GB/T 41033-2021CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

ICS49035

CCSV.29

中华人民共和国国家标准

GB/T41033—2021

CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

DesignrequirementsofradiationhardeningforCMOSIC

2021-12-31发布2022-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T41033—2021

目次

前言

…………………………Ⅰ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和缩略语

3、………………………1

术语和定义

3.1…………………………1

缩略语

3.2………………2

设计流程

4…………………2

抗辐射加固设计要求

5……………………3

抗总剂量辐射加固设计原则与要求

5.1………………3

抗单粒子辐射加固设计原则与要求

5.2………………7

集成电路辐射效应建模与仿真要求

6……………………10

集成电路辐射效应建模与仿真一般要求

6.1…………10

集成电路辐射效应建模与仿真要求

6.2………………10

集成电路辐射效应建模与仿真方法

6.3………………10

辐照验证试验要求

7………………………11

总剂量辐照验证试验要求

7.1…………11

单粒子辐照验证试验要求

7.2…………14

GB/T41033—2021

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC425)。

本文件起草单位中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所

:。

本文件主要起草人刘智葛梅谢成民王斌于洪波岳红菊姚思远李海松耿增建胡巧玉

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T41033—2021

CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

1范围

本文件规定了集成电路抗辐射总剂量单粒子加固设计的流程设计要求建模仿真验

CMOS(、)、、、

证试验要求

。

本文件适用于基于体硅工艺的数字集成电路模拟集成电路和数模混合集成电路的

/SOICMOS、

抗辐射总剂量单粒子加固设计

(、)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,。,()

本文件

。

集成电路术语

GB/T9178

3术语定义和缩略语

、

31术语和定义

.

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T9178。

311

..

总剂量辐射效应totalionizingdoseeffectsTID

;

总剂量辐射效应是指电离辐射的累积导致器件的参数发生退化的现象

。

312

..

单粒子效应singleeventeffectsSEE

;

具有一定能量的单个重离子或质子射入集成电路引发集成电路翻转锁定烧毁等致使集成电路

,、、,

性能退化或功能失效的现象的统称

。

313

..

单粒子翻转效应singleeventupseteffectsSEU

;

由单粒子辐射引发集成电路逻辑状态改变的效应

。

314

..

单粒子瞬态效应singleeventtransienteffectsSET

;

由单粒子辐射导致集成电路输出端出现异常脉冲信号的效应