CMOS工艺流程图剖面演示文稿

CMOS工艺流程(Cheng)版图剖面演示文稿1第一页，共一百五十三页。2优选CMOS工艺流程版图(Tu)剖面第二页，共一百五十三页。

1)简化N阱CMOS

工艺演(Yan)示第三页，共一百五十三页。氧化层(Ceng)生长光刻1，刻N阱掩膜版氧化层P-SUB第四页，共一百五十三页。曝(Pu)光光刻1，刻N阱掩膜版光刻胶掩膜版第五页，共一百五十三页。氧化层的刻(Ke)蚀光刻1，刻N阱掩膜版第六页，共一百五十三页。N阱注(Zhu)入光刻1，刻N阱掩膜版第七页，共一百五十三页。形(Xing)成N阱N阱P-SUB第八页，共一百五十三页。氮化硅的(De)刻蚀光刻2，刻有源区掩膜版二氧化硅掩膜版N阱第九页，共一百五十三页。场(Chang)氧的生长光刻2，刻有源区掩膜版二氧化硅氮化硅掩膜版N阱第十页，共一百五十三页。去除氮(Dan)化硅光刻3，刻多晶硅掩膜版FOXN阱第十一页，共一百五十三页。重新生长二氧化硅(Gui)（栅氧）光刻3，刻多晶硅掩膜版栅氧场氧N阱第十二页，共一百五十三页。生长(Chang)多晶硅光刻3，刻多晶硅掩膜版多晶硅N阱第十三页，共一百五十三页。刻蚀多(Duo)晶硅光刻3，刻多晶硅掩膜版掩膜版N阱第十四页，共一百五十三页。刻蚀多(Duo)晶硅光刻3，刻多晶硅掩膜版多晶硅N阱第十五页，共一百五十三页。P+离子注(Zhu)入光刻4，刻P+离子注入掩膜版掩膜版P+N阱第十六页，共一百五十三页。N+离子(Zi)注入光刻5，刻N+离子注入掩膜版N+N阱第十七页，共一百五十三页。生长(Chang)磷硅玻璃PSGPSGN阱第十八页，共一百五十三页。光刻接(Jie)触孔光刻6，刻接触孔掩膜版P+N+N阱第十九页，共一百五十三页。刻(Ke)铝光刻7，刻Al掩膜版AlN阱第二十页，共一百五十三页。刻(Ke)铝VDDVoVSSN阱第二十一页，共一百五十三页。光刻8，刻压焊孔掩膜版钝化层N阱(Jing)第二十二页，共一百五十三页。2)清华工艺录(Lu)像N阱硅栅CMOS工艺流程第二十三页，共一百五十三页。初始(Shi)氧化第二十四页，共一百五十三页。光刻(Ke)1，刻N阱第二十五页，共一百五十三页。N阱(Jing)形成N阱第二十六页，共一百五十三页。Si3N4淀(Dian)积Si3N4缓冲用SiO2P-Si

SUBN阱第二十七页，共一百五十三页。光刻2，刻有源区，场区硼(Peng)离子注入有源区有源区N阱第二十八页，共一百五十三页。场(Chang)氧1N阱第二十九页，共一百五十三页。光(Guang)刻3N阱第三十页，共一百五十三页。场(Chang)氧2N阱第三十一页，共一百五十三页。栅氧(Yang)化，开启电压调整栅氧化层N阱第三十二页，共一百五十三页。多晶硅(Gui)淀积多晶硅栅氧化层N阱第三十三页，共一百五十三页。光刻4，刻NMOS管(Guan)硅栅，

磷离子注入形成NMOS管N阱NMOS管硅栅用光刻胶做掩蔽第三十四页，共一百五十三页。光刻5，刻PMOS管硅(Gui)栅，

硼离子注入及推进，形成PMOS管N阱PMOS管硅栅用光刻胶做掩蔽第三十五页，共一百五十三页。磷硅玻(Bo)璃淀积N阱磷硅玻璃第三十六页，共一百五十三页。光刻6，刻孔、磷(Lin)硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔)N阱第三十七页，共一百五十三页。蒸铝、光刻7，刻铝、

光刻8，刻钝化孔

（图(Tu)中展示的是刻铝后的图(Tu)形）N阱VoVinVSSVDDP-SUB

磷注入硼注入磷硅玻璃PMOS管硅栅NMOS管硅栅第三十八页，共一百五十三页。离子注入的应(Ying)用第三十九页，共一百五十三页。第四十页，共一百五十三页。N阱硅栅CMOS工艺流(Liu)程第四十一页，共一百五十三页。形成N阱初始(Shi)氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层光刻1，定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入，先注磷31P+

