课件单片机中文em78p153s-simp

8-Bit8-BitwithOTPEM78P153SIBMisaregisteredtrademarkandPS/2isatrademarkofIBM.Windowsisatrademarkof ELANandELAN aretrademarksofELANMicroelectronicsCopyright©2005byELANMicroelectronicsCorporationAllRightsPrintedThecontentsofthisspecificationaresubjecttochangewithoutfurthernotice.ELANMicroelectronicsassumesnoresponsibilityconcerningtheaccuracy,adequacy,orcompletenessofthisspecification.ELANMicroelectronicsmakesnocommitmenttoupdate,ortokeepcurrenttheinformationandmaterialcontainedinthisspecification.Suchinformationandmaterialmaychangetoconformtoeachconfirmedorder.InnoeventshallELANMicroelectronicsbemaderesponsibleforanyclaimsattributedtoerrors,omissions,orotherinaccuraciesintheinformationormaterialcontainedinthisspecification.ELANMicroelectronicsshallnotbeliablefordirect,indirect,special al,orconsequentialdamagesarisingfromtheuseofsuchinformationormaterial.Thesoftware(ifany)describedinthisspecificationisfurnishedunderalicenseornondisclosureagreement,andmaybeusedorcopiedonlyinaccordancewiththetermsofsuchagreement.ELANMicroelectronicsproductsarenotintendedforuseinlifesupportappliances,devices,orsystems.UseofELANMicroelectronicsproductinsuchapplicationsisnotsupportedandisprohibited.NOPARTOFTHISSPECIFICATIONMAYBEREPRODUCEDORTRANSMITTEDINANYFORMORBYANYMEANSWITHOUTTHEEXPRESSWRITTENPERMISSIONOFELANMICROELECTRONICS.ELANMICROELECTRONICS Hong No.12,InnovationRoad1HsinchuSciencePark +8863563- +8863563-

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ElanMicroelectronicsShanghaiCorporation, 23/Bldg.#115Lane572,BiboRoadZhangjiangHi-TechPark:一般描 性能特 管脚分 功能描 操作寄存 特殊寄存器 IOCB（下拉控制寄存器 IOCD（上拉控制寄存器 TCC/WDT&预分频 I/O端 复位和唤 复 中 荡 代码选项寄存 上电问 可编程振荡器的建立时 外部上电复位电 残余电压保 指令 时序 绝对最大范 电气特 DC电气特 AC电气特 IC特 封装类型 封装信 SpecificationRevisionDoc.InitialChangeInitializedRegisterValues,InternalRCDriftRate,DCandACElectricalCharacteristicChangePoweronresetAddtheDeviceCharacteristicatsectioniv 的可编程只读电器(OTP-ROM)。有15位选项位可满足用户要求，其中的保工作频率范围（基于2个晶振模式：DC-20MHZat5V,DC-8MHZat3V,DC-4MHZat2.3VERC模式：DC-4MHZat5V,DC-4MHZat3V,DC-4MHZat2.3V内置4个校准IRC振荡器(8MHz4MHz1MHz455KHz可编程自由运行看门狗定时器7个可编程上拉I/O6个可编程下拉I/O每个指令周期为两个时钟周期：99.9%的指令为单周期指14管脚DIP14管脚SOPE系统高低频率的变化点是E31234569781管脚分85表1854-5一般I/O脚内部上拉和漏级开6*一般I/O*内部上拉和漏级开7I正常模式下，/reset脚上的电压不能大于定义为/reset时具有内部上拉功8*一般I/O*内部上拉/漏级开路/内部下*外部定时/计数输9*一般I/O脚*编程模式下为触发器输*一般I/O脚*编程模式下为触发器输入*低电平触发的外部中断脚P66,2,*一般I/O脚*内部上拉/漏级开*一般I/O脚*内部下*一般I/O脚-*地WDT TCCWDTDATA&CONTROL2功能

