第二讲芯片贴装与芯片互连

第二章芯片贴装与芯片互连现在是1页\一共有99页\编辑于星期二概述现在是2页\一共有99页\编辑于星期二概述硅片减薄芯片互连硅片切割芯片帖装成型技术打码去飞边毛刺上焊锡切筋成型芯片封装技术（一级）单晶硅棒现在是3页\一共有99页\编辑于星期二概述封装流程前段操作后段操作前段操作：1000净化级别净化级别：尘埃最允许数/立方米塑料封装现在是4页\一共有99页\编辑于星期二第二章芯片贴装与芯片互连2.1芯片制备2.2芯片贴装2.3芯片互连现在是5页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备现在是6页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备矽？晶圆？1961，菲尔查德在硅晶片上制造的第一个集成电路现在是7页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备现在是8页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备晶圆制备硅的提纯现在是9页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备晶圆制备硅的提纯现在是10页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备晶圆制备晶棒制备晶体生长技术：区熔法；布里曼生长法；CZ直拉法优点：工艺成熟，投量量；适于生长大直径单晶；缺点：不可避免来自坩埚及加热棒的污染.现在是11页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备晶棒制备现在是12页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备晶圆制备晶棒制备现在是13页\一共有99页\编辑于星期二2.芯片制备晶圆制备硅棒制备现在是14页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备晶圆制备硅棒制备现在是15页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备晶圆制备晶圆切片多线切割机现在是16页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备晶圆制备晶圆尺寸据国外媒体报道，三大巨头英特尔、三星和台积电本周宣布，他们将于2012年合作开发450mm晶圆的试生产；但是要研发450mm晶圆所需的设备，投资可能高达1000亿美元。8英寸（200mm）13英寸（300mm）18英寸（450mm）使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心。现在是17页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺临时性地涂覆光刻胶到硅片上；把设计图形最终转移到硅片上；IC制造中最重要的工艺；占用40-50%的芯片制造时间；决定着芯片的最终尺寸.现在是18页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺涂胶六甲基乙硅氮烷现在是19页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺曝光现在是20页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺显影后烘显影现在是21页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺湿法刻蚀干法刻蚀现在是22页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺刻蚀多晶硅现在是23页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺离子注入现在是24页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺现在是25页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备芯片切割DBG法（先划片后减薄）现在是26页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备芯片切割现在是27页\一共有99页\编辑于星期二2.1芯片制备芯片切割

现在是28页\一共有99页\编辑于星期二2.2芯片贴装芯片贴装（diemount/bonding/attachment)目的：实现芯片与底座（chipcarrier）的连接.要求：机械强度化学性能稳定导电、导热热匹配可操作性现在是29页\一共有99页\编辑于星期二2.2芯片贴装（diemount)2.2.1共晶粘贴法2.2.2焊接粘贴法2.2.3导电胶粘贴法2.2.4玻璃胶粘贴法现在是30页\一共有99页\编辑于星期二2.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法现在是31页\一共有99页\编辑于星期二2.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法润湿性的重要性；预型片的使用（Au-2%Si合金）；优点：金-硅共晶焊接机械强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高,高温性能好，不脆化。缺点：生产效率低，不适应高速自动化生产。现在是32页\一共有99页\编辑于星期二2.2芯片贴装2.2.2焊接粘贴法

