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太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法2013-10-20发布2013-12-01实施新疆维吾尔自治区质量技术监督局发布I前言 12规范性引用文件 13术语和定义 14方法提要 25干扰因素 26测量仪器 27试样要求 48测量环境 49仪器校准 410测量程序 411测量系统精密度 412试验报告 4附录A(资料性附录)硅块常见缺陷的定义和类型 613硅块红外测量仪器应包括计算机系统、成像系统、承载旋转装置、硅块、光源、光源控制系统、图像处理系统。硅块红外测量仪器系统结构见图1。G图1图1硅块红外测量仪器系统结构6.2计算机系统控制检测系统，对扫描的数据进行收集、处理、分类、存储、调用。6.3成像系统6.3.1成像系统的图像应清晰、稳定，同时能够识别缺陷等比例尺寸。6.3.2成像系统能够识别的缺陷尺寸与其分辨能力有关，在组建成像系统时应考虑该因素。6.4承载旋转装置6.4.1承载装置应能够承载和固定待测硅块，待测硅块表面应与光源在同一轴线上。6.4.2承载装置应能平稳转动。能够提供强度均匀、稳定的入射光；红外光源的卤素灯功率不宜小于1000W。6.6光源控制系统红外光源强度应可调节，光强控制系统应具有过热保护功能。6.7图像处理系统能够对成像进行分析处理，正确显示裂纹、杂质、阴影位置和大小。7试样要求8测量环境8.1温度：15℃~35℃,温度变化<1℃/h。8.2湿度：<65%RH。8.3洁净度：9级洁净室或以上。9.3调整红外光强度，使得测试图像与标准图像一致，偏差在5%以内。

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