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文档简介
工程电磁场第一章第1页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.0序静电场是相对观察者静止且量值不随时间变化的电荷所产生的电场。它是电磁理论最基本的内容。由此建立的物理概念、分析方法在一定条件下可应用推广到恒定电场,恒定磁场及时变场。本章要求
深刻理解电场强度、电位移矢量、电位、极化等概念。掌握静电场基本方程和分界面衔接条件。掌握电位的边值问题及其解法。熟练掌握电场、电位、电容、能量、力的各种计算方法。Introduction下页上页返回第2页,共138页,2023年,2月20日,星期一静电参数(电容及部分电容)静电能量与力有限差分法镜像法,电轴法分离变量法直接积分法数值法解析法边值问题边界条件电位基本方程D
的散度基本物理量E、D基本实验定律(库仑定律)静电场知识结构E
的旋度下页上页返回第3页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.1.1库仑定律(Coulomb’sLow)ElectricFieldIntensityandElectricPotentialN(牛顿)适用条件:库仑定律1.1电场强度和电位图1.1.1两点电荷间的作用力点电荷之间的作用力靠什么来传递?思考两个可视为点电荷的带电体之间的相互作用力;真空中的介电常数F/m下页上页返回第4页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.1.2电场强度(ElectricIntensity)V/m(N/C)
定义:电场强度E等于单位正电荷所受的电场力F(a)单个点电荷产生的电场强度V/m图1.1.2点电荷的电场一般表达式为下页上页返回第5页,共138页,2023年,2月20日,星期一
(b)
n个点电荷产生的电场强度(矢量叠加原理)(c)连续分布电荷产生的电场强度图1.1.4体电荷的电场图1.1.3矢量叠加原理元电荷产生的电场,,下页上页返回第6页,共138页,2023年,2月20日,星期一线电荷分布体电荷分布面电荷分布下页上页返回第7页,共138页,2023年,2月20日,星期一解:轴对称场,圆柱坐标系。
例1.1.1真空中有一长为L的均匀带电直导线,电荷线密度为,试求P
点的电场。下页上页返回图1.1.5带电长直导线的电场xx第8页,共138页,2023年,2月20日,星期一无限长直导线产生的电场平行平面场。0下页上页返回第9页,共138页,2023年,2月20日,星期一矢量积分与标量积分;
点电荷是电荷体分布的极限情况,可以把它看成是一个体积很小,电荷密度为,总电量不变的带电小球体。基本概念平行平面场与轴对称场;点电荷的相对概念和数学模型下页上页返回第10页,共138页,2023年,2月20日,星期一矢量恒等式故静电场是无旋场1.静电场的旋度1.1.3旋度和环路定律(CurlandCircuitalLaw)点电荷电场取旋度0下页上页返回第11页,共138页,2023年,2月20日,星期一2.静电场的环路定律电场力作功与路径无关,静电场是保守场,是无旋场。由Stokes’定理,静电场在任一闭合环路的环量说明即下页上页返回第12页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.1.4电位函数(ElectricPotential)负号表示电场强度的方向从高电位指向低电位。在直角坐标系中1.
