光敏传感器实验论文-大物实验

光敏传感器实验及探究摘要：光敏传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测光量变化或直接引起光量变化的非电量， 也可用于检测能转换成光量变化的其他非电量。 它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光敏传感器具有响应快、精度高、能实现非接触测量等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此 ,光电式传感器在检测和控制领域应用非常广泛。关键词：光敏传感器；检测光量变化；电信号；检测与控制。Abstract:photoelectricsensorisphotoelectricdeviceasasensorelement.Itcanbeusedfornonelectricquantitydetectionlightintensityordirectlycausedbylightintensity,andcanalsobeusedfordetectioncanbeconvertedintoothernonelectricalquantitychange.Itdividesthechangesmeasuredintoopticalsignalchanges,thenwiththehelpofoptoelectronicdevicestoconvertopticalsignalsintoelectricalsignals.Photoelectricsensorhastheadvantagesoffastresponse,highprecision,canrealizethenon-contactmeasurementetc.,andmeasurableparameters,thesensorhastheadvantagesofsimplestructure,flexibleanddiverseforms,therefore,applicationofphotoelectricsensorsinthedetectionandcontrolfieldisverywide.Keywords:photoelectricsensor;detectionoflightintensity;signal;detectionandcontrol.阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。1前言光电导效应、光生伏特效应是两种常见的内传感器是将感受的物理量、化学量等信光电效应。息，按一定规律转换成便于测量和传输的信2.1.1光电导效应号的装置。电信号易于传输和处理，所以大若光照射到某些半导体材料上时，透过多数的传感器是将物理量等信息转换成电到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸信号输出的。例如传声器就是一种传感器，收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的它感受声音的强弱，并转换成相应的电信自由态，这时在外电场的作用下，流过半导号。又如电感式位移传感器能感受位移量的体的电流会增大，即半导体的电导会增大，变化，并把它转换成相应的电信号。这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效光电测量时不与被测对象直接接触，光应。束的质量又近似为零，在测量中不存在摩擦光电导效应可分为本征型和杂质型两和对被测对象几乎不施加压力。因此在许多类。前者是指能量足够大的光子使电子离开应用场合，光电式传感器比其他传感器有明价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生显的优越性。空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电2光敏传感器工作原理导，使电导增加。杂质型光电导效应则是能2.1光电效应量足够大的光子使施主能级中的电子或受光敏传感器的物理基础是光电效应，光主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电效应通常分为外光电效应和内光电效应电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型两大类。在光辐射作用下电子逸出材料的表光电导的要长的多。面，产生光电子发射称为外光电效应，或光2.1.2光生伏特效应电子发射效应，基于这种效应的光电器件有在无光照时，半导体PN结内部自建电光电管、光电倍增管等。电子并不逸出材料场。当光照射在PN结及其附近时，在能量表面的则是内光电效应，几乎大多数光电控足够大的光子作用下，在结区及其附近就产制应用的传感器都是此类，通常有光敏电生少数载流子（电子、空穴对）。载流子在结区外时，靠扩散进入结区；在结区中时，则因电场E的作用，电子漂移到N区，空穴漂移到P区。结果使N区带负电荷，P区带正电荷，产生附加电动势，此电动势称为光生电动势，此现象称为光生伏特效应。2.2光敏传感器的基本特性本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性。光敏传感器的基本特性则包括：伏安特性、光照特性等。其中光敏传感器在一定的入射照度下，光敏元件的电流I与所加电压U之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一族伏安特性曲线。它是传感器应用设计时选择电参数的重要依据。光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性，有时光敏传感器的输出电压或电流与入射光强之间的关系也称为光照特性，它也是光敏传感器应用设计时选择参数的重要依据之一。掌握光敏传感器基本特性的测量方法，为合理应用光敏传感器打好基础。2.2.1光敏电阻利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。目前，光敏电阻应用的极为广泛，可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻。利用光敏电阻制成的光控开关在我们日常生活中随处可见。当内光电效应发生时，光敏电阻电导率的改变量为：pe p ne n （1）在（1）式中，e为电荷电量，p为空穴浓度的改变量，n为电子浓度的改变量，表示迁移率。当两端加上电压U后，光电流为：AU（2）Iphd式中A为与电流垂直的表面，d为电极间的间距。在一定的光照度下，为恒定的值，因而光电流和电压成线性关系。光敏电阻的伏安特性如图2a所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明

