非线性微波电路与系统第十章演示文稿

非线性微波电路与系统第十章演示文稿当前1页，总共45页。优选非线性微波电路与系统第十章当前2页，总共45页。微波振荡器双极晶体管：工作频率低，相位噪声低，直流到射频的转换效率高。FET类（包括GaAsMESFET、HEMT、PHEMT和HBT等）：相位噪声大，结构简单，便于集成，成本低，可以用于更高的频率。雪崩（IMPATT）和耿氏（Gunn)二极管：工作频率高，噪声电平比较高，直流到射频的转换效率很低。当前3页，总共45页。§10.1基本理论

（负阻振荡理论）微波振荡器物理概念：阻抗的实部为负，即“负阻”i(t)Zl(ω)Zs(I0,ω)Vs(t)Гs(ω)源或负载或振荡平衡条件幅度平衡条件，决定振荡器的输出功率相位平衡条件，决定振荡器的振荡频率或当前4页，总共45页。

稳定振荡过程是一个逐步建立起来的瞬态，振荡开始时V0和I0很小，不满足上式，直到V0和I0

很大到达某一定值时，上式成立，振荡趋于稳定。且受扰动后，正弦电压和电流仍回到它的稳定值。稳定振荡另一种表达方式：当前5页，总共45页。§10.1基本理论

微波振荡器正反馈理论→三极管振荡器当前6页，总共45页。微波振荡器当前7页，总共45页。FET振荡器的设计与FET放大器十分相似，它使用的器件，偏置电路以及S参数都与放大器相同，只是工作在不稳定区域为了实现低噪声和高频率稳定度，谐振器的设计通常也包含在振荡器的设计中，谐振器可以是集中参数电路，也可以是分布参数传输线、或是腔体、介质。频率调谐可以采用变容二极管或铁磁材料。微波振荡器当前8页，总共45页。微波振荡器当前9页，总共45页。一、小信号设计方法微波振荡器当前10页，总共45页。可以证明，如果输入端振荡，输出端也振荡；当输出端振荡时，输入端也振荡。微波振荡器当前11页，总共45页。

这一结论也可推广到一个n端口振荡器，只要一个端口振荡，其余的端口也必然同时振荡。微波振荡器当前12页，总共45页。设计一个FET振荡器的一般步骤是：1、potentiallyunstabletransistor,如果不是，则采用反馈元件2、3、4、5、Loadmatchingnetwork微波振荡器当前13页，总共45页。Example:GaAsFET.(1)(2)微波振荡器当前14页，总共45页。（3）（4）微波振荡器当前15页，总共45页。二、大信号设计方法

大信号方法与小信号方法类似。大信号S参数可以通过测试仪器或大信号模型获取，但相对比较困难，他的设计步骤如下：1、2、3、微波振荡器当前16页，总共45页。三、FET振荡器的非线性分析

以上采用小信号线性S参数进行分析和设计，得不到精确预计输出功率和对应的负载阻抗。

FET振荡器非线性分析方法→Volterra级数法。而采用谐波平衡法有以下两个难点：①建立饱和状态模型较为困难；②HB法只能分析一个外激励频率信号去激励一个非线性电路，而振荡稳定是一个逐渐建立的过程，开始振荡时的频率与稳定后的振荡频率不同，且电路参数是随频率变化的过程。微波振荡器当前17页，总共45页。FFS(t)S(t)W(t)W(t)FF-PPFF-PP闭环非线性反馈系统开环非线性系统闭环等效电路开环系统S(t)X(t)W(t)kωωS(t)X(t)W(t)kωωZ(t)微波振荡器当前18页，总共45页。微波振荡器当前19页，总共45页。

由此可求出振荡器的输出信号幅度的大小和振荡频率的高低，而转移函数H是由具体的FET等效电路，偏置，工作状态和电路拓扑所决定。微波振荡器当前20页，总共45页。五、性能参数

振荡器的两个主要性能是它的频率和输出功率，但其它性能参数对微波或毫米波系统的性能也有很大的影响：1、输出频率和频率准确度

由器件和电路结构决定。微波振荡器2、输出功率P0

主要取决于器件。当前21页，总共45页。3、相位噪声微波振荡器输出频谱中产生的噪声边带。当前22页，总共45页。

要把相位噪声减至最小，不仅要使用①低噪声器件，②而且还要使用高的有载Q谐振器，在电压控制振荡器中，应使用高Q变容二极管。③用锁相振荡器也可以实现低的相位噪声，如晶体振荡器。④由于相位噪声也可由来自直流电源或耦合到直流偏置电路的噪声引起，所以直流电源的滤波在减小相位噪声方面是不可忽视的。微波振荡器当前23页，总共45页。4、频率牵引和推频→负载的变化引起输出频率改变

负载阻抗的变化通过Гin的相位改变可以影响振荡频率。这种现象称为频率牵引。

直流偏压的变化可以引起FET的S参数和Гin的变化，因而引起振荡频率变化，这种现象称为推频。减小推频的直接方法是在振荡器的偏置电路中采取稳定措施。

①在振荡器的输出端加入输出隔离器或缓冲放大器就可以减小频率牵引。②采用高Q谐振腔。微波振荡器当前24页，总共45页。5、热稳定性→T的变化引起f0和P0的变化

振荡器的温度变化可以同时影响谐振器的谐振频率和FET的Гin，从而使振荡频率发生变化。

温度变化也可以使输出功率减小，甚至可以使振荡完全停止。温度补偿电路一般包含在偏置电路中。谐振器也可以按补偿振荡器频率的变化进行设计。微波振荡器当前25页，总共45页。6、频率滞后调谐漂移7、谐波和假响应输出 可采用滤波器进行抑制。

在设计良好的振荡器中，引起频率滞后调谐漂移的主要原因是由变容管上的热耗散引起的。微波振荡器当前26页，总共45页。§

10.2电路拓扑

1）VCO

共栅电路是实现VCO的最流行的一种，因为只需用一个非常简单的反馈电路（一个电感）就可以在很宽的频率范围内实现负电导。2）点频振荡器 采用共源电路。在这些应用中，一般是使用介质谐振器的固定频率振荡器。介质谐振器是用新型陶瓷材料做成的，具有高的介电常数。微波振荡器DSGL地当前27页，总共45页。DR是一个具有高介电常数的软磁体，电磁均被封闭在其内部及周围，等效电路为谐振电路，特点是低损耗，高空载Q，低温度参数及高介电常数（30~40）。微波振荡器当前28页，总共45页。微波振荡器当前29页，总共45页。微波振荡器当前30页，总共45页。§

12.2VCO机械调谐变容二极管调谐偏置调谐YIG调谐VCO的特点：

输出功率稳定

调谐范围宽调谐速度快微波振荡器当前31页，总共45页。微波振荡器当前32页，总共45页。微波振荡器当前33页，总共45页。微波振荡器当前34页，总共45页。微波振荡器当前35页，总共45页。微波振荡器当前36页，总共45页。例耿氏管：RD=10，CD=1pF，LP=1nH

变容二极管：Cj(0)=1pF，Vbi=1V微波振荡器当前37页，总共45页。

∵RD＞Rc

∴满足振荡条件

∴微波振荡器当前38页，总共45页。当V=O时 当V=10时微波振荡器当前39页，总共45页。例2V-band(60GHz)微带GunnVCO微波振荡器当前40页，总共45页。微波振荡器当前41页，总共45页。微波振荡器当前42页，总共45页。X波段PHEMT管VCO的设计实例中心频率为9.1GHz，调谐带宽>200MHz