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文档简介

各种放大器件电路性能比较12各种放大器件电路性能比较各种FET的特性及使用注意事项各种放大器件电路性能比较3各种FET的特性及使用注意事项

衬底引出时,注意各管脚的连接。MOSFET必须在短路情况下保存,以免管子损坏。如出厂时源极与衬底已连在一起,这时源极与漏极不能对调。焊接时,电烙铁必须有外接地线。最好是断电后再焊接。4各种放大器件电路性能比较组态对应关系:CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET电压增益:CE:CC:CB:CS:CD:CG:反相电压放大器电压跟随器电流跟随器5各种放大器件电路性能比较输出电阻:BJTFET输入电阻:CE:CC:CB:CS:CD:CG:CE:CC:CB:CS:CD:CG:6

解:画中频小信号等效电路则电压增益为例题放大电路如图所示。已知

试求电路的中频增益、输入电阻、输出电阻和上限截止频率。根据电路有由于则7VCC+++-+-Cb220V++-Rb1voRb2CBRCCb1RSvSRgR2R1CT2T1vi+--+RSRgCgdCgsrb’erbb’R2RCCb’cCb’egm1Vgs.+-VS.Vi.Vo.Ib.-+Vb’e.gm2Vb’e.gdseb’cbIc.Ie.+-RSCgsCgdrb’eR2RCCb’cCb’e+-VS.Vo.-+Vb’e.gm2Vb’e.Ic.Ie.gdsecb’gm1Vgs.求上限截止频率:R2很小,Cgs可看成与Rg并联,Rg>>Rs,可看成开路。8+-RSCgsCgdrb’eR2RCCb’cCb’e+-VS.Vo.-+Vb’e.gm2Vb’e.Ic.gdsecb’gm1Vgs.Ie.+-RSCgsCgdreR2RCCb’cCb’e+-VS.Vo.-+Vb’e.gm2Vb’e.Ic.gdsecb’gm1Vgs.Ie.9+-RSCgsCgdreR2RCCb’cCb’e+-VS.Vo.-+Vb’e.gm2Vb’e.Ic.Ie.gdsecb’gm1Vgs.+-RSC1=Cgd+CgsreR2RCCb’cCb’e+-VS.Vo.-+Vb’e.gm2Vb’e.Ic.Ie.gdsecb’gm1Vgs.10+-RSC1=Cgd+CgsreR2RCCb’cCb’e+-VS.Vo.+-Vb’e.gm2Vb’e.Ic.Ie.gdsecb’gm1Vgs.三阶低通特性11负反馈放大电路的稳定性稳定工作条件破坏自激振荡条件或或写为其中Gm——幅值裕度,一般要求Gm-10dBm——相位裕度,一般要求m45保证可靠稳定,留有余地。12负反馈放大电路的稳定性负反馈放

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