，后注砷75As+3)双阱CMOS集成电路的工艺设计Psub.〈100〉磷31P+砷75As+第四十二页，共一百五十三页。形成P阱在N阱区生长厚氧化(Hua)层，其它区域被氮化(Hua)硅层保护而不会被氧化(Hua)去掉光刻胶及氮化硅层

P阱离子注入，注硼N阱Psub.〈100〉第四十三页，共一百五十三页。推阱退(Tui)火驱入，双阱深度约1.8μm去掉N阱区的氧化层N阱P阱第四十四页，共一百五十三页。形成场隔离区生长一层(Ceng)薄氧化层(Ceng)淀积一层氮化硅光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来反应离子刻蚀氮化硅场区硼离子注入以防止场开启热生长厚的场氧化层去掉氮化硅层第四十五页，共一百五十三页。阈值(Zhi)电压调整注入光刻3，VTP调整注入光刻4，VTN调整注入光刻胶31P+11B+第四十六页，共一百五十三页。形成多晶硅栅（栅定(Ding)义）生长栅氧化层淀积多晶硅

光刻5，刻蚀多晶硅栅N阱P阱第四十七页，共一百五十三页。形成硅化物淀积氧化层反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层（spacer,sidewall）淀积难熔金属Ti或Co等低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi去掉氧化层上(Shang)的没有发生化学反应的Ti或Co高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2第四十八页，共一百五十三页。形成N管源漏区光刻6，利用光刻胶将PMOS区保护起(Qi)来离子注入磷或砷，形成N管源漏区形成P管源漏区光刻7，利用光刻胶将NMOS区保护起来离子注入硼，形成P管源漏区第四十九页，共一百五十三页。形(Xing)成接触孔化学气相淀积BPTEOS硼磷硅玻璃层退火和致密光刻8，接触孔版反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔第五十页，共一百五十三页。形成第(Di)一层金属淀积金属钨(W)，形成钨塞第五十一页，共一百五十三页。形成第一层金属淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等光刻9，第一层金属版，定义(Yi)出连线图形反应离子刻蚀金属层，形成互连图形第五十二页，共一百五十三页。形成穿通接触孔化学气相淀积PETEOS,等离子增强正硅酸四乙酯热分解PlasmaEnhancedTEOS

：tetraethylorthosilicate[Si-(OC2H5)4]

--通过化学机械抛光进行平坦化光刻穿通接触孔版反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔形成第二层金属淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等光刻10，第二层金属版，定义出连线图(Tu)形反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形正硅酸乙脂（TEOS）分解650～750℃第五十三页，共一百五十三页。合金形成钝化层在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅光刻11，钝化版刻蚀氮化硅，形成钝化图形测试、封装，完成集成电路的制造工艺

CMOS集成电路采(Cai)用(100)晶向的硅材料第五十四页，共一百五十三页。4)图解双阱硅栅CMOS制(Zhi)作流程第五十五页，共一百五十三页。

首先进行表面清洗，去除wafer表面的保护层和

杂质，三氧化二铝必须以高速粒子撞击，并

用化学(Xue)溶液进行清洗。甘油甘油第五十六页，共一百五十三页。

然后在表面氧化二氧化硅膜以减小后一步氮化硅对晶圆的表面应力。

涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预烘→曝光→显影→后烘→腐蚀(Shi)→去除光刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷反应生成)。第五十七页，共一百五十三页。

光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定出P型阱区域。(所谓光刻胶就是对光或电子束敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸去除或含(Han)CF4气体的等离子刻蚀(RIE)。

第五十八页，共一百五十三页。

在P阱区域植入硼(+3)离子，因硅为+4价，所以形成空洞，呈正电荷状态。(离子植入时与法线成7度(Du)角，以防止发生沟道效应，即离子不与原子碰撞而直接打入)。每次离子植入后必须进行退火处理，以恢复晶格的完整性。(但高温也影响到已完成工序所形成的格局)。

第五十九页，共一百五十三页。LOCOS(local

oxidation

of

silicon)选择性氧化：湿法氧化二氧化硅层，因以氮化硅为掩模会出现鸟嘴现象，

影响尺寸的控制。二氧化硅层在向上生成的同时也向下移动，为膜厚的0.44倍，所以在去除二氧化硅层后(Hou)，出现表面台阶现象。湿法氧化快于干法氧化，因OH基在硅中的扩散速度高于O2。硅膜越厚所需时间越长。