E与的微分关系矢量恒等式由根据E与的微分关系,试问静电场中的某一点()()??下页上页返回所以第13页,共138页,2023年,2月20日,星期一2.已知电荷求电位点电荷群连续分布电荷以点电荷为例式中相应的积分原域下页上页返回第14页,共138页,2023年,2月20日,星期一3.与E的积分关系图1.1.6E与的积分关系线积分式中设P0为电位参考点,即,则P点电位为所以下页上页返回第15页,共138页,2023年,2月20日,星期一4.电位参考点例如:点电荷产生的电位:点电荷所在处不能作为参考点场中任意两点之间的电位差与参考点无关。选择参考点尽可能使电位表达式比较简单。电位参考点可任意选择,但同一问题,一般只能选取一个参考点。下页上页返回第16页,共138页,2023年,2月20日,星期一电荷分布在有限区域时,选择无穷远处为参考点。电荷分布在无穷远区时,选择有限远处为参考点,
为什么?见参考书《电磁学专题研究》P591~P597下页上页返回第17页,共138页,2023年,2月20日,星期一5)电力线与等位线(面)E
线微分方程直角坐标系当取不同的C值时,可得到不同的等位线(面)。等位线(面)方程曲线上任一点的切线方向是该点电场强度E
的方向。电位相等的点连成的曲面称为等位面。1.1.7电力线方程下页上页返回第18页,共138页,2023年,2月20日,星期一解:在球坐标系中所以用二项式展开,又有r>>d,得例1.2.1
画出电偶极子的等位线和电力线(r>>d)。图1.1.8电偶极子下页上页返回第19页,共138页,2023年,2月20日,星期一电力线方程(球坐标系):等位线方程(球坐标系):将和代入E线方程表示电偶极矩(dipolemoment),方向由-q指向+q。图1.1.9电偶极子的等位线和电力线下页上页返回第20页,共138页,2023年,2月20日,星期一电力线与等位线(面)的性质:图1.1.10点电荷与接地导体的电场图1.1.11点电荷与不接地导体的电场E线不能相交,等线不能相交;E线起始于正电荷,终止于负电荷;E线愈密处,场强愈大;E线与等位线(面)正交;下页上页返回第21页,共138页,2023年,2月20日,星期一图1.1.12介质球在均匀电场中图1.1.13导体球在均匀电场中图1.1.14点电荷位于无限大介质上方图1.1.15点电荷位于无限大导板上方下页上页返回第22页,共138页,2023年,2月20日,星期一作散度运算1.2.1真空中的高斯定律(Gauss’sTheoreminVacuum)高斯定律的微分形式1.E的散度说明静电场是有源场,电荷是电场的通量源。1.2高斯定律Gauss’sTheorem下页上页返回第23页,共138页,2023年,2月20日,星期一2.E的通量图1.2.1闭合曲面的电通量图1.2.2闭合面外的电荷对场的影响散度定理
S面上的E是由系统中全部电荷产生的。
E的通量等于闭合面S
包围的净电荷。下页上页返回第24页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.2.2.电介质中的高斯定律(Gauss’sTheoreminDielectric)1.静电场中导体的性质导体内电场强度E为零,静电平衡;导体是等位体,导体表面为等位面;电场强度垂直于导体表面,电荷分布在导体表面,接地导体都不带电。()一导体的电位为零,则该导体不带电。()任何导体,只要它们带电量不变,则其电位是不
变的。()下页上页返回第25页,共138页,2023年,2月20日,星期一无极性分子有极性分子图1.2.3电介质的极化2.静电场中的电介质电介质在外电场作用下发生极化,形成有向排列;电介质内部和表面产生极化电荷(polarizedcharge);极化电荷与自由电荷都是产生电场的源。下页上页返回EE第26页,共138页,2023年,2月20日,星期一极化强度P(polarizationintensity
)表示电介质的极化程度,即C/m2电偶极矩体密度实验结果表明,在各向同性、线性、均匀介质中—电介质的极化率
各向同性媒质媒质特性不随电场的方向改变,反之,称为各向异性媒质;
线性媒质媒质参数不随电场的值而变化,反之,称为非线性媒质;
均匀媒质媒质参数不随空间坐标而变化,反之,称为非均匀媒质。下页上页返回第27页,共138页,2023年,2月20日,星期一极化强度P