操作寄R0（间接地址寄存器R1（计时/计数器如果清（OT-）C当TR2（编程计数器）“JMP＂指令直接装载R2低10位。因此，“JMP＂指令“RET＂（“RETLK＂，“RETI＂）指令将栈顶数据装入“MOVR2,A＂允许将寄存器“A＂的值装入PC的低8位，但同时PC的第9、10比特位任何对R2的内容进行直接修改的指令（如：“ADDR2,A＂，“MOVR2,A＂，“BC改变R2内容的指令需要2个指令周期，除此之外，所有的指令均只需1个指令PC(A9PC(A9~ResetInterruptStackLevelStackLevelStackLevelStackLevelStackLevel3程序计数器结(I/OPortControl(I/OPortControl(WDTControl︰General图4数据器的配R3（状态寄存器TPZCBit0（C）进位标志位Bit2（Z）零标志位算术或逻辑操作结果为零Bit3（P）低功耗位Bit4（T）时间溢出位执行指令“SLEP＂和“WDTC＂或上电时置｀1＇，WDT时间溢出时置若是由引脚变化从休眠状态唤醒，该位置R4（RAM选择寄存器R5~R6（端口5~端口RF（中断状态寄存器Bit0（TCIF）TCC溢出中断标志。TCC溢出置1，软件清0（ICIF）P6口输入变化中断标志。P6口输入变化置1，软件清0（EXIF）外部中断标志。由/INT引脚上的下降沿置1，软件清 特殊寄存A（加法器CONT（控制寄存器-000001010011100101110Bit4（TE）TCCBit5（TS）TCC信号源选择位0：内部指令0：由DISI指令1：由ENI/RETI指令 IOCB（下拉控制寄存器--Bit0（/PD0）P50管脚的下拉1：内部下拉（/PD1）P51管脚的下拉使能控制位Bit2（/PD2）P52管脚的下拉使能控制 Bit4（/PD4）P60管脚的下拉Bit5（/PD5）P61管脚的下拉Bit6（/PD6）P62管脚的下拉Bit7未使用IOCC（漏极开路控制寄存器-0：漏极开路输出Bit1（OD1）P61管脚的漏极开路使能Bit2（OD2）P62管脚的漏极开路使能Bit3未使用Bit4（OD4）P64管脚的漏极开路使能Bit5（OD5）P65管脚的漏极开路使能Bit6（OD6）P66管脚的漏极开路使能Bit7（OD7）P67管脚的漏极开路使能IOCD（上拉控制寄存器-Bit0（/PH0）P60管脚的上拉Bit1（/PH1）P61管脚的上拉Bit2（/PH2）P62管脚的上拉Bit3未使用。Bit4（/PH4）P64管脚的上拉Bit5（/PH5）P65管脚的上拉Bit6（/PH6）P66管脚的上拉Bit7（/PH7）P67管脚的上拉IOCE（WDT控制寄存器Bit6（EIS）P60管脚（/INT）功能控制位EIS是可读可写的Bit0~5IOCF（中断寄存器Bit0（TCIE）TCIF中断使能位。0：TCIF中断Bit1（ICIE）ICIFBit2（EXIE）EXIF中断使能位 TCC/WDT&预分频有一个T或WTOTPB位决定。S~S若TWTWT令“WTSE＂时清描述了T/W的电路I/O001102TCCOverflow018-to-1 8-bitDataWDTTime5TCCWDT的模65I/O端口I/O控制寄存器的电QPQP_CLKPCWRQCLPORQPIO_CLKPDWBit6ofIOCQL CLKP_CPPCLC7P60(/INT)I/O端口和I/O控制寄存器电8P60~P67I/O端口和I/O控制寄存器电PDRP

