大学物理II知到章节答案智慧树2023年武汉纺织大学

大学物理II知到章节测试答案智慧树2023年最新武汉纺织大学第一章测试如图所示，两个同心均匀带电球面，内球面半径为R1、带电量Q1，外球面半径为R2，带电量Q2，则在外球面外面、距离球心为r处的P点的场强大小E为：（

）

参考答案:

如图所示，两个同心的均匀带电球面，内球面半径为R1，带电量Q1，外球面半径为R2，带电量Q2。

设无穷远处为电势零点，则在两个球面之间，距离球心为r处的P的点电势为：(

)

参考答案:

空间某区域静电场的电场线分布如图、所示，现将电量为-q的点电荷由a点经任意路径移到b点，则在下列说法中，正确的是（

）

参考答案:

电势能Wa＜Wb，电场力作负功如图所示，A、B两点与O点分别相距5

cm和20

cm，场源电荷位于O点且Q=10-9C。若选无限远处为电势零点，则B点的电势VB为(

)

参考答案:

45

V

在点电荷+q的电场中，若取图中P点处电势为零点，则M点的电势为(

)

参考答案:

边长为a的正六边形每个顶点处有一个点电荷，取无限远处作为参考点，则O点电势和场强为(

)

参考答案:

电势为零，场强为零两个均匀带电的同心球面，半径分别为R1、R2(R1

**真空中静电场的高斯定理告诉我们

参考答案:

穿过高斯面的电场强度通量，仅与面内自然电荷有关静电场的环路定理表明静电场是：

参考答案:

保守场下列几个说法中哪一个是正确的

参考答案:

E=F/q0适用于点电荷及非点电荷电场第二章测试如图所示，一个不带电的空腔导体球壳，内半径为R，在腔内离球心的距离为d处（d＜R），固定一电量为+q的点电荷，用导线把球壳接地后，再把地线撤去。选无穷远处为电势零点，则球心O处的电势为：(

)

参考答案:

****一导体外充满相对电容率为εr的均匀介质，若测得导体表面附近的电场强度为E，则导体表面上的自由电荷密度为σ为(

)

参考答案:

一片二氧化钛晶片(εr=173)，其面积为1.0cm2，厚度为0.10mm。把平行平板电容器的两极板紧贴在晶片两侧。则电容器的电容为(ε0=8.85×10-12F·m-1)

参考答案:

1.53×10-9F静电场与导体的相互作用证明了电场作为物质的存在。

参考答案:

对对于带电的孤立导体球

参考答案:

导体内的场强为零，而电势为恒量关于有介质时的高斯定理，下列说法中正确的是

参考答案:

穿过高斯面的D通量与面内自由电荷有关，而穿过高斯面的E通量与高斯面内的自由电荷和束缚电荷均有关;若高斯面上的D处处为零，则面内自由电荷的代数和必为零极化电荷可以用接地的方法中和。

参考答案:

错一空气平行板电容器，充电后把电源断开，这时电容器中储存的能量为W0。然后在两极板之间充满相对介电常数为εr的各向性均匀电介质，则该电容器中储存的能量W为

参考答案:

W0/εr一空气平行板电容器，其电容值为C0，充电后将电源断开，其储存的电场能量为W0。今在两极板间充满相对介电常数为εr的各向同性均匀电介质，则此时电容值C=__________，储存的电场能量为W=__________。

参考答案:

εrC0，W0/εr避雷针是利用了尖端放电的原理。

参考答案:

对第三章测试通过任意有限曲面（不闭合）的磁通量表达式是（

）

参考答案:

****无限长载流直导线，电流为，则距离其为的该点的磁感应强度B为（

）

参考答案:

****对半径为的无限长载流圆柱体，求圆柱体内距轴线垂直距离为的磁感应强度B为（

）

参考答案:

****磁感应强度B的单位是

参考答案:

特斯拉磁感线与电场线都具有不相交性。

参考答案:

对磁场的高斯定理表明磁场是无源场。

参考答案:

对利用安培环路定理计算载流导线的磁场分布时，闭合回路的绕行方向一般选取与电流满足右螺旋。

参考答案:

对带电粒子在磁场中所受到的力是

参考答案:

洛伦兹力在均匀磁场中，带电粒子的速度v与磁感应强度B斜交，带电粒子作

参考答案:

螺旋运动霍耳效应可以用来判断半导体的类型和测量磁场。

参考答案:

对第四章测试麦克斯韦方程组是（

）

参考答案:

;

;;

如图所示，M、N为水平面内的两根平行金属导轨，ab与cd为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直导线，外磁场B垂直于水平面且向上，当外力使ab向右平移时，则cd的运动情况为

(

)

参考答案:

向右移动解析：利用楞次定律，cd运动趋势是阻碍磁通量的增加。法拉第电磁感应定律的表达式中，负号表现了感应电动势的方向，是楞次定律的体现。

参考答案:

对一长为L的铜棒，处在方向垂直于纸面向外，磁感应强度为B的均匀磁场中，沿逆时针方向绕O轴以角速度w转动。设转轴与B平行，则铜棒中所产生的动生电动势的大小为

参考答案:

BwL2/2激发感生电场的场源是

参考答案:

变化的磁场影响互感系数的因素有

参考答案:

两个线圈之间的相对位置;周围磁介质的磁导率;两个线圈的形状及大小对于各项同性的均匀介质，其磁导率为，则磁场的能量密度为

参考答案:

B2/2μ;BH/2;μH2/2位移电流的本质是变化的电场。

参考答案:

对感生电场和静电场均对电荷有力的作用，所以感生电场也是有源场。

参考答案:

错尺寸相同的铁环与铜环所包围的面积中，通以相同变化率的磁通量，环中

参考答案:

感应电动势相同，感应电流不同第五章测试光学仪器的分辨率与其孔径成正比，与入射波长成反比。

参考答案:

对光的偏振性证明了光是一种横波。

参考答案:

对如果单缝夫琅和费衍射的第1级暗纹发生在衍射角30°的方向上，所用单色光波长=500nm，则单缝宽为

参考答案:

1μm波长为600nm的单色平行光，垂直入射到缝宽为a=0.6mm的单缝上，缝后有一焦距f=60cm的透镜，在透镜焦平面上观察到衍射图样，则中央条纹的宽度为

参考答案:

1.2×10-3m三个偏振片P1、P2与P3堆叠在一起，P1与P3的偏振化方向相互垂直，P2与P1的偏振化方向间的夹角为45°，强度为I0的自然光入射于偏振片P1，并依次透过偏振片P1、P2与P3，则通过三个偏振片后的光强为

参考答案:

I0/8杨氏双缝干涉实验是利用波阵面分割法获得相干光，薄膜干涉则利用振幅分割法获得相干光。

参考答案:

对用真空中波长λ=589.3nm的单色光垂直照射折射率为1.50的劈尖薄膜，产生等厚干涉条纹，测得相邻暗条纹间距b=0.15cm，则劈尖角为

参考答案:

1.3×10-4rad在双缝干涉实验中，两缝间距为0.30mm，用单色光垂直照射双缝，在离缝1.20m的屏上测得中央明纹一侧第5条暗纹与另一侧第5条暗纹间的距离为22.78mm，则所用光的波长为

参考答案:

632.8