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学院姓名学号任课老师选课号………密………封………线………以………内………答………题………无………效……PAGEPAGE5第页共3页已知ND=1015cm-3,则杂质全部电离后，n0=10当T=310k时，当T=273k时，2、有一硅样品在温度为300k时，施主与受主的浓度差ND-NA=1014cm-3,设杂质全部电离，已知该温度下导带底的有效状态密度NC=2.9×1019cm-3，硅的本征载流子浓度ni=1.5×解：由电中性条件可得:由题意可知，ni=1.5×1010cm-3,ND-NA=故有：，可忽略p0,所以导带电子浓度为：所以，样品的费米能级位于导带底Ec下方0.327eV。3、在半导体锗材料中，掺入施主杂质浓度ND=1014cm-3,受主杂质浓度NA=7×1013cm-3,设室温下本征锗的电阻率为60Ω.cm，假设电子和空穴的迁移率分别为μn=3600cm2/Vs，μp=（提示：杂质完全电离，先求ni,由电中型条件和n0p0=ni2求n0和
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