第2章光纤的特性1

第二章光纤的特性2.1引言光纤传输损耗、色散和偏振是光纤最重要特性参量。它在很大程度上决定了中继站之间的距离。2023/2/5损耗吸收损耗散射损耗本征吸收杂质离子吸收过渡族金属离子OH-紫外吸收红外吸收本征散射及其他制作缺陷芯-包层界面不理想喇曼散射瑞利散射折射率分布不均匀气泡、条纹、结石布里渊散射与波长四次方成反比2023/2/52.2.1光纤的损耗特性吸收损耗 吸收损耗是由制造光纤材料本身以及其中的过渡金属离子和氢氧根离子(OH－)等杂质对光的吸收而产生的损耗，前者是由光纤材料本身的特性所决定的，称为本征吸收损耗。2023/2/51.本征吸收损耗 本征吸收损耗在光学波长及其附近有两种基本的吸收方式。紫外吸收损耗 紫外吸收损耗是由光纤中传输的光子流将光纤材料中的电子从低能级激发到高能级时，光子流中的能量将被电子吸收，从而引起的损耗。2023/2/5(2)红外吸收损耗 红外吸收损耗是由于光纤中传播的光波与晶格相互作用时，一部分光波能量传递给晶格，使其振动加剧，从而引起的损耗。2.杂质吸收损耗 光纤中的有害杂质主要有过渡金属离子，如铁、钴、镍、铜、锰、铬等和OH－。2023/2/53.原子缺陷吸收损耗

通常在光纤的制造过程中，光纤材料受到某种热激励或光辐射时将会发生某个共价键断裂而产生原子缺陷，此时晶格很容易在光场的作用下产生振动，从而吸收光能，引起损耗，其峰值吸收波长约为630nm左右。2023/2/5散射损耗1.线性散射损耗 任何光纤波导都不可能是完美无缺的，无论是材料、尺寸、形状和折射率分布等等，均可能有缺陷或不均匀，这将引起光纤传播模式散射性的损耗，由于这类损耗所引起的损耗功率与传播模式的功率成线性关系，所以称为线性散射损耗。2023/2/5(1)瑞利散射 瑞利散射是一种最基本的散射过程，属于固有散射。 对于短波长光纤，损耗主要取决于瑞利散射损耗。值得强调的是：瑞利散射损耗也是一种本征损耗，它和本征吸收损耗一起构成光纤损耗的理论极限值。2023/2/5(2)光纤结构不完善引起的散射损耗(波导散射损耗)

在光纤制造过程中，由于工艺、技术问题以及一些随机因素，可能造成光纤结构上的缺陷，如光纤的纤芯和包层的界面不完整、芯径变化、圆度不均匀、光纤中残留气泡和裂痕等等。2023/2/52.非线性散射损耗 光纤中存在两种非线性散射，它们都与石英光纤的振动激发态有关，分别为受激喇曼散射和受激布里渊散射。2023/2/5弯曲损耗 光纤的弯曲有两种形式：一种是曲率半径比光纤的直径大得多的弯曲，我们习惯称为弯曲或宏弯；另一种是光纤轴线产生微米级的弯曲，这种高频弯曲习惯称为微弯。2023/2/5 在光缆的生产、接续和施工过程中，不可避免地出现弯曲。 微弯是由于光纤受到侧压力和套塑光纤遇到温度变化时，光纤的纤芯、包层和套塑的热膨胀系数不一致而引起的，其损耗机理和弯曲一致，也是由模式变换引起的。2023/2/5光纤损耗系数 为了衡量一根光纤损耗特性的好坏，在此引入损耗系数(或称为衰减系数)的概念，即传输单位长度(1km)光纤所引起的光功率减小的分贝数，一般用α表示损耗系数，单位是dB/km。用数学表达式表示为：2023/2/5 式中：L为光纤长度，以km为单位；P1和P2分别为光纤的输入和输出光功率，以mW或μW为单位。2023/2/5光纤损耗的来源(1)(2)水峰2023/2/52.3光纤色散光纤色散是光纤最重要特性参量之一。它在很大程度上决定了信号传输质量2023/2/52.3.1引言光纤色散：在光纤中传输的光脉冲，受到由光纤的折射率分布、光纤材料的色散特性、光纤中的模式分布以及光源的光谱宽度等因素决定的“延迟畸变”，使该脉冲波形在通过光纤后发生展宽。（1）多模色散（2）波导色散（3）材料色散（4）偏振色散波长色散2023/2/5脉冲与脉冲线宽=为光源的线宽，为脉冲的脉宽2023/2/5群延时t2023/2/5群速与群延时群速的表示：群延时：群速Vg行进单位长度所花费的时间，即2023/2/5光纤内的群延时ps/nm2023/2/5