CL

RDPRC

ENIQPQR

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DISI

(Wake-upfromNextInstruction(Wake-upfromSLEEP)9输入变换中断／唤醒的端口6I/O框I/OPort6MOV使能中断(Set若"ENI"中断向I/OPort6MOV执"ENI"指Port6(中断中断向量(复位和唤复WDT溢出（若使能P（源。行执“EII＂）序是否转入中断处理SE行I令将在唤醒后从地址S行IS行。醒。参断的相关部分。MOVA,@xxxx1110b MOVA,@0xxxxxxxb；WDTIOWREMOV ；读端口MOV IOW 2.为了避免P6口输入状态改变发生中断进入中断向量或用于唤醒MCUWDT分频器的比率必须大于BitXXXX00001111/RESETand00001111Wake-UpfromPin0000PPPPBit11111111/RESETand11111111Wake-UpfromPinPPPPPPPPBitXXXX11111111/RESETandPPPPPPPPWake-UpfromPinPPPPPPPPBit11111111/RESETandPPPPPPPPWake-UpfromPinPPPPPPPPBitX21010111111 Reset Bit Bit6Bit5Bit4Bit Bit Bit1Bit/RESETand10111111Wake-UpfromPinP0PPPPPPBitUUUUUUUU/RESETandPPPPPPPPWake-UpfromPinPPPPPPPPBit00000000/RESETand00000000Wake-UpfromPinPPPPPPPPBit00000000/RESETand00000000Wake-UpfromPinPPPPNPPPBitTPZC00011UUU/RESETand000ttPPPWake-UpfromPin1PPttPPPBitUUUUUUUU/RESETandPPPPPPPPWake-UpfromPinPPPPPPPP)BitXXXXXFF00000000/RESETand00000000Wake-UpfromPin00000PNPBitX654321011111111/RESETand11111111Wake-UpfromPinPPPPPPPPBitX00000000/RESETand00000000Wake-UpfromPinBitPPPPPPPP7654X21011111111/RESETand11111111Wake-UpfromPinPPPPPPPPBitXXXXXX10111111/RESETand10111111Wake-UpfromPin1P111111BitXXXXXEE11111000/RESETand11111000Wake-UpfromPin11111PPPBitUUUUUUUU/RESETandPPPPPPPPWake-UpfromPinPPPPPPPP/RESET的配R3中的T、P、RST的状表4中列出的RST、T和P的值可以用来检查处理器是如何唤醒的。表5列出了Power011/RESETduringOperating0/RESETwake-upduringSLEEP01000PWDTwake-upduringSLEEP000Wake-UponpinchangeduringSLEEP110表5复位及被影响的RST、T、P状Power011WDTC11WDTtime-00SLEP10Wake-UponpinchangeduringSLEEP110图10复位控制器的框中在P6口输入变化中断使能前，读P6口寄存器是必要的（例如：“MOVR6,R6＂）的P60除外。如果在执行SLEP指令进入睡眠模式之前使能PORT6输入变化中断，则SLEP后下一条指令，若全局中断使能，则从中断向量地址0X008起执行指令。F是中断状态寄存器，其各标志位记相应的中断请。OF是中断寄器全局中断能或由III指令成。当断生时，下指令将地址不管其位状态何或是执E，寄存的应位II除外）由中。令E当INT指令（若使能）产生中断时，下一指令将从地址001H 图11中断输入电荡振荡器1110HXT(HighXTALoscillator01LXT(LowXTALoscillator001110HXT(HighXTALoscillator01LXT(LowXTALoscillator00<<注意在HXT和LXT之间的系统频率变化分界点大约为400KHz表7最大工作频率Twocycleswithtwo晶体振荡器/陶瓷谐振器Ext.12外部时钟输入电在大多数应用中，引脚SO和SI上可接晶体或陶瓷谐振器来产生振荡，图为电路，不论是还是X模式都为、、串Ttrp13晶体/振荡器电4552.04.0 外部RC在一些不需要精确定时的应用中，使用振荡器（图6）可以节省部分费用，尽率（至度，由工，会微。为了获得稳定的系统频率，电容值不能小于20pF，电阻值不能大于1M16外部RC振荡器模式电表9RC振荡器频201003003.923.632.61501.41.561.33940917476480505955257040038420020320.920□：以上数据是基于DIP封装测量 □：频率偏差大约为内部RCE如M和OOM和T的A~A可这率温MP。表1内部RC偏移率(Ta=25C,VDD=5V5%,±±±±±±±±±±±±±±±±代码选项寄代码选项寄存器 Bit10(CLKS)：指令111110HXT(HighXTALoscillator01LXT(LowXTALoscillator00在HXT和LXT之间的系统频率分界点大约为400KHz1：不加1118104.50128801118104.501288007201X01Bit2、1、0（C2,C1,C0）：内部RC模式的校准位。代码选择寄存器（WORDBit1和Bit0（RCM1RCM0）：RC模式选择11410801100用户ID寄存器（WordBit12~Bit上电将复位并正常工作。如果Vdd上升的足够快（50ms或更少），额外的外部复位电路可编程振荡器的建立时从到。对大多数晶荡或陶振，工作频率越低，起振需要的时间越长。表说明了时外部上电复位电图路了产宽应作电压。当电压时该电路。由于ST引脚的漏电约为，建/EV图17外部电源重置上电复位电残余电压更换电池时，Vdd断开后仍有一个小于Vdd最小值但又不为0的残存电压。这将引起18残余电压保护的电路EM78P153/RVd指令

