晶振知识培训课件

技术员知识培训石英晶体常规技术指标标称频率

晶体元件规范所指定的频率。调整频差基准温度时，工作频率相对于标称频率的最大允许偏离。常用ppm（1/106）表示。温度频差在整个温度范围内工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离。常用ppm（1/106）表示。谐振电阻（Rr）晶体元件在串联谐振频率Fr时的电阻值。负载电容（CL）

与晶体元件一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容静态电容（C0）等效电路静态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。它的常用计算公式为：

C0=KC0×Ae×F0＋C常数

KC0——电容常数，其取值与装架形式、晶片形状有关;Ae——电极面积，单位mm2；

F0——标称频率，单位KHz；

C常数——常数，单位PF;动态电容（C1）等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积，另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。它的常用公式为：

C1=KC1×Ae×F0＋C常数

KC1——电容常数；

负载谐振频率（FL）晶体元件与一负载电容串联或并联，其组合阻抗为电阻性的两个频率中的一个频率。品质因数（Q）品质因数又称机械Q值，它是反映谐振器性能好坏的重要参数，它与L1和C1有如下关系

Q=wL1/Rr=1/wRrC1

如上式，R1越大，Q值越低，功率耗散越大，而且还会导致频率不稳定。反之Q值越高，频率越稳定。相对负载频率偏置（DL）

晶体负载谐振频率相对于串联谐振频率的变化量DL=(FL-Fr)/Fr，可由下式近似计算：

DL≈C1/2（C0＋CL）相对频率牵引范围（DL1,L2）晶体在两个固定负载间的频率变化量。

D(L1,L2)=│(FL1-FL2)/Fr│=│C1(CL2-CL1)/2(C0+CL1)(C0+CL2)│牵引灵敏度（TS）晶体频率在一固定负载下的变化率。

TS≈-C1*1000/2*（C0+CL）2激励电平相关性（DLD）由于压电效应，激励电平强迫谐振子产生机械振荡，在这个过程中，加速度功转化为动能和弹性能，功耗转化为热。后者的转换是由于石英谐振子的内部和外部的摩擦所造成的。摩擦损耗与振动质点的速度有关，当震荡不再是线性的，或当石英振子内部或其表面及安装点的拉伸或应变、位移或加速度

达到临界时，摩擦损耗将增加。因而引起频率和电阻的变化。加工过程中造成DLD不良的主要原因

——谐振子表面存在微粒污染。主要产生原因为生产环境不洁净或非法接触晶片表面；

——谐振子的机械损伤。主要产生原因为研磨过程中产生的划痕。

——电极中存在微粒或银球。主要产生原因为真空室不洁净和镀膜速率不合适。

——装架是电极接触不良；

——支架、电极和石英片之间存在机械应力。寄生响应所有晶体元件除了主响应（需要的频率）之外，还有其它的频率响应。减弱寄生响应的办法是改变晶片的几何尺寸、电极，以及晶片加工工艺，但是同时会改变晶体的动、静态参数。寄生响应的测量⑴SPDB用DB表示Fr的幅度与最大寄生幅度的差值；加工难度大的指标调整频差小于+/-5PPM。温度范围宽频差窄的。有Q值要求的。49S晶体矮壳的。有C0、C1、TS的。晶体测量设备目前晶体测试仪组成方式多为网络分析仪（或厂家自制网络分析卡）加专用软件。测试功能强,几乎所有的晶体参数全能测出。目前世界晶体行业公认的设备厂商有美国S&A公司、香港科研公司，他们的设备准确度高、稳定性好、应用面广。香港科研公司测试设备KH1200KH1102KH3020KH3288石英晶体应用过程中应注意的问题防止对晶体破坏石英晶体的心脏部件为石英晶片，它随晶体频率的增加而变薄，因此对于中、高频晶体在使用、运输过程中应避免发生剧烈冲击和碰撞。以防因晶片破裂而造成产品失效。石英晶体是靠导电胶连接基座和晶片的。导电胶的主要成分是银粉和环氧树脂。环氧树脂在高温下会失效。因此建议石英晶体应避免在150℃以上长时间存放。规定工作温度范围及频率允许偏差工程师可能只规定室温下的频差。对于在整个工作温度范围内要求给定频差的应用，还应该规定整个工作温度范围的频差，规定这种频差时，应该考虑设备引起温升的容限。规定整个工作范围内频差的基本方法有两种：⑴规定整个温度范围内的总频差，如：-20-70℃范围总频差为±50ppm，这种方法一般用于具有较宽频碴而不采用频率微调的场合。⑵规定下列部分的频差：

a.基准温度下的频差为±20ppm；

b.在-20-70℃整个温度范围内，相对于基准温度实际频率的偏差±20ppm；这种方法一般用于具有较严频差的，要靠频率牵引来消除基准温度下频差的场合。负载电容和频率牵引在许多应用中，都是用一负载电抗元件来牵引晶体频率的。这对于调整制造公差、在锁相环回路中以及调频应用中可能是必要的。在绝大多数应用中，这个负载电抗元件是容性的。负载谐振频率（FL）与谐振频率（Fr）的相对频率成为“负载谐振频率偏置（DL）”。负载电容简单近似计算如下：

