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文档简介

第十二章电荷转移器件

©Dr.B.CTD电荷耦合器件

©Dr.B.电荷耦合器件(ChargeCoupledDevice，简称CCD)：

©Dr.B.D电荷转移的概念可以用增益为1以及输入阻抗无穷大图12-1

©Dr.B.口在图12-2（a）中，电极2偏置在10V，比它附近两个电极的偏置5V

©Dr.B.

©Dr.B.2 Wm s)2N2NAi

©Dr.B.:用脉 ©表面处电势s（-qs)很低，形成电扫向表面处形成反型层，空穴扫向内部填充（中和）固WWms

©Dr.B.

©Dr.B.负电荷量），表面势s，势阱深度－qs，且Q信-qsQm信＝ACos（Co为SiO2层单位面积电容

©Dr.B.@Q信

©Dr.B.©©Dr.B.

©Dr.B.

©Dr.B.结构

©Dr.B.在n层全耗尽的条件下，若加＋VG，且＋VG<SD,则有部分电力线指向栅极（）（x），电势V（x）布发生变化，如图所示，最高电势Vm移入体内x1即能带极小值出现在体内控制各栅极时钟脉冲，可

©Dr.B.

©Dr.B.

©Dr.B. Qp

1:SiO21:SiO2d1SiO21

©Dr.B.由

(SiO2 2Qp<理想

©Dr.B.

©Dr.B. 2nn ni

©Dr.B.nn(1)N(1N)e

Q0

©Dr.B.有部分Q信填充界面态和体内陷阱，损失率，经

©Dr.B.J

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