AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制方法

精品文档-下载后可编辑AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制方法一、引言

四元系发光二极管一般使用GaAs衬底，由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。目前发光二极管的发展方向主要是高亮度及全彩色,GaAlAs、GaAlInP与GaInN是较成熟的半导体发光材料,其中GaAlAs是红光二极管的优选材料,GaAlInP材料根据Al组分的变化能得到红光（680nm）到绿光（560nm）的光波,以反射射向衬底的光，减少GaAs的吸收，早的GaAlInP高亮度发光二极管90年代初由美国HP。

为了提高发光效率，人们开始进行其它衬底代替GaAs吸收衬底的研究。其中一种方法就是用对可见光透明的GaP衬底取代GaAs衬底（TS），但是该工艺存在合格率低、使用设备复杂、制造成本高的缺点。近年来，台湾开始进行了倒装衬底AlGaInP红光芯片的制作研究，工艺适于批量化生产，且制造成本低。

二、垂直芯片结构及工艺

本公司进行的AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片制作方法。首先进行MOCVD外延，再以高热导率Si、SiC、金属等材料作为衬底，将LED外延层粘接在其上并制成芯片。其结构为：

图1：高热导率镜面衬底高亮度LED结构

工艺制作先在高热导率材料表面上蒸镀Au层作为反射镜面和粘接层，并通过加热加压将LED外延层与高热导率衬底材料粘在一起，再用选择腐蚀的方法将原GaAs衬底腐蚀剥离掉，再经蒸镀、刻蚀、表面粗化等工艺制成以高热导率材料为衬底的LED芯片。Au薄膜对红光、对黄光有非常高的反射率，并且可反射所有入射角度的光。

图2DBR及金属反射层的反射率计算和测试结果（a）DBR结构计算的法向反射谱（q=0°）（b）金属反射层反射谱（q=0°~90°）

三、LED性能测试结果

表1：相同有源区结构不同衬底12mil红光LED芯片参数比较（I＝20mA条件下测量）

表1为12mil尺寸管芯，不同衬底红光LED芯片的光电性能测试结果。从表中可以看到20mA测试电流下，虽然镜面衬底LED芯片电压略有所提升，从1.9V升至1.92V（如图3），但是其亮度提高了3倍，其主要原因是镜面衬底自身高的反射率且可反射各个角度入射的光，另外表面粗化有效的减弱光在材料内部的多次反射，折射及吸收，给光子提供了更多的出射机会；而镜面衬底LED电压的提高主要是由于粗化后芯片表面粗糙度增大，影响电流的传输，同时粘接层也使电压有所上升。

图3不同衬底红光LED伏安特性曲线

20mA下测试12mil不同衬底LED芯片的晶圆图如图4所示，镜面衬底红光LED亮度、波长分布非常均匀。如图5所示，20mA电流下，中心波长为623nm的12mil镜面衬底红光LED光效可达50lm/W，光效约是普通衬底LED的2.5倍以上。

图4不同衬底LED亮度、波长晶圆图（a）普通衬底LED亮度晶圆图（b）普通衬底LED波长晶圆图（c）镜面衬底LED亮度晶圆图（d）镜面衬底LED波长晶圆图。

图512mil不同衬底红光LED光效曲线

四、结论

本项目研发的金属反射垂直结构超高亮度AlGaInP红光LED芯片大大提高了LED芯片的发光亮度，而且由于高热导率衬底材料机械强度高，热导率高，可大幅度改善产品的高温特性，提高产品可靠性，在大功率应用方面存在着其它类型LED无法比拟的优势。另外，由于镜面结构不需要较厚的GaP窗口层和DBR层，可大幅度降低外