电子技术第6章3讲(场效应管放大器)课件

第6章基本放大电路场效应管共源极放大电路第6讲1答疑1.线形电阻的伏安特性曲线UIRUIU/I=RU/I=R2.晶体管BE结微变等效电路IBUBEQUBEQ/IBQ=R非线性UBE/

IB=rbe在Q点处近似线性UBE

IBrbe答疑3.电流源及其特性曲线UIISISUIUIIrISrUIISI1=IS+Ir1=IS+U1/rI2=IS+Ir2=IS+U2/rI=I2-I1

=（U2-U1）/r=U/rr=U/I如何求r？§6.5场效应晶体管场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:N沟道P沟道耗尽型增强型耗尽型增强型MOS绝缘栅场效应管（N沟道）（1）结构PNNGSDP型基底两个N区SiO2绝缘层金属铝N导电沟道未预留N沟道增强型预留N沟道耗尽型PNNGSDGSDN沟道增强型（2）符号N沟道耗尽型GSD栅极漏极源极输出特性曲线UGS=0VUDS（V）ID（mA）01324UGS=+1VUGS=+2VUGS=-1VUGS=-2V夹断电压UP=-2V固定一个UDS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线耗尽型N沟道MOS管的特性曲线转移特性曲线0IDUGSUP夹断电压跨导gmUGS=0VUDS（V）ID（mA）01324UGS=+1VUGS=+2VUGS=-1VUGS=-2V=

ID/

UGS=（3-2）/（1-0）=1/1=1mA/V

UGS

IDN沟道耗尽型绝缘栅场效应管符号及特性曲线GSDIDUDSUGSGSDUGS=0VUDS（V）ID（mA）01324UGS=+1VUGS=+2VUGS=-1VUGS=-2VQ跨导gm=

ID/

UGS

ID=gm

UGSid=gmugsID=gm

UGS2场效应管的微变等效电路GSDSGDrDSidrDS=

UDS/

ID很大，可忽略。3静态分析无输入信号时（ui=0），估算：UDS和ID。+UDD=+20VuoRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150K50K1M10K10KGDS10KIDUDSR1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V设：UG>>UGS则：UGUS而：IG=0+UDD+20VR1RDRGR2150K50K1M10KRS10KGDS所以：=直流通道IDUDSIG4动态分析微变等效电路+UDD=+20VuoRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150K50K1M10K10KGDS10KSGR2R1RGDRLRDUgsgmUgsUiUoIdSGDid电压放大倍数估算R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRD=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V=-3（10//10）=-15RL=RD//RLro=RD=10KSGR2R1RGRLDRLRD输入电阻、输出电阻=1+0.15//0.05=1.0375MR1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20Vrirori=RG+R1//R25源极输出器uo+UDD+20VRSuiC1R1RGR2RL150K50K1M10KDSC2G10KR1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20Vuo+UDD+20VRSuiC1R1RGR2RL150K50K1M10KDSC2G10K微变等效电路：微变等效电路：rirorogR2R1RGsdRLRSUi=Ugs+UoUo=Id(RS//RL)=gmUgsRL求rigR2R1RGsdRLRSriri=RG+R1//R2ri=RG+R1//R2uo+UDD+20VRSuiC1R1RGR2RL150K50K1M10KDSC2G10KR1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20VAu=gmRL1+gmRL=[3(10//10)]/[1+3(10//10)]=0.94

=RS1+gmRSro=10/(1+310)=0.323k代入数值