是电偶极矩体密度,单个电偶极子产生的电位体积V内电偶极子产生的电位3.极化强度与极化电荷的关系图1.2.4电偶极子产生的电位下页上页返回第28页,共138页,2023年,2月20日,星期一矢量恒等式:下页上页返回图1.2.5体积V内电偶极矩产生的电位第29页,共138页,2023年,2月20日,星期一令极化电荷体密度极化电荷面密度下页上页返回第30页,共138页,2023年,2月20日,星期一思考根据电荷守恒定律,极化电荷的总和为零电介质均匀极化时,极化电荷体密度有电介质时,场量为下页上页返回第31页,共138页,2023年,2月20日,星期一4.电介质中的高斯定律定义—电位移矢量(displacementvector)所以高斯定律的微分形式取体积分有高斯定律的积分形式下页上页返回第32页,共138页,2023年,2月20日,星期一在各向同性介质中—介电常数F/m其中—相对介电常数,无量纲量。构成方程下页上页返回第33页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.2.1平板电容器中有一块介质,画出D、E和P线分布。图1.2.6D、E与P
三者之间的关系D线E线P线思考D线由正的自由电荷出发,终止于负的自由电荷;E线由正电荷出发,终止于负电荷;P线由负的极化电荷出发,终止于正的极化电荷。电介质内部的电场强度是否减少了?下页上页返回第34页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.2.2若点电荷±q分别置于金属球壳内外,问(1)穿过闭合面(金属球壳)的D通量是多少?(2)闭合面上的D与-q有关吗?(3)若在金属球壳外放置电介质,重问1),闭合面上的D
与电介质有关吗?下页上页返回图1.2.7点电荷±q分别置于金属球壳的内外第35页,共138页,2023年,2月20日,星期一计算技巧:a)分析场分布的对称性,判断能否用高斯定律求解。b)选择适当的闭合面作为高斯面,使
中的D可作为常数提出积分号外。
高斯定律适用于任何情况,但仅具有一定对称性的场才有解析解。5.高斯定律的应用下页上页返回第36页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.2.3试求电荷线密度为的无限长均匀带电体的电场。解:分析场分布,取圆柱坐标系由得下页上页返回图1.2.8无限长均匀带电体第37页,共138页,2023年,2月20日,星期一球壳内的电场球壳外的电场例1.2.4哪些区域的电场能用高斯定律直接求解?下页上页返回图1.2.10±q分别在金属球内外图1.2.9q在金属球壳内第38页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.3基本方程、分界面上的衔接条件1.3.1基本方程(BasicEquation)静电场是有源无旋场,静止电荷是静电场的源。BasicEquationandBoundaryCondition静电场的基本方程为微分形式积分形式构成方程下页上页返回第39页,共138页,2023年,2月20日,星期一矢量A
可以表示一个静电场。能否根据矢量场的散度判断该场是否静电场?例1.3.1已知试判断它能否表示静电场?解:根据静电场的旋度恒等于零的性质,思考下页上页返回第40页,共138页,2023年,2月20日,星期一包围点P作高斯面()。1.3.2分界面上的衔接条件(BoundaryCondition)1.D的衔接条件则有根据图1.3.1介质分界面D的法向分量不连续当时,
D的法向分量连续。下页上页返回第41页,共138页,2023年,2月20日,星期一2.E的衔接条件围绕点P作一矩形回路()。
E的切向分量连续。根据则有3.折射定理当交界面上时,折射定律下页上页返回图1.3.2介质分界面第42页,共138页,2023年,2月20日,星期一4、的衔接条件设P1与P2位于分界面两侧,
因此电位连续得电位的法向导数不连续由,其中图1.3.3电位的衔接条件下页上页返回第43页,共138页,2023年,2月20日,星期一说明
(1)导体表面是等位面,E线与导体表面垂直;图1.3.4导体与电介质分界面例1.3.2试写出导体与电介质分界面上的衔接条件。
解:分界面衔接条件导体中E=0,分解面介质侧(2)导体表面上任一点的D等于该点的。下页上页返回第44页,共138页,2023年,2月20日,星期一解:忽略边缘效应图(a)图(b)例1.3.3试求两个平行板电容器的电场强度。下页上页返回图1.3.5平行板电容器第45页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.4边值问题、惟一性定理1.4.1泊松方程与拉普拉斯方程
