2023年单片开关电源瞬态干扰及音频噪声抑制技术

第单片开关电源瞬态干扰及音频噪声抑制技术

单片开关电源瞬态干扰及音频噪声抑制技术

石家庄市河北科技大学（050054）沙占友薛树琦唱春来

摘

要：为确保单片开关电源正常工作，必须在电路设计和制造工艺上采取相应措施，有效地抑

瞬态干扰

音频噪声

抑制

电磁兼容性

制瞬态干扰及音频噪声，为此阐述其抑制方法与改进电路。

关键词：单片开关电源

本文介绍抑制TOPswitch和Tiiyswitch系列单片开关电源瞬态干扰及音频噪声的方法，这对提高其电磁至关重要。兼容性（EMI）

式改成三线输入方式，G端接通大地；②采用两级电滤波器，为避免两个EMI滤波器在产生磁干扰（EMI）谐振时的干扰信号互相叠加，应使L2（L3）!10m~，

!抑制瞬态干扰

瞬态干扰是指交流电网上出现的浪涌电压、振铃电压、火花放电等瞬间干扰信号，其特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大。瞬态干扰会造成单片开关电源输出电压的波动；当瞬态电压叠加在整流使VI超过内部功率开滤波后的直流输入电压VI上，

关管的漏-源击穿电压V（BR）Ds时，还会损坏TOPswitch芯片，因此必须采用抑制措施。

L32L2；③增加C9和L4，并将C8换成0.1卜F普通

电容器。C7~C9为安全电容，分别与高频变压器的引出端相连。其中，C7接初级直流高压的返回端，C8接次级返回端，C9接初级直流高压端。它们的公共端则经过滤波电感L4接通大地。L4用铁氧体磁环绕制而成。设计印制板时，连接C7~C9的各条印制导线应短而宽。采用上述连接方式可保证瞬态电流被C7~C9旁路掉，而不进入TOP202Y中。此外，反馈绕组接地端和C4的引出端，各经一条单独导线接TOP202Y的对以减应管脚。旁路电容C5直接跨在控制端与源极上，小控制端上的噪声电压。④增加电阻6，其阻值范围在270~6200，它与光耦合器发射极相串联。当控制环路失控时，使之小于芯片中关断6能限制峰值电流，触发器的关断电流。

!!瞬态电压的特点

瞬态电压的两种典型波形分别如图1(a)、（D）所示。(a)图是由国际电工委员会制定的IEC1000-4-5标准中给出的典型浪涌电压波形，VP为浪涌电压的峰值，通常选VP=3000V的测试电压。T是浪涌电压从

0.3VP上升到0.9VP的时间间隔。T1为上升时间，T1=

1.67T=1.2卜S130。浪涌电压降到0.5VP所持续的时间为T2，（D）图示出由IEEE-587标准中T2=50卜S。

给出的典型振铃电压波形，其峰值也是3000V（典型值）。第一个周期内的正向脉冲上升时间T1=0.5卜S,持续时间T=10卜S；负向脉冲的峰值已衰减为0.6VP。!#抑制瞬态干扰的方法!#!改进电路

现以TOP202Y构成7.5V、15W开关电源模块的

电路为例，阐述抑制瞬态干扰的方法。其改进电路如图2所示，主要做了以下改进：①将交流两线输入方

!##减小瞬态干扰的其他措施

为减小瞬态峰值电流，应在初、次级绕组之间绕

3~5层0.05mm厚的聚酯绝缘胶布，使高频变压器的

分布电容量降低。

TOPswitch的外接散热器应与芯片上的小散热板连通。若两者之间加绝缘垫片，且散热器与电路连通位置又不合适，则散热器与小散热板的分布电容就会和电路中的电感发生谐振，产生高频振铃电压，使

TOPswitch中的关断触发器误操作。

提高整流桥耐压值并适当增加输入滤波电容C1

的容量。

利用共模扼流圈对过大的共模干扰电流进行抑制。在110~115VAC低压输入时，选择TOPswitch-II系列产品，以提高芯片的漏-源击穿电压值。

在交流进线端并联一只压敏电阻器（VsR），对瞬态电压进行钳位，电路如图3所示。

#抑制音频噪声

单片开关电源的音频噪声用人耳即可听到，它主要是由电容器和高频变压器产生的。

(a)浪涌电压

(D)振铃电压

#!电容噪声

电介质材料具有压电效应，其形变大小

图1瞬态电压的两种典型波形

《电子技术应用》202x年第12期21

时即可固化。但其作用与滚珠轴承有某种相似之处，固化后每个磁芯仍能独立地在小范围内变形或移位，而总体位置不变，这就对形变起到了抑制作用。用玻璃珠胶合剂粘接的高频变压器内部结构如图4所示。采用这种工艺可将音频噪声降低5dB。

给线圈浸入清漆、烘干之后，不仅能隔绝潮气，

加强坚固性，还有助于减小音频噪声。不过灌入清漆后也会增大初级绕组的分布电容，降低高频变压器的固有谐振频率。

2.3抑制TinySwitch开关电源中的音频噪声由Tinyswitch构成开关电源时，音频噪声

图2能抑制瞬态干扰的改进电路

主要是由钳位保护电路和RC吸收回路产生

的。为此可采取以下几种措施：

（1）将RCD型钳位保护电路中的二级管VD，换成高压稳压管VDz；把漏极RC吸收回路中的高压陶瓷电容器换成压电效应很小的聚脂薄膜电容器。改进电路如图5所示。

图3利用压敏电阻器钳位瞬态电压

（2）为进一步减小音频噪声，还可选择磁通密度较低的磁芯，例如当最大磁通密度从0.3T减小到可使音频噪0.2T时，

声降低10~15dB。

图4高频变压器内部结构

与电场力的平方有关，二者呈线性或非线性关系。某些非线性电介质在常温下就具有压电效应，例如在

TOPswitch漏极RC吸收回路中使用的耐高压陶瓷电

容器，是由非线性电介质钛酸钡等材料烧结而成的，在周期性尖峰电压的作用下，使电介质不断发生形变，能产生较大的音频噪声。采用耐高压的聚脂薄膜电容能降低电容噪声。

2.2高频变压器噪声

高频变压器EE或EI型磁芯之间的吸引力，

能使两个磁芯发生位移，绕组电流相互间的引力或斥力，也能使线圈产生偏移。此外，受机械振动时能导致周期性的形变。上述因素均会使高频变压器在工作时发出音频噪声。10W以下单片开关电源的音频噪声频率，约为10~20khz。

为防止磁芯之间产生相对位移，通常以环氧树脂作胶合剂，将两个磁芯的3个接触面（含中心柱）进行粘接。但这种刚性连接方式的效果并不理想。因为这无法将