CL≈（C1C2/（C1+C2））+C杂散

这里C杂散指晶体元件周边电路的分布电容。资料介绍PCB电路板的分布电容多为5-6pF。晶体振荡器

功能基本装置振荡功能附加电压（analog）控制功能附加Digital

功能直接利用石英振荡器晶体的特性SPXOVCXODC-VCXO补偿频率温度特性而加以利用TCXO（模拟）DTCXO（数字）VC-TCXOVC-DTCXODC-TCXO在恒温槽内控制温度而加以利用OCXOVC-OCXODC-OCXO电压控制石英振荡器（VCXO）

控制外来的电压，使输出频率能够变化或调变的石英振荡器。恒温槽式石英振荡器（OCXO）

以恒温槽保持石英振荡器或石英振荡晶体在一定温度，控制其输出频率在周围温度下也能保持极小变化量之石英振荡器。除了以上四种振荡器外，随着PLL、Digital、Memory技术的应用，其他功能的多元化石英振荡器也快速增加时钟振荡器

（CLOCKOSCILLATORS）标称频率：指定的频率中心值。频率偏差：全温度范围内频率偏移量。温度范围：器件经历的环境温度。输入电压：工作电压。输入电流：工作电流。起振时间:指从加电开始计时到晶振振荡到标称频率（含频差）所用的时间。上升时间(Tr):“0”电平上升到“1”电平的时间下降时间(Tf)：“1”电平下降到“0”电平的时间占空比(DUTY):DUTY=Th/T*100%，TYPICAL：45%--55%输入电流（测试电路）SMD5x7晶振

频率范围：1--100M

工作温度范围与总频差：0--70℃≥+/-20PPM-40--85℃≥+/-25PPM

起振时间：5mSMAX

工作电压：3.3V、5V

上升、下降时间：≤10M：10nSMAX

＞10M：5nSMAXDIP型晶振（全尺寸、半尺寸）

频率范围：1--83.3M

工作温度范围与总频差：0--70℃≥+/-10PPM-20--70℃≥+/-20PPM

工作电压：3.3V、5V

起振时间：5mSMAX

上升、下降时间：≤10M：10nSMAX

＞10M：5nSMAXSMD5x7VCXO

频率范围：1--36M

工作温度范围与总频差：0--70℃≥+/-20PPM

工作电压：3.3V

压控电压：0.3V--3.0V

牵引范围：+/-100PPM

线性度：10%MAX

起振时间：5mSMAX上升、下降时间：≤10M：10nSMAX

＞10M：5nSMAX

DIPVCXO（全尺寸）频率范围：1--27M工作温度范围与总频差：0--70℃≥+/-20PPM工作电压：3.3V压控电压：0.3V--3.0V牵引范围：+/-100PPM线性度：10%MAX起振时间：5mSMAX上升、下降时间：≤10M：10nSMAX

＞10M：5nSMAX机械和气候实验（可靠性实验）密封试验B

试验设备：氦质谱仪试验方法：氦气加压0.5Mpa，120分钟判定标准：漏率应小于110－９Pa*m３/sec自由跌落试验设备：跌落试验箱试验方法：高度75cm，30mm厚硬木板，跌落3次。判定标准：频率变化值应小于+/-5PPM，谐振电阻变化值应小于

15%+3Ohm。振动试验设备：振动试验台

实验设备:电磁振动台试验方法：频率10-55Hz，振幅1.5mm，55-500Hz,20g三个垂直方向,每个方向30分钟。判定标准：频率变化值应小于+/-5PPM，谐振电阻变化值应小于

15%+3Ohm。

引出端强度

试验设备：自制夹具，拉力计。试验方法：按GB/T12273-1996及下列规定进行试验严酷等级：拉力0.5kg，弯曲力0.25kg。判定标准：无引线松动及玻璃珠破裂,引线无断裂及明显伤痕。

可焊性

试验设备：可焊性试验台试验方法：235±5℃，，浸渍时间2±0.5秒，10倍放大镜目测。判定标准：引线浸润良好，新锡层面积占被试面积的95%以上。

稳态湿热试验设备：湿热试验箱