GB/T 4937.17-2018半导体器件机械和气候试验方法第17部分：中子辐照

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第17部分中子辐照

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part17Neutronirradiation

:

(IEC60749-17:2003,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分扫频振动

———12:;

第部分盐雾

———13:;

第部分引出端强度引线牢固性

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐照

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

———20:;

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:(HSAT);

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级

———28:(ESD)(CDM);

第部分闩锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法

———37:;

第部分半导体存储器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:;

第部分采用张力仪的板级跌落试验方法

———40:;

第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法

———41:;

第部分温度和湿度贮存

———42:;

第部分集成电路可靠性鉴定方案指南

———43:(IC);

第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法

———44:。

本部分为的第部分

GB/T493717。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分

IEC60749Ƽ17:2003《17:

中子辐照

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所西北核技术研究所中国科学院新疆理化

:、、

技术研究所

。

本部分主要起草人席善斌彭浩陈伟林东生杨善潮金晓明郭旗陆妩崔波陈海蓉

:、、、、、、、、、。

Ⅱ

GB/T493717—2018/IEC60749-172003

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第17部分中子辐照

:

1范围

的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性本部分适用于集

GB/T4937。

成电路和半导体分立器件中子辐照主要针对军事或空间相关的应用是一种破坏性试验

。,。

试验目的如下

:

检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系

a);

确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内

b)

见第章

(4)。

2试验设备

21测试仪器

.

辐射试验中采用的测试仪器应是能测量所要求电参数的标准实验室电子测试仪器如电源数字电

,、

压表和皮安培计等

。

22辐射源

.

试验中采用的辐射源应是脉冲反应堆

。

23剂量测定设备

.

快中子阈值活化箔如3254和58

a),S、FeNi;

等热释光剂量计

b)CaF2(TLD);

适用的活化箔计数设备及读出设备

c)TLD。

24剂量测定

.

241中子注量

..

通过测定同时受辐照的快中子活化箔如3254和58中感生的放射总量可获得用于器件辐射

S、FeNi,

的中子注量

。

把活化箔中测得的放射量换算到中子注量的标准方法由有关标准给出由箔的放射量换算到中子

。

注量需要确定入射在箔上的中子谱