电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，而且没有饱和现象。当然，与一般电阻一样光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。图2a光敏电阻的伏安特性曲线图2b 光敏电阻的光照特性曲线光敏电阻的光照特性则如图2b所示。不同的光敏电阻的光照特性是不同的，但是在大多数的情况下，曲线的形状都与图2b的结果类似。由于光敏电阻的光照特性是非线性的，因此不适宜作线性敏感元件，这是光敏电阻的缺点之一。所以在自动控制中光敏电阻常用作开关量的光电传感器。2.2.2硅光电池硅光电池是目前使用最为广泛的光伏探测器之一。它的特点是工作时不需要外加偏压，接收面积小，使用方便。缺点是响应时间长。图3a为硅光电池的伏安特性曲线。在一定光照度下，硅光电池的伏安特性呈非线性。V为0，从而有：ISCIph（4）负载电阻在20欧姆以下时，短路电流与光照有比较好的线性关系，负载电阻过大，则线性会变坏。开路电压则是指负载电阻远大于光电池的内阻时硅光电池两端的电压，而当硅光电池的输出端开路时有I0，由（3）（4）式可得开路电压为：VOCnkBTlnISC1（5）qI0图3a硅光电池的伏安特性曲线图3b为硅光电池的光照特性曲线。开路电压与光照度之间为对数关系，因而具有饱和性。因此，把硅光电池作为敏感元件时，应该把它当作电流源的形式使用，即利用短路电流与光照度成线性的特点，这是硅光电池的主要优点。2.2.3光敏二极管和光敏三极管光敏二极管的伏安特性相当于向下平移了的普通二极管，光敏三极管的伏安特性和光敏二极管的伏安特性类似，如图4a，b所示。但光敏三极管的光电流比同类型的光图3b硅光电池的光照特性曲线敏二极管大好几十倍，零偏压时，光敏二极*图3b中1：开路电压2：短路电流管有光电流输出，而光敏三极管则无光电流输出。原因是它们都能产生光生电动势，只当光照射硅光电池的时候，将产生一个因光电三极管的集电结在无反向偏压时没由N区流向P区的光生电流Iph；同时由于有放大作用，所以此时没有电流输出（或仅有很小的漏电流）。PN结二极管的特性，存在正向二极管管电流ID，此电流方向与光生电流方向相反。所以实际获得的电流为：IIphIDIphI0eV1expnkBT（3）式中V为结电压，I0为二极管反向饱和电流，n为理想系数，表示PN结的特性，通图4a光敏二极管的伏安特性曲线常在1和2之间，kB为波尔兹曼常熟，T为绝对温度。短路电流是指负载电阻相对于光电池的内阻来讲是很小的时候的电流。在一定的光照度下，当光电池被短路时，结电压图4b 光敏三极管的伏安特性曲线光敏二极管的光照特性亦呈良好线时灵敏度低些，在强光时则有饱和现象， 这是由于电流放大倍数的非线性所至， 对弱信号的检测不利。故一般在作线性检测元件时，可选择光敏二极管而不能用光敏三极管。（2）先将可调光源调至一定的光照度， 每次在一定的光照条件下， 测出加在光敏电阻上电压 为+2V；+4V；+6V；+8V；+10V；+12V时电阻R1两端的电压 UR，从而得到 6个光电流数据IphUR，同时算出此时光敏1.00k电阻的阻值，即RgUccUR。以后调节相IPH图5a 光敏二极管的光照特性曲线

对光强重复上述实验（要求至少在三个不同照度下重复以上实验）。3）根据实验数据（见附录）画出光敏电阻的一族伏安特性曲线。图5b光敏三极管的光照特性曲线3实验方案3.1.2光敏电阻的光照度测试3.1光敏电阻（1）按实验仪面板示意图，接好实验线路，3.1.1光敏电阻的伏安特性测试基准参考硅光电池接相对照度处的硅光电（1）按实验仪面板示意图7接好实验线路，池接口，输出接定标系统的数字电压表。光基准参考硅光电池接相对照度处的硅光电源用标准钨丝灯将检测用光敏电阻装入待池接口，输出接定标系统的数字电压表。光测点，连结+2--+12V电源，光源电压0--24V源用标准钨丝灯将检测用光敏电阻装入待电源（可调）。测点，连结+2--+12V电源，光源电压0--24V（2）从UCC=0开始到UCC=12V，每次在一电源（可调）。定的外加电压下测出光敏电阻在相对光照度从“弱光”到逐步增强的光电流数据，即：URIph ，同时算出此时光敏电阻的1.00K阻值，即：RgUccUR。这里要求至少IPh测出10个不同照度下的光电流数据，尤其要在弱光位置选择较多的数据点，以使所得到的数据点能够绘出完整的光照特性曲线。3）根据实验数据画出光敏电阻的一族光照特性曲线。3.2硅光电池3.2.1硅光电池的伏安特性测试（1）如图接线（2）开关打到“ 1”，在一定照度下，调节多圈电位器阻值 RX1 0.5k ~7.5k ，步进量为0.5k ，然后测量硅光电池输出电压Uo和取样电阻R1两端电压UR1，光电流IphUR1(10.00为取样电阻)10.003）选取不同光照度，重复上述实验4）根据数据（见附录）画出硅光电池的一簇伏安特性曲线（1）如上图接线，光源用标准钨丝灯，光源电压用0~+12V(可调)3.2.2硅光电池的光照度测试 （2）先将可调光源调至一定的光照度， 每（1）如前图实验线路如图，电位器调到0次在一定的光照条件下，测出加在光敏二极（2）先将可调光源调至一定的照度下，测管的反偏电压与产生的光电流，其中光电流出该照度下硅光电池的开路电压Uoc和短路IphUR1(1.00k为取样电阻)，以电流Isc数据,其中短路电流为1.00kUR（近似值，10.00为取样电后调节相对光强重复上述实验（要求至少在Isc10.00三个不同照度下重复以上实验）。阻），以后逐步改变可调光源的照度（8～10（3）根据实验数据（见附录）画出光敏二次），重复测出开路电压和短路电压。极管的一族伏安特性曲线。3）根据实验数据（见附录）画出硅光电池的光照特性曲线。3.3光敏二极管3.3.1光敏二极管的伏安特性测试3.3.2光敏二极管的光照特性测试1）如上图接线2）选择一定的反偏压，每次在一定的反偏压下测出光敏二极管在相对光照度为“弱光”到逐步增强的光电流数据，其中IphUR1(1.00k为取样电阻)1.00k3）根据实验数据（见附录）画出光敏二极管的一簇光照特性曲线误差分析（1）光源在发光过程中持续加热，电阻会持续增大，光照度会缓慢提升，从而影响实验数据。（2）光源电压不稳定， 在一定范围内波动。结论光敏传感器除了能测量光强之外， 还能利用光线的透射、遮挡、反射、干涉等测量多种物理量，如尺寸、位移、速度、温度等，因而是一种应用极广泛的重要敏感器件。 光电测量时不与被测对象直接接触， 光束的质量又近似为零，在测量中不存在摩擦和对被测对象几乎不施加压力。 因此在许多应用场合，光敏传感器比其他传感器有明显的优越性。而且近年来，随着光电科学、信息科学和材料科学发展成果的推动， 光电式传感器技术得到了进一步的飞速发展。 随着科学技术的不断进步，人们对现代科技认识的不断深入，光敏传感器必将迎来属于自己的时代。参考文献孙传友，张一.感测技术基础第三版.电子工业出版社，2012.1吴勤勤.控制仪表及装置第三版.化学工业出版社，2012.1杜维，张宏建，王会芹.过程检测技术及仪表第二版.化学工业出版社，2011.2邱关源.电路第五版.高等教育出版社，2006.5康华光.电子技术基础模拟部分第五版.高等教育出版社， 2008.4周殿清，冯辉.基础物理实验.科学出版社.2009.1附录：一、光敏电阻偏置电压（V）UR1(V)IPH(mA)Rg( )偏置电压（V）UR1(V)IPH(mA)Rg( )偏置电压（V）UR1(V)IPH(mA)Rg( )