所用气氛：热氮气工艺优点：热传导性好所用材料硬质焊料：金-硅、金-锡、金锗；（塑变应力高，抗疲劳抗潜变特性好）软质焊料：铅-锡、铅-锡-铟.现在是33页\一共有99页\编辑于星期二2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法三种导电胶：（1）各向同性材料；（2）导电硅橡胶；（3）各向异性导电聚合物。共同点：表面形成化学结合和导电功能。现在是34页\一共有99页\编辑于星期二2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法现在是35页\一共有99页\编辑于星期二2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法芯片粘结剂：环氧树脂；聚酰亚胺；硅氧烷聚酰亚胺。填充料：银颗粒或者银薄片（75-80%）使用考虑因素：流动性；粘着性；热传导性；电导性；玻璃化转变温度；吸水性.现在是36页\一共有99页\编辑于星期二2.2芯片贴装2.2.4玻璃胶粘贴法类似于银浆粘接技术，主要用于陶瓷封装需要严格控制烧结温度.优点：所得芯片封装无空隙、热稳定性优良、低结合应力以及湿气含量低；缺点：有机成分与溶剂必须除去，否则危害可靠性。现在是37页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)2.3.2载带自动键合技术(TAB)2.3.3倒装芯片键合技术(FCB/C4)芯片焊区芯片互连I/O引线半导体失效约有1/4-1/3是由芯片互连所引起，因此芯片互连对器件可靠性意义重大！！！现在是38页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连现在是39页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)主要的打线键合技术：.楔形接点球形接点超声波键合；热压键合；热超声波键合现在是40页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)频率：20-60kHz；振幅：20-200μm；冷焊？？？现在是41页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)现在是42页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)现在是43页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)打线键合的线材铝线：铝-1%硅合金；0.5-1%镁的铝线；铝镁硅合金或铝铜合金.金线：含5-100ppm铍含30-100ppm铜其他线材：银线，铜线PCB或封装不能加热的情况之下；间距小于60micron.用量超过90%间距大于60micron。现在是44页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)影响因素：金铝金属间化合物（AuAl2或Au5Al2)是主因；线材、键合点与金属间化合物之间的交互扩散产生的孔洞；其他，键合点金属化工艺与封装材料之间的反应，亦可生成金属间化合物。现在是45页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)键合拉力测试键合剪切力测试现在是46页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)焊接方法丝球焊超声楔焊现在是47页\一共有99页\编辑于星期二丝球焊现在是48页\一共有99页\编辑于星期二丝球焊工艺现在是49页\一共有99页\编辑于星期二丝球焊设备-自动化设备现在是50页\一共有99页\编辑于星期二丝球焊设备-半自动现在是51页\一共有99页\编辑于星期二劈刀端部形状-1现在是52页\一共有99页\编辑于星期二劈刀端部形状-2劈刀头部凹槽形状现在是53页\一共有99页\编辑于星期二第一键合点形状现在是54页\一共有99页\编辑于星期二第二键合点现在是55页\一共有99页\编辑于星期二完整的丝球焊键合现在是56页\一共有99页\编辑于星期二键合强度与超声频率的关系现在是57页\一共有99页\编辑于星期二超声楔焊现在是58页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术现在是59页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术2.3.2.2TAB技术的关键材料2.3.2.3TAB的特点现在是60页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术光刻胶做掩膜现在是61页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术现在是62页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术凸块转移技术现在是63页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（2）TAB载带制作技术单层带（Cu箔）--工艺简单；热稳定性好，价位低；不能做电性测试，容易变形。双层带（Cu-PI双层）；高温稳定性好，可作电性测试，电性能优良；价位高，亦弯曲，容易变形。三层带（Cu-粘贴剂-PI）--最为常用可作电性测试，适合大规模生产；价位高，不适用于高温键合。现在是64页\一共有99页\编辑于星期二载带上Cu箔引线的图形结构与制作工艺现在是65页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（3）载带引线和芯片凸点的内引线焊接与外引线焊接技术现在是66页\一共有99页\编辑于星期二热压组合键合方法现在是67页\一共有99页\编辑于星期二单点热压键合方法现在是68页\一共有99页\编辑于星期二激光键合现在是69页\一共有99页\编辑于星期二TAB外引线键合现在是70页\一共有99页\编辑于星期二2.3.2.2TAB技术的关键材料基带材料要求高温性能与Cu箔的粘接性、热匹配性好尺寸稳定；化学稳定性好；机械强度高材料聚酰亚胺(PI)薄膜，早期最广泛使用的材料，价格稍高聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)薄膜苯丙环丁稀(BCB)薄膜导体材料Cu箔与基带连接牢固；导热、导聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)薄膜苯丙环电性能好；易于电镀。厚度有18、35、70微米铝箔使用较少规格宽度以35mm最常用。另有70mm和158mm等规格。金属材料Au，Ni，Pb/Sn焊接材料芯片凸点金属材料Au，Cu/Au，Au/Sn，Pb/Sn现在是71页\一共有99页\编辑于星期二2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.3TAB的优点结构轻、薄、短、小；电极尺寸、电极与焊区的间距比WB大为减小；可容纳更多引脚，提高安装密度；可对IC芯片进行电老化、筛选和测试；焊点键合拉力比WB高3-10倍。现在是72页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术现在是73页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术封装结构现在是74页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术现在是75页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术现在是76页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术现在是77页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点结构现在是78页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-蒸发沉积凸点现在是79页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-电镀法现在是80页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-植球法现在是81页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-印刷凸点现在是82页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-钉头凸点现在是83页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-凸点转移法现在是84页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-微球法现在是85页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-微球法现在是86页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-TachydotsTM法现在是87页\一共有99页\编辑于星期二2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊倒装焊互连基板的金属焊区要求：焊区与芯片凸点金属具有良好的浸润性；基板焊区：Ag/Pd、Au、Cu(厚膜）Au、Ni、Cu（薄膜）现在是