(Poisson’sEquationandLaplace’sEquation)泊松方程—拉普拉斯算子BoundaryValueProblemandUniquenessTheorem拉普拉斯方程当r=0时下页上页返回第46页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.4.2边值问题(BoundaryProblem)边值问题微分方程边界条件初始条件场域边界条件(待讲)分界面衔接条件强制边界条件有限值自然边界条件有限值泊松方程拉普拉斯方程下页上页返回第47页,共138页,2023年,2月20日,星期一场域边界条件1)第一类边界条件(狄里赫利条件,Dirichlet)2)第二类边界条件(诺依曼条件Neumann)3)第三类边界条件已知边界上电位及电位法向导数的线性组合已知边界上导体的电位已知边界上电位的法向导数(即电荷面密度或电力线)下页上页返回第48页,共138页,2023年,2月20日,星期一有限差分法有限元法边界元法矩量法积分方程法积分法分离变量法镜像法、电轴法微分方程法保角变换法计算法实验法解析法数值法实测法模拟法边值问题下页上页返回第49页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.4.2试写出长直同轴电缆中静电场的边值问题。解:根据场分布的对称性确定计算场域,边值问题(阴影区域)下页上页返回图1.4.1缆心为正方形的同轴电缆第50页,共138页,2023年,2月20日,星期一通解例1.4.3试求体电荷产生的电位及电场。解:采用球坐标系,分区域建立方程边界条件参考电位下页上页返回图1.4.2体电荷分布的球体第51页,共138页,2023年,2月20日,星期一电场强度(球坐标梯度公式):得到图1.4.3随r变化曲线下页上页返回第52页,共138页,2023年,2月20日,星期一答案:(C)1.4.3惟一性定理(UniquenessTheorem)例1.4.4图示平板电容器的电位,哪一个解答正确?惟一性定理
:
在静电场中,满足给定边界条件的电位微分方程的解是惟一的。下页上页返回图1.4.4平板电容器外加电源U0第53页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.5分离变量法分离变量法采用正交坐标系,将变量分离后得到微分方程的通解,当场域边界与正交坐标面重合或平行时,才可确定积分常数,得到边值问题的解。1.5.1解题的一般步骤:SeparationVariableMethod分离变量,将偏微分方程分离成几个常微分方程;解常微分方程,并叠加得到通解;写出边值问题(微分方程和边界条件);利用边界条件确定积分常数,最终得到电位的解。下页上页返回第54页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.5.1试求长直接地金属槽内电位的分布。解:
边值问题1.5.2应用实例1.直角坐标系中的分离变量法(二维场)(D域内)下页上页返回图1.5.1接地金属槽的截面y第55页,共138页,2023年,2月20日,星期一分离变量设-分离常数,代入微分方程,下页上页返回第56页,共138页,2023年,2月20日,星期一代入边界条件,确定积分常数
通解沿x方向作正弦变化,下页上页返回图1.5.2双曲函数第57页,共138页,2023年,2月20日,星期一比较系数当时,当时,下页上页返回第58页,共138页,2023年,2月20日,星期一若金属槽盖电位,再求槽内电位分布通解等式两端同乘以,然后从积分左式当
时,下页上页返回第59页,共138页,2023年,2月20日,星期一右式=代入式(1)代入通解n=奇数下页上页返回图1.5.3接地金属槽内的等位线分布第60页,共138页,2023年,2月20日,星期一
解:取圆柱坐标系,边值问题根据对称性例1.5.2垂直于均匀电场E放置一根无限长均匀介质圆柱棒,试求圆柱内外和E
的分布。下页上页返回图1.5.4均匀电场中的介质圆柱棒第61页,共138页,2023年,2月20日,星期一当时,当时,代入微分方程分离变量,设通解取n2=常数,令下页上页返回第62页,共138页,2023年,2月20日,星期一根据,比较系数得到当时,根据利用给定边界条件确定积分常数当时,通解根据得到下页上页返回第63页,共138页,2023年,2月20日,星期一比较系数当n=1时,当时,An=Bn=0,则最终解由分界面的衔接条件,得下页上页返回第64页,共138页,2023年,2月20日,星期一图1.5.5均匀外电场中介质圆柱内外的电场介质柱内电场均匀,并与外加电场E0
平行,且E2<E1
。下页上页返回第65页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.6有限差分法1.6.1二维泊松方程的差分格式
(DifferenceFormof2DPoisson’sEquation)(1)二维静电场边值问题FiniteDifferenceMethod
