得注意的是，很多得到的g-C3N4的XRD图XRD很多科研工作者都了这个问题。2013年Tyborski等人就尝试提出多g-C3N4的晶体结构，其中大部分模型都能在一定程度上解释g-C3N4XRDmelonsheet的三斜晶系能够的解释其XRD图案，通过RietveldXRD图案，他们提出可能的晶胞参数为a=16.2Å，b12.1Å，c~3.27Å，αβ90°，87°γ90°，并且g-C3N4AA…Fina等人试图用较为简单的六方晶系去解释。他们首先提出ab7.113Å，c6.490Å，c~3.27Å，αβ90°，γ120°的六方晶系，但他们认为C3N4不具有完美的化学计量比C/N0.75他们提出了a=16.4Å，b=12.4Å，c=6.49Å，α=β=γ=90°的晶胞来解g-C3N4的研究人员来说，作为石墨相的氮化碳，由于其ABA…的堆积方式，这种观点也是在目前的中占据主流的。所以。理想g-C3N4的二维结构大小应当与三均三嗪环相当。事实上，Teter4.7Å2.1倍，即~7.1Å。此外，碳原子的共价半径大77pm，氮原子大75333如果简单地假设C-N-C120°7.9Å，而g-C3N4g-C3N4—性质相同。2）构成g-C3N4的最稳定热力学单元是七嗪环而非三嗪环，并且七嗪Åm2（Z=2—们提出g-C3N4的可能晶胞参数为ab8.1Å，c6.5Å，αβ90°，γ120°2.1（a）三嗪环和（b）三均三嗪环基的g-C3N4Figure2.1Structuresconsideredrepresentativeofg-C3N4:(a)triazineand(b)tri-s-triazineFFT滤噪、一次导数残差谱和二次导数谱证实了以上的猜想。随后，通过离散变换对宽峰进行了双峰分离和峰形提取。此外，我们还了D4Endeavor型XRD仪器上测得的图案。最后，通过成功了具有高XRD图案分辨率的g-C3N4。通过TEM与SEAD图案，我们6.2°的衍射峰所对应的缺陷结构。XRDXRDg-C3N4—本章中，我们基于已有的XRD归属模式，使用数学方法和实验对g-（187—=90°，γ=120°2.15多归结为三斜或者晶系。因此我们基于Teter等人理论计算的结果，将七嗪之后，我们使用数学详尽的分析了g-C3N4的XRD图案，Jade软件分析和FFT滤噪结果肯定了衍射宽峰中存在双峰的结论。一次导数残差谱和二次导晶面的衍射角，但是在极化影响较大的宽峰部分依然不能给出理想的值。相同的峰形，使用离散变换对衍射图案先后进行了双峰分离和峰形提取。DFT12.75°13.53°，这一结果与之前的推论和隐藏峰寻找结果相当一致。此外，处理得到的谱图与原谱之间的卡方检验值21.59,极（100（001助和金属离子固定的方式，成功了高分辨XRD图案的g-C3N4。我们进一步1.6nm的缺陷结构。这种缺陷结构是由于中心缺失了一个七嗪环而产生的，并且在其他文献中被误认为（100）面。11236452.15Figure2.15IllustrationofthecompositionsandmajorconclusionsinthisXRD图案的变化进行了XRDDFT分峰方法，对g-C3N4在催化反应中的结构变化进行详细的研究。2θ是不够精确的。一方面，衍射仪准直的调XRD图谱，需要2θg-C3N4的晶系和空间点阵群，还需要设法对其单晶结构进行分析。此外，我们假设了g-C3N4属于P6m2空间点阵群（187，以及DFT方法在处理双峰分离时假设了（001）和（100）面具有相同的峰形和峰高。如果想要进一步的研究g-C3N4的结构，还可以对这两个g-C3N4、属半导体氧化物已经在处理有机废水、还原重金属离子、光催化产氢敏化能电池等多方面得到了实际的应用。