光电检测c3概要

光电检测c3概要第一页，共66页。教学目的：半导体基础知识重点内容：

1)半导体能带结构

2)半导体载流子

3)半导体对光的吸收4)光电效应

第二页，共66页。第三页，共66页。第四页，共66页。能级（EnegyLevel）

在孤立原子中，原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有分立的能量值，也就是电子按能级分布。

第五页，共66页。硅单晶结构

第六页，共66页。能带（EnegyBand）

晶体中大量的原子集合在一起,电子的共有化。从而使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。

第七页，共66页。a)绝缘材料SiO2的Eg约为5.2eV，导带中电子极少，所以导电性不好，电阻率大于1012Ω·cm。b)半导体Si的Eg约为1.1eV，导带中有一定数目的电子，从而有一定的导电性，电阻率为10-3—1012Ω·cm。c)金属的导带与价带有一定程度的重合，Eg=0，价电子可在金属中自由运动，导电性好，电阻率10-6—10-3Ω·cm。第八页，共66页。本征半导体本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。在绝对零度时，价带中的全部量子态都被电子占据，而导带中的量子态全部空着。导带全空价带全满

第九页，共66页。杂质半导体在纯净的半导体中掺入一定的杂质，可以显著地控制半导体的导电性质。掺入的杂质可以分为施主杂质和受主杂质。施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n型半导体。受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为空穴导电的p型半导体。第十页，共66页。N型半导体第十一页，共66页。N型半导体第十二页，共66页。P型半导体第十三页，共66页。P型半导体第十四页，共66页。平衡载流子处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度一定。这种处于热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。平衡载流子浓度随温度变化而变化第十五页，共66页。本征半导体载流子浓度强烈依赖温度随着温度增高，载流子浓度显著增加本征半导体第十六页，共66页。平衡和非平衡载流子半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是平衡载流子浓度，比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。

第十七页，共66页。非平衡载流子的产生光注入：用光照使得半导体内部产生非平衡载流子。当光子的能量大于半导体的禁带宽度时，光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子－空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子，价带比平衡时多出一部分空穴。产生的非平衡电子浓度等于价带非平衡空穴浓度。光注入产生非平衡载流子，导致半导体电导率增加。其它方法：电注入、高能粒子辐照等。第十八页，共66页。漂移电流与扩散电流半导体中有两种载流子：电子和空穴，这两种载流子的定向运动会引起导电电流。引起载流子定向运动的原因有两种：由于电场而引起的定向运动――漂移运动。（漂移电流）由于载流子的浓度梯度而引起的定向运动――扩散运动（扩散电流）（一）漂移电流（driftcurrent）

在电子浓度为n,空穴浓度为p的半导体两端外加电压V，在电场E的作用下，空穴将沿电场方向运动，电子将沿与电场相反方向运动：EV●●●●●○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○○●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●第十九页，共66页。(二）扩散电流（diffusioncurrent）光照N型半导体x●●●●●●●○○○○○●●●n

(x)p

(x)载流子浓度热平衡值热平衡值x●●●●●●●○○○○○●●●●●●●●●●○○○○○●●●●●●●●●●○○○○○●●●第二十页，共66页。讨论作业题对半导体能带结构的认识？对半导体载流子的认识？第二十一页，共66页。Ix=I0(1-r)e-αx光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律：

Ix：距离表面x远处的光强I0：入射光强r：材料表面的反射率α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关半导体对光的吸收第二十二页，共66页。本征吸收

半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带，在价带中留下空穴，产生等量的电子与空穴，这种吸收过程叫本征吸收。

产生本征吸收的条件：入射光子的能量（hν）至少要等于材料的禁带宽度Eg。

第二十三页，共66页。几种重要半导体材料的波长阈值材料温度/KEg/eVλ/μm材料温度/KEg/eVλ/μmSe3001.80.69InSb3000.186.9Ge3000.811.5GaAs3001.350.92Si2901.091.1Gap3002.240.55PbS2950.432.9

第二十四页，共66页。半导体对光的吸收主要是本征吸收。对于硅材料，本征吸收的吸收系数比非本征吸收的吸收系数要大几十倍到几万倍，一般照明下只考虑本征吸收，可认为硅对波长大于1.15μm的可见光透明。

第二十五页，共66页。非本征吸收包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收和晶格吸收等。

非本征吸收

杂质能级上的电子（或空穴）吸收光子能量从杂质能级跃迁到导带（空穴跃迁到价带），这种吸收称为杂质吸收。杂质吸收的波长阈值多在红外区或远红外区。杂质吸收自由载流子吸收