基本思想:将场域离散为许多网格,应用差分原理,将求解连续函数的微分方程问题转换为求解网格节点上的代数方程组的问题。(2)下页上页返回1.6.1有限差分的网格分割第66页,共138页,2023年,2月20日,星期一令h=x-x0,将x=x1和x3分别代入式(3)(4)(5)(3)由式(4)+(5)(6)(7)同理,沿x方向在x0处的泰勒公式展开为下页上页返回第67页,共138页,2023年,2月20日,星期一将式(6)、式(7)代入式(1),得到当场域中即即若场域离散为矩形网格,差分格式为1.6.2矩形网格剖分五点差分格式下页上页返回第68页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.6.2边界条件离散化(DiscreteBoundaryCondition)第二类边界条件第一类边界条件
分界面衔接条件对称边界条件
其中图1.6.5介质分界面下页上页返回图1.6.3对称边界图1.6.4对称分界第69页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.6.3差分方程组的求解方法(SolutionMethod)1、高斯—赛德尔迭代法式中:迭代过程直到节点电位满足为止。2、超松弛迭代法式中:a
—加速收敛因子(1<a<2)下页上页返回图1.6.5网格编号第70页,共138页,2023年,2月20日,星期一收敛速度与a有明显关系:
收敛因子(a)1.01.71.81.831.851.871.92.0迭代次数(N)>1000269174143122133171发散最佳收敛因子的经验公式(不唯一)(正方形场域、正方形网格)(矩形场域、正方形网格)收敛速度与电位初始值及网格剖分粗细有关;迭代次数与工程精度有关。下页上页返回第71页,共138页,2023年,2月20日,星期一边界节点赋已知电位值赋节点电位初始值累计迭代次数N=0N=N+1按超松弛法进行一次迭代,求打印NY程序框图下页上页返回第72页,共138页,2023年,2月20日,星期一上机作业要求:1.试用超松弛迭代法求解接地金属槽内电位的分布。给定边值:如图示;已知:计算:迭代次数N=?,分布。给定初值:误差范围:下页上页返回图1.6.6接地金属槽的网格剖分第73页,共138页,2023年,2月20日,星期一给定边值:如图示;已知:2.按对称场差分格式求解电位的分布计算:1)迭代次数N=?,分布;给定初值:误差范围:2)按电位差画出槽中等位线。下页上页返回图1.6.7接地金属槽内半场域的网格剖分第74页,共138页,2023年,2月20日,星期一3.选做题已知:无限长矩形屏蔽空腔中长直矩形导体的横截面如图示,且给定参数为图1.6.8无限长矩形屏蔽空腔中长直矩形导体的横截面要求用超松弛选代法求解无限长矩形屏蔽空腔
中长直矩形导体周围的电位分布;画出屏蔽腔中矩形导体周围等位线分布;下页上页返回第75页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.7镜像法与电轴法1.7.1镜像法(ImageMethod)1.平面导体的镜像图1.7.1平面导体的镜像
ImageMethodandElectricAxisMethod方程相同,边界条件相同,解惟一。下页上页返回空气中除点电荷外,a上半场域除点电荷外b第76页,共138页,2023年,2月20日,星期一地面上感应电荷的总量为(方向指向地面)例1.7.1试求空气中点电荷q在地面引起的感应电荷分布。解:设点电荷q
镜像后图1.7.2地面电荷分布下页上页返回第77页,共138页,2023年,2月20日,星期一2.球面导体的镜像点电荷位于接地导体球外的边值问题(除q点外的空间)设镜像电荷如图,球面电位下页上页返回图1.7.3点电荷对接地导体球的镜像第78页,共138页,2023年,2月20日,星期一将r1,r2代入方程,得联立求解得到镜像电荷位置镜像电荷大小下页上页返回第79页,共138页,2023年,2月20日,星期一球外任一点P的电位与电场为图1.7.5球外的电场分布镜像电荷放在当前求解的场域外。镜像电荷等于负的感应电荷总量。图1.7.4球外的电场计算下页上页返回第80页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.7.2不接地金属球附近放置点电荷q的电场分布。则任一点场强解:边值问题(除q点外的空间)通量为零(大小相等)球面等位(位于球心)思路图1.7.6不接地金属球的镜像下页上页返回第81页,共138页,2023年,2月20日,星期一