第六十页，共一百五十三页。

去除氮化硅和表面二氧化硅层。露出N型阱区

域。(上述中曝光技术光罩与基片的距离分为接触式、接近式和投影式曝光三种，常用投影式又分为等比和微缩式。曝光会有清晰(Xi)度和分辩率，所以考虑到所用光线及波长、基片表面平坦度、套刻精度、膨胀系数等)。

第六十一页，共一百五十三页。

离子植入磷离子(+5)，所以出现多余电(Dian)子，呈现负电(Dian)荷状态。电(Dian)荷移动速度高于P型约0.25倍。以缓冲氢氟酸液去除二氧化硅层。

第六十二页，共一百五十三页。

在表面重新氧化生(Sheng)成二氧化硅层，LPCVD沉积

氮化硅层，以光阻定出下一步的field

oxide区域。

第六十三页，共一百五十三页。

在上述多晶硅层外围，氧化二氧化硅层以作为保护。涂布光阻，以便利用(Yong)光刻技术进行下一步的工序。

第六十四页，共一百五十三页。

形成NMOS，以砷离子进行(Xing)植入形成源漏极。

此工序在约1000℃中完成，不能采用铝栅极工艺，因铝不能耐高温，此工艺也称为自对准工艺。砷离子的植入也降低了多晶硅的电阻率(块约为30欧姆)。还采用在多晶硅上沉积高熔点金属材料的硅化物(MoSi2、WSi2、TiSi2等)，形成多层结构

第六十五页，共一百五十三页。

以类似的方法，形成PMOS，植入硼(+3)离子。(后序中的PSG或BPSG能很好的稳定能动钠离子，以保证(Zheng)MOS电压稳定)。第六十六页，共一百五十三页。

后序中的二氧化硅层皆是化学反(Fan)应沉积而成，其中加入PH3形成PSG(phospho-silicate-glass)，加入B2H6形成BPSG(boro-phospho-silicate-glass)以平坦表面。所谓PECVD(plasma

enhanced

CVD)在普通CVD反应空间导入电浆(等离子)，使气体活化以降低反应温度)。

第六十七页，共一百五十三页。第六十八页，共一百五十三页。

光刻技术定出孔洞，以溅射法或真空蒸发法，依次沉积钛+氮化钛+铝+氮化钛等多层金属。(其(Qi)中还会考虑到铝的表面氧化和氯化物的影响)。由于铝硅固相反应，特别对浅的PN结难以形成漏电流(leak

current)小而稳定的接触，为此使用TiN等材料，以抑制铝硅界面反应，并有良好的欧姆，这种材料也称为势垒金属(barrier

metal)。

第六十九页，共一百五十三页。

RIE刻蚀出布线(Xian)格局。以类似的方法沉积第二层金属，以二氧化硅绝缘层和介电层作为层间保

护和平坦表面作用。

第七十页，共一百五十三页。

为满足欧姆接触要求，布线工艺是在含有5~10%氢的氮气中，在400~500℃温(Wen)度下热处理15~30分钟(也称成形forming)，以使铝和硅合金化。最后还要定出PAD接触窗，以便进行bonding工作。(上述形成的薄膜厚度的计算可采用光学衍射、倾斜研磨、四探针法等方法测得)。

第七十一页，共一百五十三页。第七十二页，共一百五十三页。

2.典(Dian)型P阱CMOS工艺的剖面图源硅栅漏薄氧化层金属场氧化层p-阱n-衬底（FOX）低氧第七十三页，共一百五十三页。CMOSprocessp+p+p-第七十四页，共一百五十三页。Process(Inverter)p-subP-diffusionN-diffusionPolysiliconMetalLegendofeachlayercontactN-wellGND低(Di)氧场氧p-subp+InVDDSGDDGS图例第七十五页，共一百五十三页。LayoutandCross-SectionViewofInverterInTopVieworLayoutCross-SectionViewP-diffusionN-diffusionPolysiliconMetalLegendofeachlayercontactVDDGNDGNDOutVDDInverterInOutN-well图(Tu)例第七十六页，共一百五十三页。Processfieldoxidefieldoxidefieldoxide第七十七页，共一百五十三页。3.SimplifiedCMOSProcessFlowCreaten-wellandactiveregionsGrowgateoxide(thinoxide)Depositandpatternpoly-siliconlayerImplantsourceanddrainregions,substratecontactsCreatecontactwindows,depositandpatternmetallayers第七十八页，共一百五十三页。N-well,ActiveRegion,GateOxideCrossSectionn-wellTopViewSGDDGSMetalMetalMetalPolysiliconn+p+VDDVSSpMOSFETnMOSFET第七十九页，共一百五十三页。Poly-siliconLayer

