原理功率及其应用

关于原理功率及其应用第1页，课件共55页，创作于2023年2月内容概述原理介绍低频小信号放大电路功率MOSFET应用第2页，课件共55页，创作于2023年2月概述MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）金属-氧化层-半导体-场效应晶体管

它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。在大规模及超大规模集成电路中得到广泛的应用。

电压控制电流型器件（电压产生的电场）单极型器件（只有一种载流子，N：电子，P：空穴）第3页，课件共55页，创作于2023年2月耗尽型增强型P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道场效应管的分类：从半导体导电沟道类型上分从有无原始导电沟道上分从结构上分MOSFET绝缘栅型(IGFET)第4页，课件共55页，创作于2023年2月1原理介绍增强型MOS场效应管耗尽型MOS场效应管MOS场效应管分类1MOS场效应管第5页，课件共55页，创作于2023年2月MOS场效应管N沟道增强型的MOS管P沟道增强型的MOS管N沟道耗尽型的MOS管P沟道耗尽型的MOS管1MOS场效应管第6页，课件共55页，创作于2023年2月一、N沟道增强型MOS场效应管结构增强型MOS场效应管漏极D→集电极C源极S→发射极E绝缘栅极G→基极B衬底B电极—金属绝缘层—氧化物基体—半导体因此称之为MOS管1MOS场效应管动画五第7页，课件共55页，创作于2023年2月

当VGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。当VGS=VT时,在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在VDS的作用下形成iD。二、N沟道增强型MOS场效应管工作原理增强型MOS管VDSiD++--++--++++----VGS反型层

当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论VDS之间加什么电压都不会在D、S间形成电流iD,即iD≈0.

当VGS>VT时,沟道加厚，沟道电阻减少，在相同VDS的作用下，iD将进一步增加。开始时无导电沟道，当在VGSVT时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管动画六一方面

MOSFET是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。第8页，课件共55页，创作于2023年2月

当VGS＞VT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。VDS=VDG＋VGS

=－VGD＋VGS

VGD=VGS－VDS

当VDS为0或较小时，相当VGD＞VT,此时VDS

基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在VDS作用下形成ID增强型MOS管1MOS场效应管另一方面，漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用第9页，课件共55页，创作于2023年2月当VDS增加到使VGD=VT时，当VDS增加到VGDVT时，增强型MOS管

这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。此时的漏极电流ID基本饱和。

此时预夹断区域加长，伸向S极。VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，ID基本趋于不变。1MOS场效应管另一方面，漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用VGD=VGS－VDS第10页，课件共55页，创作于2023年2月三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线增强型MOS管iD=f(vGS)vDS=C

转移特性曲线iD=f(vDS)vGS=C输出特性曲线vDS(V)iD(mA)当vGS变化时，RON将随之变化，因此称之为可变电阻区恒流区(饱和区)：vGS一定时，iD基本不随vDS变化而变化。vGS/V第11页，课件共55页，创作于2023年2月一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构耗尽型MOS场效应管+++++++耗尽型MOS管存在原始导电沟道1MOS场效应管第12页，课件共55页，创作于2023年2月耗尽型MOS管二、N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理

当VGS=0时，VDS加正向电压，产生漏极电流iD,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。当VGS＞0时,将使iD进一步增加。当VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至iD=0，对应iD=0的VGS称为夹断电压，用符号VP表示。VGS(V)iD(mA)VP1MOS场效应管N沟道耗尽型MOS管可工作在VGS0或VGS>0N沟道增强型MOS管只能工作在VGS>0第13页，课件共55页，创作于2023年2月耗尽型MOS管三、N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线输出特性曲线1MOS场效应管VGS(V)iD(mA)VP转移特性曲线第14页，课件共55页，创作于2023年2月各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型1MOS场效应管第15页，课件共55页，创作于2023年2月绝缘栅场效应管

N沟道耗尽型P沟道耗尽型1MOS场效应管第16页，课件共55页，创作于2023年2月场效应管的主要参数2.夹断电压VP：是耗尽型FET的参数，当VGS=VP时,漏极电流为零。3.饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效应三极管当VGS=0时所对应的漏极电流。1.开启电压VT：MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。1MOS场效应管4.直流输入电阻RGS:栅源间所加的恒定电压VGS与流过栅极电流IGS之比。结型:大于107Ω，绝缘栅:109～1015Ω。5.漏源击穿电压V(BR)DS:使ID开始剧增时的VDS。6.栅源击穿电压V(BR)

GSJFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压第17页，课件共55页，创作于2023年2月7.低频跨导gm

：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。1MOS场效应管8.输出电阻rds9.极间电容Cgs—栅极与源极间电容Cgd—栅极与漏极间电容

