标准解读
《GB/T 6798-1996 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理》与《GB 6798-1986》相比,在内容上进行了多方面的更新和调整,以更好地适应技术进步和行业需求。首先,在标准的编号上,从GB变更为GB/T,表明该标准由强制性国家标准转变为推荐性国家标准,这反映了对市场和技术发展更加灵活的支持态度。
在具体内容方面,《GB/T 6798-1996》增加了关于电压比较器性能参数测试的新方法和技术要求,包括但不限于输入失调电压、开环增益等关键指标的具体测量步骤。此外,新版本还详细规定了测试环境条件(如温度范围)、电源电压波动允许的最大值以及负载电阻的选择原则等内容,这些都旨在确保测试结果的一致性和可比性。
对于测试设备的要求也有所提高,《GB/T 6798-1996》明确了使用高精度仪器的重要性,并给出了建议使用的型号规格。同时,针对不同类型或封装形式的电压比较器,提供了更具体的测试配置指导,帮助用户根据实际情况选择最合适的测试方案。
另外,新版标准加强了对安全操作规程的关注,强调在进行电气特性测试时必须遵守相关安全规范,防止因不当操作导致人身伤害或设备损坏。通过引入更多实际案例分析,使得标准更具实践指导意义。
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- 现行
- 正在执行有效
- 1996-07-09 颁布
- 1997-01-01 实施



文档简介
ICS31.200L56中华人民共和国国家标准GB/T6798-1996半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理SemiconductorintegratedcircuitsGeneralprinciplesofmeasuringmethodsofvoltagecomparators1996-07-09发布1997-01-01实施国家技术监督局发布
1主题内容与适用范围2引用标准3总的要求4电特性测试4.1输入失调电压Vo“.2输入失调电压温度系数wo4.3输入失调电流/o·4.4输入失调电流温度系数uo4.5输入偏置电流7e…·4.6输入偏置电流温度系数m²·4.7静态功耗Po4.8开环电压增益4vp4.9共模抑制比Kcwk4.10最大共模输入电压Vru4.11电源电压抑制比K。va4.12最大差模输入电压Vim4.13输出高电平电压Vom4.14输出低电平电压Vo4.15高电平输出电流/om4.16低电平输出电流1o…·4.17开环差模输入电阻Ro4.18开环单端输出电阻Ros4.19低电平选通电流srl204.20高电平选通电流/srr)214.21响应时间·…4.22选通延退时间sr23附录电参数符号(补充件)………………25
中华人民共和国国家标准半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理cB/T6798-1996Semiconductorintegratedcircuits代替GB6798-86Generalprinciplesofmeasuringmethodsofvoltagecomparators主题内客与适用范围本标准规定了半导体集成电路电压比较器(以下简称器件)电特性测试方法的基本原理.本标准适用于半导体集成电路电压比较器电特性的测试。2引用标准GB3431.1半导体集成电路文字符号电参数文字符号总的要求3.1若无特殊说明,测试期间,环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定。3.2测试期间,应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定。3.3测试期间,施于被测器件的电源的内阻在信号频率下应基本为零;电源电压的偏差应在规定值的士1%以内。施于被测器件的其他电参量的精度应符合器件详细规范的规定。3.4在被测器件线性工作区测试时,交流小信号幅度的逐渐减小不应引起参数值的变化。3.55被测器件与测试系统连接或断开时,不应超过器件的使用极限条件。3.6若有要求时,应按器件详细规范规定的顺序接通电源。3.7测试期间,被测器件应连接详细规范规定的辅助电路和补偿网络3.8测试期间,被测器件应选免出现自激现象,3.9若电特性值是由几步测试的结果经计算而确定时,这些测试的时间间隔应尽可能短。3.10用辅助放大器(A)与被测器件
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