TopViewCross-Section第八十页，共一百五十三页。N+andP+RegionsTopViewOhmiccontactsCross-Section第八十一页，共一百五十三页。SiO2UponDevice&ContactEtchingTopViewCross-Section第八十二页，共一百五十三页。MetalLayer–byMetal

EvaporationTopViewCross-Section第八十三页，共一百五十三页。ACompleteCMOSInverterTopViewCross-Section第八十四页，共一百五十三页。DiffusionSiO2FETPolysilicon第八十五页，共一百五十三页。Transistor-LayoutDiffusionPolysilicon第八十六页，共一百五十三页。layersN-DiffusionPoly-siliconMetal1Metal2SiO2SiO2SiO2P-Diffusion第八十七页，共一百五十三页。ViaandContactsDiffusionMetal2SiO2SiO2PolysiliconMetal-DiffContactMetal-PolyContactSiO2ViaMetal1第八十八页，共一百五十三页。InverterExampleMetal-nDiffContactMetal-PolyContactViaVDDGNDVDDMetal2Metal1

Metal-nDiffContactGND第八十九页，共一百五十三页。4.MOS电路版(Ban)图举例1)铝栅CMOS电路版图设计规则2)铝栅、硅栅MOS器件的版图3)铝栅工艺CMOS版图举例4)硅栅工艺MOS电路版图举例5)P阱硅栅单层铝布线CMOS集成电路的工艺过程6)CMOSIC版图设计技巧

7)CMOS反相器版图流程第九十页，共一百五十三页。1)铝栅CMOS电路版图设(She)计规则第九十一页，共一百五十三页。

该图(Tu)的说明a沟道长度3λbGS/GD覆盖λcp+，n+最小宽度3λdp+，n+最小间距3λep阱与n+区间距2λf孔距扩散区最小间距

2λgAl覆盖孔λ孔2λ×3λ或3λ×3λhAl栅跨越p+环λiAl最小宽度4λjAl最小间距3λp+Al1n+第九十二页，共一百五十三页。2)铝栅、硅栅MOS器(Qi)件的版图硅栅MOS器件铝栅MOS器件第九十三页，共一百五十三页。Source/Drain:Photomask(darkfield)ClearGlassChromiumCrossSection铝栅MOS工艺(Yi)掩膜版的说明第九十四页，共一百五十三页。Gate:Photomask(darkfield)ClearGlassChromiumCrossSection第九十五页，共一百五十三页。Contacts:Photomask(darkfield)ClearGlassChromiumCrossSection第九十六页，共一百五十三页。MetalInterconnects:Photomask(lightfield)ChromiumClearGlassCrossSection第九十七页，共一百五十三页。硅栅硅栅MOS器件工艺的流(Liu)程

Process(1)刻有源区正胶第九十八页，共一百五十三页。Process(2)刻多晶硅(Gui)与自对准掺杂Self-AlignDoping第九十九页，共一百五十三页。Process(3)刻接触(Chu)孔、反刻铝

fieldoxide(FOX)metal-polyinsulator

thinoxide第一百页，共一百五十三页。

3)铝栅工(Gong)艺CMOS反相器版图举例

图2为铝栅CMOS反相器版图示意图。可见，为了防止寄生沟道以及p管、n管的相互影响，采用了保护环或隔离环：对n沟器件用p+环包围起来，p沟器件用n+环隔离开，p+、n+环都以反偏形式接到地和电源上，消除两种沟道间漏电的可能。

第一百零一页，共一百五十三页。图2铝栅CMOS反相器版图示意图版图分解：刻P阱2.刻P+区/保护环3.刻n+区/保护带4.刻栅、预刻接触孔(Kong)5.刻接触孔6.刻Al7.刻纯化孔P+区保护环n+区/保护带第一百零二页，共一百五十三页。3版图分解：1.刻P阱2.刻P+区/环3.刻n+区4.刻栅(Zha)、预刻接触孔5.刻接触孔6.刻Al7.刻纯化孔第一百零三页，共一百五十三页。4版图分解：1.刻P阱2.刻P+区/环(Huan)3.刻n+区4.刻栅、预刻接触孔5.刻接触孔6.刻Al7.刻纯化孔第一百零四页，共一百五十三页。4)硅栅MOS版图举例E/ENMOS反(Fan)相器

