与嵌入式系统基础实验教程1-第1章数据手册sst39vf

1M16SST39LF1603.03.6VSST39VF1602.7耐用性100,000个周期典型数据保持时间大于100年低功耗14MHz时的典型值有效电流12mA典型等待电流4uA典型自动低功耗模式4uA典快速读时SST39LF160为55nsSST39VF16070ns90ns快速擦除和字编程Word-Program扇区擦除时间18ms典型块擦除时间18ms典型擦除时间70ms典型字编程时间14us典型重写时间SST39LF/VF16015s典内部VPP产CMOSI/O兼48脚TSOP12mm48TFBGA8mmSST39LF/VF160是一个1M16的CMOS多功FlashMPF器件SST特有的高性能SuperFlash技术制造而成SuperFlash技术的闸split-gate单元结构和厚氧化物制程的采用可提供可靠性更强工艺更完善的解决方案相对其它方法SST39LF160的写编程或擦除操作电源电压为3.03.6VSST39VF160的写编程或擦除操作电源电压为2.73.6V这两个器件都符合16JEDEC标准SST39LF/VF160具有高性能的字编程功编程时间14us器件通过触发位或数据#查询位来指示编程操作的完成为了防止意外写的发生器件还提供了硬件和软件数据保护机制SST39LF/VF160的10,000个周期的耐用性和大于100年的数据保持时间使其可广泛用于设计制造和测试等应用中SST39LF/VF160尤其适用于要求程序配置或数据器可方便和低成本地更新的应用对于所有的系统SST39LF/VF160的使用可显著增强系统的性能和可靠性降低功耗它们比其它技术制造的Flash器件在擦除和编程操作中消耗更少的能量所有能量的消耗与应用的电压电流和操作时间有关由于不管对于任何的电压范围SuperFlash技术都消耗很小的电流使用很短的擦除时间因此SST39LF/VF160在擦除或编程操作中消耗的能量小于其它Flash技术制造而成的器件SST39LF/VF160也增强了程序数据和配SuperFlash技术提供了固定的擦除和编程时间/编程周期数无用时不必像/编程周期的增加而延长对软件或硬件进行修改和变动为了满足器件高密度的要求SST39LF/VF160提供48TSOP48TFBGA两种封装形式管SST39LF/VF160的器操作由命令来启动命令通过标准微处理器写时序写入器件将WE#拉低CE#保持低电平来写入命址总线上的地址WE#CE#的下降沿论哪一个后产生下降沿存数据总线上的数据在WE#CE#的上升沿无论哪一个先产生上升沿被锁存SST39LF/VF160还包含一种自动低功耗模式状态样IDD有效读15mA降低4uA自动低功耗模式可将典型的IDD有效读电流降低到读周期内1mA/MHz只要启动另一次读周期的地址或控制信号发生变化器件就退出自动低功耗模式不占用时间注意当CE#保持低电平而使器件上电后器件就不能进入自动低功耗模式直到出现第一个地址跳变或CE#变为高电平读SST39LF/VF160的读操作由CE#和OE#有两者都为低统才能从器件的输出管脚得数据CE#是器件片选信号当CE#为高电平时器件未被选中工作只消耗等待电流OE#是输出控制信号用来控制输出管脚数据的输出当CE#或OE#为高电平时数据总线呈现高阻态参考图3的读周SST39LF/VF160以字形式进行编程编程前包含字的扇区必须完全擦除编程操作分为三步第一步执行三字节装载时序用于软件数据保护第二步装载字地址和字数据在字编程操作中地址在CE#或WE#的上升沿不论哪一个后产生下降沿锁存数据在CE#WE#的上升沿不论哪一个先产生上升沿锁存第三步执行内部编程操作该操作在第4WE#CE#的上升沿出现不论哪一个先产生上升沿之后启动编程操作一旦启动将在20us内完成见图45WE#CE#控制的编程操作时序图以及图16的流在编程操作过程中只有数据#查询位和触发位的读操作有效在内部编程操作过程中主机可以自由执行其它任务该过程中发送的任何命令都被忽略扇区扇区或块擦除操作允许系统对器件执行连续的扇区擦除或连续的块擦除SST39LF/VF160提供了扇区擦除和块擦除模式扇区结构统一为2K32K作扇区操作通过 一个总线周期内执行一个6字 令时序扇区擦除命令30H和扇区地 来启动块擦除操作通过在 一个总线周期内执行一个6字节 令时序块擦除命令50H和块地址BA 来启动扇区或块地址在第6个WE#脉冲的下降沿锁存命令30H或50H在第6个WE#脉冲的上升沿锁存内部擦除操作在第6个WE#脉冲后开始执行擦除操作是否结束由数据#查询位或触发位决定见图9和10的时序扇区或块擦除操作过程中发布的任何命令都被忽略SST39LF/VF160包含擦除功能允许用户擦除整个器阵列使其变为1状态这在需要快擦除操作通过在一个总线周期内执行一个6字节令5555H地址处的擦除命令 