导带内的电子或价带内的空穴也能吸收光子能量，使它在本能带内由低能级迁移到高能级，这种吸收称为自由载流子吸收，表现为红外吸收。

第二十六页，共66页。激子吸收

价带中的电子吸收小于禁带宽度的光子能量也能离开价带，但因能量不够还不能跃迁到导带成为自由电子。这时，电子实际还与空穴保持着库仑力的相互作用，形成一个电中性系统，称为激子。能产生激子的光吸收称为激子吸收。这种吸收的光谱多密集与本征吸收波长阈值的红外一侧。晶格吸收

半导体原子能吸收能量较低的光子，并将其能量直接变为晶格的振动能，从而在远红外区形成一个连续的吸收带，这种吸收称为晶格吸收。

第二十七页，共66页。半导体的特性半导体电阻温度系数一般是负的，而且对温度变化非常敏感。根据这一特性，热电探测器件。导电性受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。（纯净Si在室温下电导率为5*10-6/(欧姆•厘米)。掺入硅原子数百万分之一的杂质时，电导率为2/(欧姆•厘米))半导体导电能力及性质受光、电、磁等作用的影响。第二十八页，共66页。光电效应本世纪最伟大的科学家之一爱因斯坦以他在1905年发表的相对论而闻名于世，而他在1921年获得诺贝尔奖是由于他对发现光电效应的贡献。

第二十九页，共66页。光电效应光照射到物体表面上使物体发射电子、或导电率发生变化、或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性发生改变统称为光电效应光电效应包括外光电效应和内光电效应第三十页，共66页。外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象第三十一页，共66页。光电导效应

半导体无光照时为暗态，此时材料具有暗电导；有光照时为亮态，此时具有亮电导。如果给半导体材料外加电压，通过的电流有暗电流与亮电流之分。亮电导与暗电导之差称为光电导，亮电流与暗电流之差称为光电流。

第三十二页，共66页。暗态下

Gd=σd·A/L,

Id=GdU=σd·AU/L亮态下

Gl=σl·A/L,

Il=GlU=σl·AU/L亮态与暗态之差

Gp=Gl-Gd=(σl-σd）·A/L=Δσ·A/L

Ip=Il-Id=(Gl-Gd）·U=Δσ·AU/LA：半导体材料横截面面积L：半导体材料长度I：电流U：外加电压G：电导σ：电导率Δσ：光致电导率的变化量下标d代表暗，l代表亮，p代表光。第三十三页，共66页。光电导弛豫过程光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流是要经过一定时间的。同样光照停止后光电流也是逐渐消失的。这些现象称为弛豫过程或惰性。

第三十四页，共66页。PN结将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。是二极管、三极管、集成电路和其它结型光电器件最基本的结构单元。第三十五页，共66页。一PN结的动态平衡过程和接触电位消弱内建电场ENP++++++++++++++++----------------ENP++++++++++++++++----------------热平衡（动态平衡）第三十六页，共66页。当P-N结受光照时，样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对（少子）扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。这导致在N区边界附近有光生电子积累，在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区。此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差，P端正，N端负。于是有结电流由P区流向N区，其方向与光电流相反。