刻有源区

刻多晶硅栅刻NMOS管S、D

刻接触孔

反刻Al图5E/ENMOS反相器版图示意图第一百零五页，共一百五十三页。E/DNMOS反相器刻有源区刻耗尽注入区刻多晶硅栅刻NMOS管S、D刻接触孔反刻Al图6E/DNMOS反相器版图第一百零六页，共一百五十三页。

制(Zhi)备耗尽型MOS管

在MOS集成电路中，有些设计需要采用耗尽型MOS管，这样在MOS工艺过程中必须加一块光刻掩膜版，其目的是使非耗尽型MOS管部分的光刻胶不易被刻蚀，然后通过离子注入和退火、再分布工艺，改变耗尽型MOS管区有源区的表面浓度，使MOS管不需要栅电压就可以开启工作。然后采用干氧－湿氧－干氧的方法进行场氧制备，其目的是使除有源区部分之外的硅表面生长一层较厚的SiO2层，防止寄生MOS管的形成。第一百零七页，共一百五十三页。

硅栅CMOS与非门版图举例

刻P阱刻p+环刻n+环刻有源区刻多晶硅栅刻PMOS管S、D刻NMOS管S、D刻接触孔反刻Al图7硅栅CMOS与非门版图第一百零八页，共一百五十三页。8第一百零九页，共一百五十三页。硅栅P阱CMOS反(Fan)相器版图设计举例5.刻NMOS管S、D6.刻接触孔7.反刻Al(W/L)p=3(W/L)n1.刻P阱2.刻有源区3.刻多晶硅栅4.刻PMOS管S、D第一百一十页，共一百五十三页。1.刻P阱2.刻有源区3.刻多晶硅栅第一百一十一页，共一百五十三页。4.刻PMOS管S、D5.刻NMOS管S、D第一百一十二页，共一百五十三页。VDDVoViVss7.反刻Al6.刻接触孔VDDViVssVo第一百一十三页，共一百五十三页。光刻1与光刻2套刻光刻2与光刻3套刻第一百一十四页，共一百五十三页。光刻3与光刻4套刻光刻胶保护光刻4与光刻5套刻光刻胶保护刻(Ke)PMOS管S、D刻NMOS管S、DDDSS第一百一十五页，共一百五十三页。光刻5与光刻6套刻VDDViVssVo光刻6与光刻7套刻VDDViVDDVoViVssVDDViVssVo第一百一十六页，共一百五十三页。ViVoT2W/L=3/1T1W/L=1/1PolyDiffAlconP阱ViVssVoVDD第一百一十七页，共一百五十三页。5)P阱硅栅单(Dan)层铝布线CMOS的工艺过程

下面以光刻掩膜版为基准，先描述一个P阱硅栅单层铝布线CMOS集成电路的工艺过程的主要步骤，用以说明如何在CMOS工艺线上制造CMOS集成电路。（见教材第7--9页，图1.12）第一百一十八页，共一百五十三页。CMOS集成电路工艺(Yi)

