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文档简介
2.1数字系统的基本运算单元2.2开关电路与CMOS结构2.3静态分析:最大集成设计2.4动态分析:延迟时间及缓冲处理第二章
数字集成电路的基本单元VHDL与数字集成电路设计1高电平0低电平
理想电平:1Vcc0Gnd2.2开关电路与CMOS结构逻辑值的电平表达问题:静态功耗太大;难以接近理想电平;逻辑运算的简单实现2.2开关电路与CMOS结构电路输出利用受输入控制的开关获得信号电平静态功耗小,电平可以趋于理想化开关电路的设计思路2.2开关电路与CMOS结构2.2开关电路与CMOS结构MOS开关器件的控制原理2.2开关电路与CMOS结构2种MOS开关器件
NMOS高电平通,低电平断,传递低电平PMOS低电平通,高电平断,传递高电平2.2开关电路与CMOS结构toxn+n+CrosssectionLGateoxidexdxdLdPolysilicon
gateTopviewGate-bulkoverlapSourcen+Drainn+W2.2CMOS器件的寄生电容2.2CMOS器件的栅极电容Cut-offResistive2.2CMOS器件的寄生电容2.2NMOS寄生电容特性BottomSidewallSidewallChannelSourceNDChannel-stopimplantNA1SubstrateNAWxjLS2.2NMOS寄生电阻特性25nmFINFETMOStransistor2.2新型FinFET器件CMOS互补逻辑结构每个输入连接1N1P,N串联表达与,N并联表达或2.2开关电路与CMOS结构CMOS互补逻辑结构与门采用与非门和反相器级联构成2.2开关电路与CMOS结构互补逻辑结构特点电路由P管网络和N管网络构成;每个输入控制1P1N;2个网络对应开关器件的连接关系互为对偶;
N管串联实现与运算,并联实现或运算。2.2开关电路与CMOS结构三输入器件的结构开关数量:三输入器件少于2个2输入器件2.2开关电路与CMOS结构4输入器件的结构2.2开关电路与CMO
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