半导体芯片制造工考试试题

半导体芯片制造高级工考试试题一、填空题1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用(硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。3.铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。4.在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、(银浆烧结)等。6.金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般(大于)同类电极系统的楔刀焊接。7.芯片焊接质量通常进行镜检和(剪切强度)两项试验。8.如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合(不合格)。9.钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内(湿度)控制。10外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而(可靠性)设计也包含在这三部分中间。11.厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，(氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。12.微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和(集总参数)微波混合集成电路两类。13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（氧化）、（气相）淀积、PECVD淀积。16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（Pn结介质）（Pn结隔离）（Pn结介质混合）隔离等三种基本方法.17、最常用的金属膜制备方法有（电阻）加热蒸发、（电子束）蒸发、（溅射）。18、热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（含有硅的化合物）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。19杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（替位）扩散和（间隙）扩散两种。20半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（元素）半导体、（化合物）半导体、固溶半导体三大类。延生长方法比较多，其中主要的有（化学气相）外延、（液相）外延、金属有机化学气相外延、（分子束）外延、原子束外延、固相外延等。气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（完整）性、（成品）率，并影响其电学性能和（可靠性）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。二、判断题1．双极晶体管中只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。(F)2．逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。(T)3．晶体的特点是在各个晶向上的物理性能、机械性能、化学性能相同。(F)4．门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列。(T)5．晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。(F)。6．目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。(T)7．退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。(T)8．设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。(F)9．钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。(T)10．厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。(T)11．厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。(F)12．厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。(T)13．丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。(F)14．在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。(F)15．可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。(T)16．硅MOSFET和硅JFET结构相同。(F)17．场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。(T)18片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。(T)19.值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。(T)20低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。(T)三、选择题1．禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。A．越不容易受B．越容易受C．基本不受2．变容二极管的电容量随()变化。A．正偏电流B．反偏电压C．结温3．双极晶体管的1c7r噪声与()有关。A．基区宽度B．外延层厚度C．表面界面状态4．半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的()，使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。.7、有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？答：常压化学气相淀积（APCVD）,低压化学气相淀积（LPCVD），等离子体辅助CVD。8、典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程？答:存底的制备----硅氧化---生长埋层---外延生长---生长隔离区---生长基区---发射区及集电极接触区生长---形成金属互连---集成电路成品.9、洁净区工作人员应注意些什么？答:保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去,人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝，禁止用手表，首饰，指甲油，吸烟，化妆，工作只能在洁净面上进行。10、简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？答:外延要求1.集电极击穿电压要求