、不过，这些金属氧化物大多具有较高的带隙宽度，其吸收谱带与光谱并不，只能利用光中不到3%的紫外成分，大大限制了它们的应用。幸运用光进行杀菌、降解有机物、裂解水及还原CO2等。由于其较为适中的带隙宽度（2.7eV）和良好的吸光范围（460nm，以及稳定无毒易等优良的化学性质，g-C3N4是一种前景广阔的新型半导体材料。美中不足的是，g-C3N4或与杂多酸和量子点等物质形成异质结。通过形成与g-C3N4相匹配的能带结构或能级，实现异质结之间的有效电子转移。值得一提的是，对g-C3N4进行形貌调控也可以有效地改善材料的光电性质。Li等的通过化学氧化法的多孔g-C3N4，其表面吸附面积增加了几十倍，水溶性得到显著增强，并且光催化效率也得到了提高。Zhu等的P掺杂的g-C3N4纳米花能够将光响应范围扩展到557nm，从而显著增强了其光催化产氢的能力。事实上，这些对氮化碳HERORR的性能。如，Ag修饰的介孔g-C3N4材料，其载流子分离效率得到了大大的提高。其中的Ag纳米粒子作为一种良好的电子受体，其能级可以有效地接受电子，从而还可以有效地降解双酚APd0例如，Zn3d轨道能够与g-C3N4π键之间通过主客体作用形成有效的d-p了10倍。Chen等还称，即便在没有强酸辅助或者是其他催化剂存在的情况g-C3N4也能够与H2O2Cheng等还发现，FeOx修饰的g-C3N4可以提高电荷转移效率，在催化产氢方面二茂铁]二氯化钯（本章中简称为MOF）与二胺在Pd←N：的配位作用驱动下g-C3N4形成过程中的热缩聚反应，促进缩聚过程中缺陷g-C3N4光催化能力的同时，还会显著改变半导体的载流PdNMOF能够有出从np型半导体的转变。Fe-Pd/C3N4BFe-Pd/C3N4Fe-Pd/C3N4本章中我们利用[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯与二胺之间的配位作用了前驱体并进一步焙烧得到了具有一定光催化活性和特殊载流子性质的Fe-Pd/C3N4。Fe-Pd/C3N4g-C3N4原有的结构特式与三均三嗪环进行键合，并得到较多的-NH、-NH2N的孤电一定的变化。得到的Fe-Pd/C3N4Fe3+和Pd2+0.7，这说明得到的Fe-Pd/C3N4很均匀并且Pd2+比Fe3+更容易在的环境中保留下来而Fe-Pd/C3N4中主要以氧化物的形式存在。其中晶体的晶格交错生长此外，Fe-Pd/C3N4g-C3N4g-C3N4的零级反应，Fe-Pd/C3N415.1ming-C3N4的58.9minRhB时表现得尤为明显。这种光催化能力的改善首先是由于Fe-Pd/C3N4g-C3N40.37eV，从而更容易在光照条件下产生光生载流子。其次，Fe-Pd/C3N4的特征频率更低，电荷转移电阻仅为g-C3N4的一半，意味着其扩散过程更快更高效，光生电子和空穴得以更容易扩散到Fe-Pd/C3N4表面并发生氧化还原反应。更为重要的是，Fe-Pd/C3N4的光生电子和空穴具有更强的稳定性，由于金属离子可以与光生能带结构说明Fe-Pd/C3N4的非平衡态载流子浓度更高，并且其光生空穴具有更最后应当补充的是，过多增加MOF材料的投量并不能显著的改善其光催化性质，可能是因为金属离子与缺陷N位点之间的配位作用，以及金属离子与氧元间的结合存在竞争关系。此外，加入过多的MOF材料在改变材料多子种Mott-Schottky曲线就显示，较低电位处存在n型半导体到p型半导体的反转。第五 g-C3N4的认提出了g-C3N4的XRD谱图的新的归属方式从理论和实验上证明了g-C3N41214°的XRD衍射图案是（100）面和（001）面衍射峰叠加