时序来启动在第6个WE#或CE#的上升沿无论哪一个先出现上升沿开始执行擦除操作擦除过程中只有触发位或数据#查询位的读操作有效见表4令时序序列图8的时序图和图19的SST39LF/VF160提供两种检测写编程或擦除周期结束的软件方法以便优化系统的写周期软件检测包括2个状态位数据#查询位DQ7和触发位DQ6写结束检测模式在WE#的上升沿后使能非易失性写操作的结束与系统不同步因此数据#查询位或触发位的可能与写周期结束同时发生如果这样系统就可能得到一个错误的结果即有效数据与DQ7或DQ6发生为了防止错误的情况当一个错误结果出现时软件程序应当包含一个两次读被地址单元的循环如果两次的值均有效则器件已经完成了写周期否则接受数据数据#查询SST39LF/VF160正在执行内部编程操作DQ7的动作将得到真实数据的补码作结束DQ7为真实的数使在内部写操作结束后紧接着出现DQ7上的数据可能有效其余的数据输出管脚上的数据也无有在1us的时间间隔后执行了连续读周期上的数据才有内部擦除操作过程中读出DQ7值为0’一旦内部擦除操作完成DQ7的值为1编程操作的第4个WE#或CE#脉冲的上升沿出现后数据#查询位有效对于扇区/块擦除或擦除数据#查询位在6WE#CE#脉冲的上升沿出现后有效见图6的数据#查询时序17的流触发位在内部编程或擦除操作过程中DQ6将得10即所DQ610之间变化当内部编程或擦除操作结DQ6位的值不再变发位在编程操作的4WE#或CE#脉冲的上升沿后有效对于扇区/块擦除或擦除触发位在第6个WE#或CE#脉冲的上升沿出现后有效见图7的触发位时序和图17的流性数据防噪声干扰保护WE#CE#脉冲宽度小5ns写周期不启VDD上电/掉电检测VDD1.5V时写操写模式强制使OE#为低CE#为高WE#为高时操作被这可以防止上电或掉电过程中软件数据保护SST39LF/VF160为数据变化操作即编程和擦除操作提供了符合JEDEC标准的数据保护机制编程操作要求包含一个3字节的时序这个3字节装载时序用来启动编程操作为防止意外写例如系统上电或下电过程中出现的写操作提供最佳保护擦除操作要求包含一个6字节的时序器件出厂时软件数据保护特性就永久使能见表4中指定的软件命令代码在SDP命令时序中无效令将中止TRC内的读模式在所有SDP命令时序中DQ15DQ8的内容可能为VIL或VIH而非其它值通用Flash器接口SST39LF/VF160还包CFI信息用来描述器件特性为了进入CFI查询模式系统必须执行装载3字节的时序类似于软件ID命令该命令的最后一个周期将98HCFI查询命令装入地址5555H一CFI查询模式系统从表57给出的地址中读CFI数据系统必须通过写入CFI退出命令从CFI查询命令的执行过程中退出返回到读模式器件标识符模式用来识别SST39LF/VF160器件 制造商为SST该模式可通过软件操作进行当使用多个制造商生产的同种封装形式的器件时用户可利用软件器件标识符操作来识别器件即使用器件ID详细情况见表4的软件操作图11的软件ID和读时序图以及图18的软件ID命令序1器件标识为了返回到标准读模式必须退出软件器件标识符模式该模式通过发布一个软件ID退出命令来退出使确读符命令也可用来将器件复位到读模式注意在内部编程或擦除操作过程中软件ID退出/CFI退出命令被忽略见表4的软件命令代码图13的时序波形以及图18的流X-器X-器址地址缓冲器&Y-I/O缓冲器和数据锁存DQ15-A151A1423V4567 9Standard TopDieVV148脚TSOP的管脚配5V4V321V6248脚TFBGA的管脚配62管脚A19器地址区擦除时A19A11用来选择扇区块擦除时DQ15读周期内输出数据供给电源电压SST39LF1603.0SST39VF1602.7地3工作模式选读XXX写XXXXXXX可以是VIL或VIH4软件命令时第12期第3第4第56个总线写周数擦退退对于SST39LF/VF160命令时序地址格式是A14A0Hex地址A19A15可以是VIL或VIH不能对于命令时序DQ15DQ8可以是VIL或VIH但不能为其它WA编程字地SAx用于扇区擦除使用A19A11BAx用于块擦除用A19A5如果器件下电器件不能保持软件器件ID模A19A10SST制造商ID00BFH读出时SST39LF/VF160器件ID2782H读出时两种软件ID退出操作相类5SST39LF/VF160CFI查询标识字符ASCII码字符串基本OEM变换OEM命令设置00H变换OEM扩展表地址00H6SST39LF/VF160地系统接VDDMin