Csd—源极与漏极间电容第18页，课件共55页，创作于2023年2月2场效应管放大电路场效应管偏置电路三种基本放大电路2场效应管放大电路FET小信号模型第19页，课件共55页，创作于2023年2月为什么要设定一个静态工作点无静态工作点，小信号加到栅源端，管子不工作静态管工作点设在输入曲线接近直线段中点小信号模型参数与静态工作点有关如果静态工作点设置在此处，信号放大后失真严重，并且信号稍大就会部分进入截止区2场效应管放大电路第20页，课件共55页，创作于2023年2月一、场效应管偏置电路1、自给偏置电路场效应管偏置电路的关键是如何提供栅源控制电压UGS自给偏置电路：适合结型场效应管和耗尽型MOS管外加偏置电路：适合增强型MOS管UGS=UG-US=-ISRS≈-IDRSUGSQ和IDQUDSQ=ED-IDQ(RS+RD)GSD基本自给偏置电路2场效应管放大电路RS的作用：1.提供栅源直流偏压。2.提供直流负反馈，稳定静态工作点。RS越大，工作点越稳定。第21页，课件共55页，创作于2023年2月偏置电路改进型自给偏置电路大电阻（M)，减小R1、R2对放大电路输入电阻的影响UGS=UG-US-IDRSUGSQ和IDQUDSQ=ED-IDQ(RS+RD)2场效应管放大电路1、自给偏置电路R1R2提供一个正偏栅压UG第22页，课件共55页，创作于2023年2月偏置电路2、外加偏置电路-IDRSR1和R2提供一个固定栅压UGS=UG-US注：要求UG>US，才能提供一个正偏压，增强型管子才能正常工作2场效应管放大电路第23页，课件共55页，创作于2023年2月二、场效应管的低频小信号模型

iD由输出特性：iD=f(vGS,vDS)2场效应管放大电路SDgdsvgs+-+-vdsGidgmvgs第24页，课件共55页，创作于2023年2月三、三种基本放大电路1、共源放大电路（1）直流分析UGS=UG-US-IDRSUGSQ和IDQUDSQ=ED-IDQ(RS+RD)2场效应管放大电路第25页，课件共55页，创作于2023年2月基本放大电路IdGRGR1R2RDRLDrdsRSgmUgsSUiUo未接Cs时一般rds较大可忽略=-gmUgsR'DUgs+gmUgsRs=-gmR'D1+gmRsR'D=RD//RL（2）动态分析Ri=RG+(R1//R2)≈RGRo≈RDRiRo第26页，课件共55页，创作于2023年2月基本放大电路IdGRGR1R2RDRLDrdsRSgmUgsSUgsUiUo未接Cs时=-gmR'D1+gmRsRiRi=RG+(R1//R2)≈RGRoRo≈RD接入Cs时AU=-gm(rds//RD//RL)Ri=RG+(R1//R2)≈RGRo=RD//rds≈RDRs的作用是提供直流栅源电压、引入直流负反馈来稳定工作点。但它对交流也起负反馈作用，使放大倍数降低。接入CS可以消除RS对交流的负反馈作用。第27页，课件共55页，创作于2023年2月ri基本放大电路2、共漏放大电路GSDUiRGGUoRLRSgmUgsrdsSD=gmUgsR'SUgs+gmUgsR's=gmR'S1+gmR'sR'S=rds//RS//RL≈RS//RL<1gmR'S>>1AU≈1ri=RGUgs+-电压增益输入电阻2场效应管放大电路第28页，课件共55页，创作于2023年2月基本放大电路输出电阻Ugs+-gmUgsRS+-UoIoroUiGUoSRGRLRSgmUgsrdsDUgs+--gmUgsUgs=-Uo=Uo(1/Rs+gm)=gmR'S1+gmR's电压增益ri=RG输入电阻2场效应管放大电路2、共漏放大电路第29页，课件共55页，创作于2023年2月基本放大电路3、共栅放大电路SGDrdsgmUgsSGD电压增益IdId=gmUgs+Uds/rdsUds=Uo-UiUo=-IdR'DUgs=-UiId=-gmUi+(-IdR'D-Ui)/rds当rds>>R'D时AU≈gmR'Dr'i输入电阻r'i