第三十七页，共66页。光生伏特效应

光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。PN结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射PN结时，由于内建场的作用（不加外电场），光生电子拉向n区，光生空穴拉向p区，相当于PN结上加一个正电压。半导体内部产生电动势（光生电压）；如将PN结短路，则会出现电流（光生电流）。第三十八页，共66页。光热效应光热效应：材料受光照射后，光子能量与晶格相互作用，振动加剧，温度升高，材料的性质发生变化．热释电效应：介质的极化强度随温度变化而变化，引起电荷表面电荷变化的现象．辐射热计效应：入射光的照射使材料由于受热而造成电阻率变化的现象．温差电效应：由两种材料制成的结点出现稳差而在两结点间产生电动势，回路中产生电流．第三十九页，共66页。光电检测器件光子器件热电器件真空器件固体器件光电管光电倍增管真空摄像管变像管像增强管光敏电阻光电池光电二极管光电三极管光纤传感器电荷耦合器件CCD热电偶/热电堆热辐射计/热敏电阻热释电探测器第四十页，共66页。噪声特性在一定波长的光照下光电探测器输出的电信号并不是平直的，而是在平均值上下随机地起伏，它实质上就是物理量围绕其平均值的涨落现象。用均方噪声来表示噪声值大小第四十一页，共66页。把均方噪声进行频谱分析两种典型的噪声白噪声1/f噪声第四十二页，共66页。噪声在实际的光电探测系统中是极其有害的。由于噪声总是与有用信号混在一起，因而影响对信号特别是微弱信号的正确探测。一个光电探测系统的极限探测能力往往受探测系统的噪声所限制。所以在精密测量、通信、自动控制等领域，减小和消除噪声是十分重要的问题。第四十三页，共66页。光电探测器常见的噪声热噪声散粒噪声产生-复合噪声1/f噪声第四十四页，共66页。1、热噪声或称约翰逊噪声，即载流子无规则的热运动造成的噪声。导体或半导体中每一电子都携带着电子电量作随机运动(相当于微电脉冲)，尽管其平均值为零，但瞬时电流扰动在导体两端会产生一个均方根电压，称为热噪声电压。热噪声存在于任何电阻中，热噪声与温度成正比，与频率无关，热噪声又称为白噪声K玻尔兹曼常数；T绝对温度R器件电阻值；Δf所取的带宽。第四十五页，共66页。2、散粒噪声散粒噪声：入射到光探测器表面的光子是随机的，光电子从光电阴极表面逸出是随机的，PN结中通过结区的载流子数也是随机的。散粒噪声也是白噪声，与频率无关。散粒噪声是光电探测器的固有特性，对大多数光电探测器的研究表明：散粒噪声具有支配地位。例如光伏器件的PN结势垒是产生散粒噪声的主要原因。Q电子电荷；I器件输出的平均电流Δf所取的带宽。第四十六页，共66页。3、产生-复合噪声半导体受光照，载流子不断产生-复合。在平衡状态时，在载流子产生和复合的平均数是一定的但在某一瞬间载流子的产生数和复合数是有起伏的。载流子浓度的起伏引起半导体电导率的起伏。I总的平均电流；No总的自由载流子Δf所取的带宽；τ载流子寿命F测量噪声的频率第四十七页，共66页。4、1/f噪声或称闪烁噪声或低频噪声。产生机理比较复杂，目前没有精确解释噪声的功率近似与频率成反比与器件表面状态有关多数器件的1/f噪声在200~300Hz以上已衰减到可忽略不计。α接近于2；β接近于0.8～1.5之间；c是比例常数；第四十八页，共66页。当频率很低时，1/f噪声主导当频率中间时，产生－复合噪声显著当频率很高时，白噪声占主导地位第四十九页，共66页。以上噪声都与等效噪声带宽Δf有关光电系统中的放大器或网络的增益为A(f)第五十页，共66页。光电探测器的特征参数响应率光谱响应率等效噪声功率探测率与比探测率时间常数线性第五十一页，共66页。一、响应特性１．响应率（或称灵敏度）：是光电探测器输出信号（电压Us，电流Is）与输入光功率(Φe)之间关系的度量。描述的是光电探测器件的光电转换效率。响应度是随入射光波长变化而变化的响应度分电压响应率和电流响应率第五十二页，共66页。２．光谱响应度：探测器在波长为λ的单色光照射下，输出电压或电流与入射的单色光功率之比．Sv(λ)或者SI(λ)随波长变化的关系成为探测器的光谱响应曲线。第五十三页，共66页。3．响应时间（时间常数）：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数。上升时间：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。下降时间：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。第五十四页，共66页。探测器的输出上升达到稳定值的63％所需的时间或者下降到稳定值的37％所需的时间称为探测器的时间常数。第五十五页，共66页。4、信噪比

Signal-to-noiseratio

信噪比是判定噪声大小的参数。是负载电阻上信号功率与噪声功率之比若用分贝（dB）表示，为第五十六页，共66页。5、噪声等效功率(NEP)

Noise-equivalentpower

定义：信号功率与噪声功率比为1（SNR=1）时，入射到探测器件上的辐射通量(单位为瓦)。这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流）一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。第五十七页，共66页。噪声等效功率是一个可测量的量。设入射辐射的功率为P，测得的输出电压为U0然后除去辐射源，测得探测器的噪声电压为UN则按比例计算，要使U0＝UN，的辐射功率为第五十八页，共66页。6、探测率与归一化探测率探测率D定义为噪声等效功率的倒数