编程/擦DQ7DQ4VoltsDQ3DQ0VDDMax编程/擦DQ7DQ4VoltsDQ3DQ0Vppmin00HVpp管Vppmax00HVpp管2Nus的字编程典型时间242Nus的最小规格的缓冲区编程典型时间00H2Nms的单个扇区/块擦除典型时间242Nms的擦除典型时间26字编2N次的最大时间2124缓冲区编程2N单个扇区/块擦2N次的最大时间21242N次的最大时间2126SST39LF1600030HSST39VF1607SST39LF/VF160的器件几器件规格2N字节15H=21221=2M字Flash器件接口描述0001H仅为16的异步接多字节写可写入的最大字节数目2N00H不支扇区信息y+1扇区数目z256B扇区规y155+1=512个扇区01FFHZ=16256个字节4K字节/扇区0010H块信息y+1扇区数目z256B块规y31+1=32个块001FHz256256字节64K字节/块0100H绝对最大额定值超出下面绝对最大额定值中列出的值的条件会造成器件的永久损坏上表只列出了器件正常工作的额定值操作器件不能长时间工作在绝对最大额定值条件下否则会影响其可靠性 温度…………………………....-65+150任意管脚到地的DC电压……………………….-0.5VVDD+0.5V任意管脚到地的瞬态<20ns电压…………..-2.0VVDD+2.0VA9脚到地的电压……………………..-0.5V13.2V封装功耗Ta 焊接温度 输出短路电流 1s工作温度范围 3.0工作温度范围0- 输出负载…………………CL30pFSST39LF160出负载 输出负载…………………CL30pFSST39LF160出负载…………………CL=100pFSST39VF160见图14和158DC工作特VDD3.03.6VSST39LF1602.73.6VSST39VF1602地址输入 MinVDD=VDDMaxCE#=VIL,OE#=WE#=VIH,所I/O口开CE#=WE#=VIL,OE#等待VDD电流CE#=VIHC,VDD=VDDMax所有输入Vss或VDDWE1VIN=GNDVDD,VDD=VDDVOUT=GNDVDD,VDD=VDD输入低电压CMOS输入高电压VDD–0.3VVDD=VDDMinVDD=VDDMaxVDD-VVIOL=100uA,VDD=VDDIOH=-100uA,VDD=VDD本前面描述的有效电流测试条件是温度为 室内温度时得到的平均值的VDD3VSST39LF160的VDD该值70ns的条件下测得详细信息见应用笔9建议系统上电时1TPU-1TPU-表10电容Ta f1Mhz其它管脚开C11可靠性特 年 该参数在最开始时测得对于整个器件NEND10,000个周期这个AC12读周期时序参数VDD3.03.6VSST39LF1602.73.6VSST39LF160-SST39VF160-SST39VF160-使能时地址时 000 000 T10001.该参数在最开始时测得13编程/擦除周期时序参0000 T10 软件ID和退出时该参数在最开始时测得ZZDQ15-3读周期时序4WE#控制的编程周期DDDQ15- S 注:X可以VIL或VIH,但不能为

WORD(ADDR/DATA)5CE#控制的编程周期时序DDDATADD6数据#查询时序T地址ATDQ两个输出相同的读周7触发位时序XVIL或VIH图8WE#控制的擦除时序地址A19-DQ15- S S BAXX可以是VIL或VIH9WE#控制的块擦除时序地址A19-DQ15- S S SAX10WE#控制的扇区擦除时序软件的3字节时软件的3字节时 TTDQ15- 器件ID=2782H(注XVILVIH图11软件ID和CFI查 的3字节时CFI查 的3字节时DQ15- S 注XVIL或VIH12CFI查询和软件ID退出和复位的3 DQ15-

T 注X可以是VIL或VIH13软件ID退出/CFI退V输参考输VACVIHT1VILT时对应逻辑点是VIT0.5VDD和VOT0.5VDD电压输入上升和下降时间10﹪90﹪14AC输入/输出参考波15测试负载举装载数据:装载数据:注:X可以是VILVIH,但不16字编程算TSCE,TSE或编程编程TSCE,TSE或编程编程吗编程读DQ 17等待选等待T返回到正常工模装载数据地址:CFI查询命令时 软件器等待T返回到正常工模装载数据地址:地址装载数据:地址装载数据地址装载数据:等待装载数据:等待T装载数据:装载数据:等待T装载数据:等待T模装载数据:Note:XcanbeVILorVIH,butnoother18ID/CFI命令装载数据:装载数据:装载数据:装载数据:装载数据:装载数据:装载数据