用镜像法求解下列问题,试确定镜像电荷的个数,大小与位置。图1.7.7点电荷位于不接地导体球附近的场图任一点电位球面电位思考下页上页返回图1.7.8点电荷对导体球面的镜像第82页,共138页,2023年,2月20日,星期一3.不同介质分界面的镜像根据惟一性定理图1.7.9点电荷对无限大介质分界面的镜像和解得下页上页返回第83页,共138页,2023年,2月20日,星期一图1.7.10电场分布图试确定下图镜像电荷的个数、大小与位置。思考题:中的电场由q与q’共同产生,q’等效替代极化电荷的影响。
中的电场由q”决定,q”等效替代自由电荷与极化电荷的作用。图1.7.11点电荷q1
与q2
分别置于与区域中思考下页上页返回提示第84页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.7.2电轴法(ElectricAxisMethod)(导线以外的空间)能否用高斯定律求解?思考边值问题下页上页返回1.7.12长直平行双传输线第85页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.两根细导线产生的电位以y轴为参考电位,C=0,则令:C,等位线方程图1.7.13两根带电细导线下页上页返回第86页,共138页,2023年,2月20日,星期一K取不同值时,得到一族偏心圆。a、h、b满足关系整理后,等位线方程圆心坐标圆半径图1.7.14两根细导线的等位线下页上页返回第87页,共138页,2023年,2月20日,星期一根据,得到Ex和Ey分量图1.7.15两细导线的场图E
线方程思考若在任一等位面上放一无厚度的金属圆柱壳,
是否会影响电场分布?若在金属圆柱管内填充金属,重答上问。下页上页返回第88页,共138页,2023年,2月20日,星期一2.电轴法(以y轴为参考电位)例1.7.3试求两带电长直平行传输线的电场及电位分布。b)圆柱导线间的电场与电位解:a)取圆柱坐标系电轴位置下页上页返回图1.7.16平行传输线电场的计算第89页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.7.4试决定图示不同半径平行长直导线的电轴位置。图1.7.17不同半径传输线的电轴位置解:下页上页返回第90页,共138页,2023年,2月20日,星期一1)参考电位的位置;2)有效区域。解:确定例1.7.5试确定图示偏心电缆的电轴位置。注意:图1.7.18偏心电缆电轴位置下页上页返回第91页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.7.6已知平行传输线之间电压为U0,试求电位分布。解:
确定电轴的位置所以设电轴线电荷,任一点电位下页上页返回图1.7.19电压为U0的传输线
第92页,共138页,2023年,2月20日,星期一镜像法(电轴法)小结
镜像法(电轴法)的理论基础是:镜像法(电轴法)的实质是:镜像法(电轴法)的关键是:镜像电荷(电轴)只能放在待求场域以外的区域。叠加时,要注意场的适用区域。
用虚设的镜像电荷(电轴)替代未知电荷的分布,使计算场域为无限大均匀媒质;静电场惟一性定理;确定镜像电荷(电轴)的个数、大小及位置;应用镜像法(电轴法)解题时,注意:下页上页返回第93页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.8.1电容器的电容(CapacitanceofCapacitor)CapacitanceandDistributedCapacitance1.8电容及部分电容定义:单位:电容只与两导体的几何尺寸、相互位置及周围的介质有关。工程上的电容器:电力电容器,电子线路用的各种小电容器。电容的计算思路:设下页上页返回第94页,共138页,2023年,2月20日,星期一解:设内导体的电荷为q,则同心球壳间的电压球形电容器的电容当时(孤立导体球的电容)
例1.8.1试求同心球壳电容器的电容。下页上页返回图1.8.1同心球壳电容器第95页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.8.2部分(分布)电容(DistributedCapacitance)1.已知导体的电荷,求电位和电位系数图1.8.2三导体静电独立系统多导体系统静电独立系统部分电容基本概念下页上页返回第96页,共138页,2023年,2月20日,星期一导体的电位与电荷的关系为下页上页返回第97页,共138页,2023年,2月20日,星期一导体i电位的贡献;
ai
i
—自有电位系数,表明导体i上电荷对
a—电位系数,表明各导体电荷对各导体电位的贡献;
ai