--以P阱硅栅CMOS为例1、光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔N-SiSiO2第一百一十九页，共一百五十三页。2、阱区注入(Ru)及推进，形成阱区N-subP-well第一百二十页，共一百五十三页。3、去除SiO2，长薄(Bao)氧，长Si3N4N-subP-wellSi3N4薄氧第一百二十一页，共一百五十三页。4、光II---有源区光刻，刻出PMOS管、NMOS管的源、栅(Zha)和漏区N-SiP-wellSi3N4第一百二十二页，共一百五十三页。5、光III---N管场区(Qu)光刻，N管场区注入孔，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。光刻胶N-SiP-B+第一百二十三页，共一百五十三页。6、长场氧，漂去(Qu)SiO2及Si3N4，然后长栅氧。N-SiP-第一百二十四页，共一百五十三页。7、光Ⅳ---p管场区光刻（用光I的负版），p管场区注入，调节PMOS管的开启电压，然后生(Sheng)长多晶硅。N-SiP-B+第一百二十五页，共一百五十三页。8、光Ⅴ---多晶硅光刻，形成(Cheng)多晶硅栅及多晶硅电阻多晶硅N-SiP-第一百二十六页，共一百五十三页。9、光ⅤI---P+区(Qu)光刻，刻去P管上的胶。P+区注入，形成PMOS管的源、漏区及P+保护环（图中没画出P+保护环）。N-SiP-B+第一百二十七页，共一百五十三页。10、光Ⅶ---N管场区光刻，刻去N管上(Shang)的胶。N管场区注入，形成NMOS的源、漏区及N+保护环（图中没画出）。光刻胶N-SiP-As第一百二十八页，共一百五十三页。11、长PSG（磷硅玻(Bo)璃）。PSGN-SiP+P-P+N+N+第一百二十九页，共一百五十三页。12、光(Guang)刻Ⅷ---引线孔光刻。PSGN-SiP+P-P+N+N+第一百三十页，共一百五十三页。13、光刻Ⅸ---引线(Xian)孔光刻（反刻Al）。PSGN-SiP+P-P+N+N+VDDINOUTPNSDDSAl第一百三十一页，共一百五十三页。8.7RS触(Chu)发器p.154

特性表实际上是一种特殊的真值表，它对触发器的描述十分具体。这种真值表的输入变量（自变量）除了数据输入外，还有触发器的初态，而输出变量（因变量）则是触发器的次态。特性方程是从特性表归纳出来的，比较简洁；状态转换图这种描述方法则很直观。？？第一百三十二页，共一百五十三页。第一百三十三页，共一百五十三页。MR,PMR,N图例：实线：扩散区，虚线：铝，阴影线：多晶硅、黑方块(Kuai)：引线孔N阱第一百三十四页，共一百五十三页。

6)CMOSIC版图设计技巧

1、布局要合理（1）引出端分布是否便于使用或与其他相关电路兼容，是否符合管壳引出线排列要求。（2）特殊要求的单元是否安排合理，如p阱与p管漏(Lou)源p+区离远一些，使pnp，抑制Latch-up，尤其是输出级更应注意。（3）布局是否紧凑，以节约芯片面积，一般尽可能将各单元设计成方形。（4）考虑到热场对器件工作的影响，应注意电路温度分布是否合理。

第一百三十五页，共一百五十三页。2、单元配置恰当（1）芯片面积降低10%，管芯成品率/圆片可提高1520%。（2）多用并联形式(Shi)，如或非门，少用串联形式(Shi)，如与非门。（3）大跨导管采用梳状或马蹄形，小跨导管采用条状图形，使图形排列尽可能规整。第一百三十六页，共一百五十三页。3、布线合理

布线面积往往为其电路元器件总面积的几倍，在多层布线中尤为突出。扩散条/多晶硅互连多为垂直方向，金属连线为水平方向，电源地线采用(Yong)金属线，与其他金属线平行。长连线选用金属。多晶硅穿过Al线下面时，长度尽可能短，以降低寄生电容。注意VDD、VSS布线，连线要有适当的宽度。容易引起“串扰”的布线（主要为传送不同信号的连线），一定要远离，不可靠拢平行排列。第一百三十七页，共一百五十三页。4、CMOS电路版图设计对布线和接触孔的特(Te)殊要求（1）为抑制Latchup，要特别注意合理布置电源接触孔和VDD引线，减小横向电流密度和横向电阻RS、RW。采用接衬底的环行VDD布线。增多VDD、VSS接触孔，加大接触面积，增加连线牢固性。对每一个VDD孔，在相邻阱中配以对应的VSS接触孔，以增加并行电流通路。尽量使VDD、VSS接触孔的长边相互平行。接VDD的孔尽可能离阱近一些。接VSS的孔尽可能安排在阱的所有边上（P阱）。第一百三十八页，共一百五十三页。（2）尽量不要使多晶硅位于p+区域上多晶硅大多用n+掺杂，以获得较低的电阻率。若多晶硅位于p+区域，在进行p+掺杂时多晶硅已存在，同时对其也进行了掺杂——导致杂质补偿，使多晶硅。（3）金属间距应(Ying)留得较大一些（3或4）因为，金属对光得反射能力强，使得光刻时难以精确分辨金属边缘。应适当留以裕量。第一百三十九页，共一百五十三页。5、双层金属布线时的优化方案（1）全局电源线、地线和时钟线用第(Di)二层金属线。