介质损耗因数测试

供用电技术专业教学资源库主讲：王运莉介质损耗因数测试目录CONTENTS1试验的基本原理2试验特点供用电技术专业教学资源库3三种非破坏性试验方法对不同故障的有效性4试验方法试验的基本原理CONTENTS01part供用电技术专业教学资源库试验的基本原理电介质在电场作用下产生能量。P=U2ωCtanδ当外加电压及频率一定时，电介质的损耗P与tgσ及C成正比；而对于一定结构的试品来说，C为定值，故可直接由tgσ的大小来判断试品绝缘的优劣。测量tgδ值是判断电气设备绝缘状态的一项灵敏有效的方法。试验特点CONTENTS02part供用电技术专业教学资源库试验特点当试品绝缘受潮、油或浸渍物脏污或劣化变质、绝缘中有气隙发生放电时，tanδ会大大增加。如绝缘良好时的油纸绝缘，tanδ=0.1%，但严重受潮时可达10%以上。（1）tanδ值能反映绝缘的缺陷试验特点被试绝缘的体积越大，或集中性缺陷所占的体积越小，那么集中性缺陷处的介质损耗占被试绝缘全部介质损耗中的比重就越小。

（2）tanδ值不能有效地反映集中性缺陷原因试验特点对于电机、电缆这类电气设备，由于运行中故障多为集中性缺陷发展所致，而且被试绝缘的体积较大，不便做此项试验。但对套管绝缘，tanδ试验就是一项必不可少而且比较有效的试验。对于可以分解成各个绝缘部分的被试品，常用分解进行tanδ

测量的方法来更有效地发现缺陷。试验特点

若tanδ不高，但R∞低，K接近1，I泄漏大——出现？缺陷。若tanδ高，且R∞低，K接近1，I泄漏大——出现？缺陷。若tanδ不高，且R∞及K合格，但I泄漏大——出现？缺陷。（3）tanδ试验应与绝缘电阻吸收比及泄漏电流试验一起综合判断练习试验特点若tanδ不高，但R∞低，K接近1，I泄漏大——出现贯穿性的集中性缺陷。若tanδ高，且R∞低，K接近1，I泄漏大——出现分布性缺陷。若tanδ不高，且R∞及K合格，但I泄漏大——出现非贯穿的集中性缺陷。如果tanδ、R、K、I泄漏均合格，则表明绝缘良好。小结三种非破坏性试验方法对不同故障的有效性CONTENTS03part供用电技术专业教学资源库三种非破坏性试验方法对不同故障的有效性可发现贯穿性受潮、脏污及导电通道等缺陷。（贯穿的集中性缺陷）更灵敏地测出绝缘电阻测量中所发现的缺陷。（贯穿或非贯穿的集中性缺陷）能发现绝缘整体普遍劣化及大面积受潮。（分布性缺陷）绝缘电阻测量泄漏电流测量介质损耗角测量试验方法CONTENTS04part供用电技术专业教学资源库1）西林电桥

电桥的四个臂：

CN—标准电容器

ZX—被试品

C4—可调电容R3—可调电阻2）介质损耗测量仪试验方法正接法：被试品两端对地绝缘，实验室采用，安全。反接法：被试品一端固定接地，一般现场试验采用，为了保证安全，使用绝缘杆操作。试验方法试验方法电桥平衡时：各桥臂复数阻抗值应满足取R4=104/п、f=50HZ→tgδ=100п*104/п*C4=106C4(法)=C4(微法)Zx•Z4=ZN•Z3可推导出tgσ=ωR4C4，Cx≈CNR4/R3即当电桥调到