j—互有电位系数,表明导体j上的电荷对导体i电位的贡献;下页上页返回矩阵形式第98页,共138页,2023年,2月20日,星期一2.已知带电导体的电位,求电荷和感应系数b—静电感应系数,表示导体电位对导体电荷的贡献;bii—自有感应系数,表示导体i电位对导体i电荷的贡献;bij—互有感应系数,表示导体j电位对导体i电荷的贡献。矩阵形式:下页上页返回第99页,共138页,2023年,2月20日,星期一3.已知带电导体间的电压,求电荷和部分电容矩阵形式部分电容的性质静电独立系统中n+1个导体有个部分电容Ci
j均为正值,下页上页返回第100页,共138页,2023年,2月20日,星期一部分电容是否为零,取决于两导体之间有否电力
线相连;
部分电容可将场的概念与电路结合起来。下页上页返回图1.8.3部分电容与电容网络第101页,共138页,2023年,2月20日,星期一
例1.8.2试计算考虑大地影响时,两线传输线的部分电容及等效电容。已知d>>a,且a<<h。解:部分电容个数由对称性,得(1)图1.8.4两线输电线及其电容网络下页上页返回第102页,共138页,2023年,2月20日,星期一电容与带电量无关,故则利用镜像法,两导体的电位代入式(2),得(2)下页上页返回图1.8.5两线输电线对大地的镜像第103页,共138页,2023年,2月20日,星期一联立解得两线间的等效电容:下页上页返回第104页,共138页,2023年,2月20日,星期一所以静电屏蔽在工程上有广泛应用。图1.8.6静电屏蔽
三导体系统的方程为:
4.静电屏蔽当时,说明1号与2号导体之间无静电联系,实现了静电屏蔽。下页上页返回第105页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.9静电能量与力1.9.1静电能量(ElectrostaticEnergy)ElectrostaticEnergyandForce1.用场源表示静电能量q3从移到c点,所需能量q2从移到b点,需克服q1的电场力做功,q1从移到a点不受力,所需能量W1=0,下页上页返回图1.9.1点电荷的能量第106页,共138页,2023年,2月20日,星期一总能量推广1:若有n个点电荷的系统,静电能量为单位:J(焦耳)推广2:若是连续分布的电荷,下页上页返回第107页,共138页,2023年,2月20日,星期一2.用场量表示静电能量矢量恒等式能量密度因当时,面积分为零,故能量下页上页返回第108页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.9.1试求真空中体电荷密度为的介质球产生的静电能量。解法一
由场量求静电能量下页上页返回第109页,共138页,2023年,2月20日,星期一解法二
由场源求静电能量球内任一点的电位代入式(1)(1)下页上页返回第110页,共138页,2023年,2月20日,星期一
例1.9.2原子可看成由带正电荷q的原子核被体电荷分布的负电荷云-q包围,试求原子结合能。解:例1.9.1中当时下页上页返回图1.9.2原子结构模型第111页,共138页,2023年,2月20日,星期一1.9.2静电力(ElectrostaticForce)1.虚位移法(VirtualDisplacementMethod)功=广义力×广义坐标广义坐标距离面积体积角度广义力机械力表面张力压强转矩单位NN/mN/m2Nm广义力f:企图改变广义坐标的力。广义坐标g:距离、面积、体积、角度。下页上页返回力的方向:f的正方向为g增加的方向。第112页,共138页,2023年,2月20日,星期一(1)常电荷系统(K断开)表示取消外源后,电场力作功必须靠减少电场中静电能量来实现。在多导体系统中,导体p发生位移dg后,其功能关系为外源提供能量=
静电能量增量+电场力所作功即图1.9.3多导体系统(K断开)下页上页返回第113页,共138页,2023年,2月20日,星期一外源提供能量的增量
说明:外源提供的能量有一半用于静电能量的增量,另一半用于电场力做功。(2)常电位系统(K闭合)广义力是代数量,根据f的“±”号判断力的方向。图1.9.4多导体系统(K闭合)下页上页返回第114页,共138页,2023年,2月20日,星期一解法一:常电位系统例1.9.3试求图示平行板电容器极板的电场力。图1.9.5平行板电容器取d为广义坐标(相对位置坐标)负号表示电场力企图使d
减小,即电容增大。下页上页返回第115页,共138页,2023年,2月20日,星期一解法二:常电荷系统负号表示电场力企图使d
减小,即电容增大。下页上页返回第116页,共138页,2023年,2月20日,星期一例1.9.4图示一球形薄膜带电表面,半径为a
,其上带电荷为q,试求薄膜单位面积所受的电
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