19残余电压保护的电路变程序计数器R2数值的指令如"MOVR2,A","ADDR2,A"，或者是对R2进行操作的指令(如："SUBR2,A","BS(C)R2,6","CLRR2",)。这些情况，指令执行(A)使一个指令周期由4(（2）I/O寄存器组可以作为通用寄存器组。即同样的指令可对I/O＂表示一个寄存器指示器，它指示指令使用的是哪个寄存器（k000000000No000000000C000000000A0000000000WDT,Stop0000000000000000000IOWANone000000001Enable000000001000000001[TopofStack]000000001[TopofStack]PC,Enable000000001CONT000000001IORIOCRNone0000001rrMOVA0000010000Z0000011rrCLR0Z0000100rrSUBR-A0000101rrSUBR-A0000110rrDECAR-1Z0000111rrDECR-1Z0001000rrORAVRZ0001001rrORAVRZ0001010rrANDA&RZ0001011rrANDA&RZ0001100rrXORARZ0001101rrXORARZ0001110rrADDA+R0001111rrADDA+R0010000rrMOVRZ0010001rrMOVRZ0010010rrCOMA/RZ0010011rrCOM/RZ0010100rrINCAR+1Z0010101rrINCR+1Z0010110rrDJZAR-1A,skipif0010111rrDJZR-1R,skipif0011000rrR(n)A(n-1),R(0)C,CC0011001rrRRCR(n)R(n-1),R(0)C,CC0011010rrRLCAR(n)A(n+1),R(7)C,CC0011011rrRLCR(n)R(n+1),R(7)C,CC0011100rrSWAPAR(0-3)A(4-7),R(4-7)A(0-0011101rrSWAPR(0-3)R(4-0011110rrJZAR+1A,skipif0011111rrJZR+1R,skipif0100bbbrrBC0None0101bbbrrBS1None0110bbbrrJBCifR(b)=0,0111bbbrrJBSifR(b)=1,100kkkkkkCALLPC+1[SP],(Page,k)101kkkkkkJMP(Page,k)11000kkkkMOVk11001kkkkORAkZ11010kkkkANDA&kZ11011kkkkXORAkZ11100kkkkRETLkA,[TopofStack]11101kkkkSUBk-A111100000PC+1[SP],001H11111kkkkADDk+A<<注意时序ACTestInput/Output TESTPOINTSACTesting:Inputisdrivenat2.4Vforlogic"1",and0.4Vforlogic"0".Timingmeasurementsaremadeat2.0Vforlogic"1",and0.8Vforlogic"0". RESET TCCInputTimingTemperatureunder0Cto-65CtoInput-0.3VtoOutput-0.3VtoDC电气特(Ta=0C~70C,VDD=5.0V5%,VSS=0VXTAL:VDDtoTwocyclewithtwoXTAL:VDDtoTwocyclewithtwoXTAL:VDDtoTwocyclewithtwoRC:VDDtoR:5K,C:39F-InputLeakageCurrentforinputVIN=VDD,InputHighVoltagePorts5,VPorts5,VVVClockInputHighVoltageVClockInputLowVoltageVInputHighVoltagePorts5,VPorts5,VVVClockInputHighVoltageVClockInputLowVoltageVOutputHighVoltage(Ports5,(P60~P63,P66~P67areSittIOH=-12.0VOutputLowVoltage(P50~P53,P66~P67are IOL=12.0VIOL=16.0VPowerdownAllinputandI/Opinsatoutputpinfloating,WDT1PowerdownAllinputandI/OpinsatVDD,outputpinfloating,WDTattwoclocks(Crystaltype,CLKS="0"),outputpinfloating,WDTOperatingsupplycurrent(VDD=3V)attwoclocks(Crystaltype,CLKS="0"),outputpinfloating,WDTAttwoclocks(Crystaltype,CLKS="0"),outputpinfloatingattwoclocks/RESET=(Crystaltype,CLKS="0"),outputpinfloatingAC电气特(Ta=0C~70C,VDD=5V5%,InputCLKduty%InstructioncycletimeCrystalRCTCCinputDeviceresetholdTa=17.6-/RESETpulseTa=WatchdogtimerTa=17.6-WatchdogtimerTa=4.5-WatchdogtimerTa=288-WatchdogtimerTa=72-Inputpinsetup0InputpinholdOutputpindelayICVih/Vil(Inputpinswith itt2Vihtyp25℃Vihmin(-40℃toVih/Vil(Inputpinswith itt2Vihtyp25℃Vihmin(-40℃to1Vihtyp25℃Vihmin(-40℃to0345VddVihVilFig.18Vih,VilofP60~P63,P66,P67vs.VthVthVth(Inputthersholdvoltage)ofI/OVDDVoh/Ioh(VDD=5Vth(Inputthersholdvoltage)ofI/OVDDVoh/Ioh(VDD=5VohVoh/Ioh-VohIohIoh Fig.20Port5andPort6Vohvs.Ioh, Fig.21Port5andPort6Vohvs.Ioh,IolIolIolVol/Iol(VDD=3Max0Vol/Iol(VDD=3Max0TypMin 0 1 2 VolVol/IolMaxTypMinVolIolIolPort6.6~Port6.7Volvs.Iol, Port6.6~Port6.7Volvs.Iol,IolIolVol/IolVol/Iol(VDD=3MaxMaxTypTypMinMin000 50