=Ui/Idrds>>R'Dgmrds>>1r'i

≈1/gmriri≈Rs//1/gm2场效应管放大电路第30页，课件共55页，创作于2023年2月基本放大电路电压增益AU≈gmR'D输入电阻r'i≈1/gmri≈Rs//1/gmSGDrdsgmUgs输出电阻ror'o=rdsro=rds//RD≈RD电压增益高，输入电阻很低，输出电阻高，输出电压与输入电压同相2场效应管放大电路3、共栅放大电路第31页，课件共55页，创作于2023年2月组态对应关系：CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET电压增益：CE：CC：CB：CS：CD：CG：2场效应管放大电路三种基本放大电路的性能比较第32页，课件共55页，创作于2023年2月输出电阻：BJTFET输入电阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：2场效应管放大电路三种基本放大电路的性能比较第33页，课件共55页，创作于2023年2月功率MOSFET结构功率MOSFET开关过程功率损耗驱动电路参数第34页，课件共55页，创作于2023年2月功率MOS结构横向通道型：指Drain、Gate、Source的终端均在硅晶圆的表面，这样有利于集成，但是很难获得很高的额定功率。这是因为Source与Drain间的距离必须足够大以保证有较高的耐压值。垂直通道型：指Drain和Source的终端置在晶圆的相对面，这样设计Source的应用空间会更多。当Source与Drain间的距离减小，额定的Ids就会增加，同时也会增加额定电压值。垂直通道型又可分为：VMOS、DMOS、UMOS.第35页，课件共55页，创作于2023年2月a、在gate区有一个V型凹槽，这种设计会有制造上的稳定问题，同时，在V型槽的尖端也会产生很高的电场，因此VMOS元件的结构逐渐被DMOS元件的结构所取代。C、在gate区有一个U型槽。与VMOS和DMOS相比，这种设计会有很高的通道浓度，可以减小导通电阻。b、双扩散第36页，课件共55页，创作于2023年2月寄生三极管：

MOS内部N+区，P-body区，N-区构成寄生三极管，当BJT开启时击穿电压由BVCBO变成BVCEO（只有BVCBO的50%到60%），这种情况下，当漏极电压超过BVCEO时，MOS雪崩击穿，如果没有外部的漏极电流限制，MOS将被二次击穿破坏，所以，要镀一层金属来短接N+区和P-body区，以防止寄生BJT的开启。在高速开关状态，B、E间会产生电压差，BJT可能开启。寄生二极管：源极与衬底短接，形成寄生二极管（体二极管）第37页，课件共55页，创作于2023年2月MOSFET开关过程等效电路输入电容：CiSS=CGS+CGD输出电容：COSS=CGD+CDS反向传输电容：CrSS=CGD

上述电容值在开关过程会发生变化，CGD受开关过程的影响和他本身的变化对开关过程的影响都最为显著。CGDVDSVDS=VGS第38页，课件共55页，创作于2023年2月MOSFET导通过程第39页，课件共55页，创作于2023年2月4个过程充电等效电路第40页，课件共55页，创作于2023年2月t0～t1：t0时刻给功率MOSFET加上理想开通驱动信号，栅极电压从0上升到门限电压VGS(th)，MOSFET上的电压电流都不变化，CGD很小且保持不变。t1～t2：MOSFET工作于恒流区，ID随着VGS快速线性增大，ID在负载电阻R上产生压降而使VDS迅速下降。VDS的迅速下降一方面使CGD快速增大,另一方面，K=dVGS/dVGS=-gm·RL，根据密勒定理，将CGD折算到输入端，其栅极输入等效电容值将增大为Cin12=CGS+(1-K)CGD。第41页，课件共55页，创作于2023年2月T2～T3：T2时刻VDS下降至接近VGS，CGD开始急剧增大，漏极电流ID已接近最大额定电流值。随着VDS减小至接近于通态压降，CGD趋于最大值(T3时刻)。在此过程中，一方面CGD本身很大，另一方面K绝对值很大，由于密勒效应，等效输入电容Cin23非常大，从而引起栅极平台的出现，栅极电流几乎全部注入CGD

，使VDS下降。T3～T4：T3时刻后VDS下降至通态压降并基本不变，CGD亦保持最大值基本不变，但密勒效应消失。栅极电流同时对CGS和CGD充电，栅极平台消失,栅源电压不断上升直至接近驱动源的电源电压VDD，上升的栅源电压使漏源电阻RDS(on)减小。T4时刻以后M0SFET进入完全导通状态第42页，课件共55页，创作于2023年2月密勒效应密勒效应（Millereffect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。对于MOSFET：在共源组态中，栅极与漏极之间的覆盖电容CDG是密勒电容，CDG正好跨接在输入端(栅极)与输出端(漏极)之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。第43页，课件共55页，创作于2023年2月MOSFET参数热阻：导热过程的阻力。为导热体两侧温差与热流密度之比。Pch=(Tch-Tc)/θch-c=(150-25)/1.14W≈110W第44页，课件共55页，创作于2023年2月静态电特性第45页，课件共55页，创作于2023年2月动态电特性E:\MOSFET\N\AO4448L.pdf第46页，课件共55页，创作于2023年2月功率损耗1、传导损耗P1=ID²×RDS(on)×D其中RDS(on)是结点温度的函数，可以通过on-resistancevs.temperature查找各温度下的RDS(on)值RDS(on)随温度升高变大，因为电子和空穴的迁移率温度越高越小。T是绝对温度2、开关损耗

P2=1/2×Vin×ID×(Ton+Toff)×fs总损耗=传导损耗+开关损耗第47页，课件共55页，创作于2023年2月驱动电路电压电压一定要使MOSFET完全导通（datasheet上查看），VGS要大于平台电压。如果MOSFET工作在横流区，VDS会很大，器件消耗功率非常大，MOSFET将会烧毁。电流

I=Q/T(Q：栅极总电荷，T