照度：20Lx246810121.553.094.636.187.729.281.553.094.636.187.729.28290.32294.50295.90294.50295.34293.10照度：30Lx246810121.583.154.736.317.909.461.583.154.736.317.909.46265.82269.84268.50267.83265.82268.50照度：62Lx246810121.673.345.006.678.3210.021.673.345.006.678.3210.02197.60197.60200.00199.40201.92197.60偏置电压：8V光源电压88108101210121012光源距离(mm)2001502001001502001001005050光照度(Lx)12345610203062UR1(V)4.244.335.044.925.065.625.686.056.246.62IPH(mA)4.244.335.044.925.065.625.686.056.246.62Rg()886.7847.5984.1626.0976.21135.760.5983.4602.5812.698328236769偏置电压：10V光源电压88108101210121012光源距离(mm)2001502001001502001001005050光照度(Lx)12345610203062UR1(V)5.395.436.336.166.356.957.107.687.758.28IPH(mA)5.395.436.336.166.356.957.107.687.758.28Rg()484.2473.3579.7298.7574.8726.6408.4562.5290.3449.23080025028偏置电压：12V光源电压88108101210121012光源距离(mm)2001502001001502001001005050光照度(Lx)12345610203062UR1(V)6.516.567.617.477.638.428.499.239.339.95IPH(mA)6.516.567.617.477.638.428.499.239.339.95Rg()228.8219.5314.070.95310.6425.1177.8300.171.81206.081628613二、硅光电池硅光电池在最大光照度下的开路电压与短路电流UOC(V)UR1(V)ISC(A)0.4000.08530.00853照度：20Lx0.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0RX1(k)119257345415437447452456458460UO(mV)2.32.32.32.01.71.51.31.11.00.9UR1(mV)IPH(mA)RX1(k )UO(mV)UR1(mV)IPH(mA)RX1(k )UO(mV)UR1(mV)

0.230.230.230.20.170.150.130.110.100.09照度：30Lx0.51.01.52.02.53.03.54.04.55.01633314264454564614644674694703.33.32.82.21.81.51.31.11.00.90.330.330.280.220.180.150.130.110.100.09照度：62Lx0.51.01.52.02.53.03.54.04.55.02434294594694734754774784794815.14.23.02.31.81.51.31.11.00.7IPH(mA)0.510.420.300.230.180.150.130.110.100.07光源电压88108101210121012光源距离(mm)2001502001001502001001005050光照度(Lx)12345610203062UOC(mV)442445458459462470473483489504UR1(mV)0.60.61.11.01.21.71.72.74.37.1IPH(mA)0.060.060.110.10.120.170.170.270.430.71三、光敏二极管照度：20Lx偏置电压（V）2.074.076.098.0510.0412.04R1()1.00k