多模光纤色散SI光纤的模式色散

GRIN(=2)光纤的的模式色散，单位长度脉冲展宽为2023/2/5材料色散参量(ps/nm/km)材料色散参量2023/2/5波导色散短波长=0.82m处材料色散M=110：波导色散M’=2ps/nm/km材料色散：难调整波导色散：比较容易调整2023/2/5

偏振模弥散水平偏振基模与垂直偏振基模的群速不同造成的脉冲即xy2023/2/5举例n1=1.48,，n2=1.473；L＝0.3km=0.00472023/2/5

材料色散、波导色散是由于光脉冲由同一模式运载，因光源有线宽，而不同波长光的群速不同导致的脉冲展宽。

模式色散是由于光脉冲由同一波长光的不同模式运载，因不同模式的群速不同导致的脉冲展宽。

偏振模色散是由于光脉冲由同一波长光的同一模式运载，因不同偏振态光的群速不同导致的脉冲展宽。各种色散导致脉冲展宽的特点2023/2/5

各种光纤的综合性能和用途2023/2/52.4单模光纤的设计2.4.1引言多模光纤色散2023/2/5单模光纤的色散图2.4.1石英玻璃的材料色散DMλDW图2.4.2单模光纤的波导色散2023/2/5常规SI单模光纤(SMF-SingleModeFiber)ZMD：零色散点ZMD＝1.3m0=1.55mD＝17ps/nm/km＝0.2dB/km

2023/2/5零色散位移光纤(DSF-ZeroDispersionShiftedFiber)ZMD＝1.55m2023/2/5非零色散位移光纤(NonzeroDispersionShiftedFiber)

2023/2/5单模光纤色散比较2023/2/52.4.2截止条件2023/2/52.4.3色散特性2023/2/52.5偏振保持光纤简介2.5.1引言轴对称单模光纤：两个线偏振正交模式或两个圆偏振正交模式偏振模色散：实际光纤不可避免地存在一定缺陷，如纤芯椭圆度和内部残余应力，使两个偏振模的传输常数不同，这样产生的时间延迟差称为偏振模色散或双折射色散。偏振态改变发生偏振色散保偏光纤：维持光波偏振态的偏振保持光纤2023/2/5偏振模色散Δτ取决于光纤的双折射，由Δβ=βx-βy≈nxk-nyk得到2023/2/5双折射参量的定义

保偏光纤(PMF)传输相位差2023/2/5拍长LB高双折射率(HB)保偏光纤:BF>10-5低双折射率(LB)保偏光纤:BF<10-6保偏光纤(PMF)2023/2/52.5.2保偏光纤结构类型(PolarizationMaintainingFiber)2023/2/52.5.3高双折色光纤的制作方法石英管或预制棒研磨法（MCVD法:改进的化学汽相淀积

）管套棒法光刻腐蚀法气相腐蚀法2023/2/5通信用光纤大多数是由石英玻璃材料组成的。光纤的制造要经历光纤预制棒制备、光纤拉丝等工艺步骤。

光纤制作工艺流程概述2023/2/5预制棒的生产主要预制棒生产厂家有康宁、朗讯、阿尔卡特及日本藤仓、古河等主要有四种工艺：MCVD(ModifiedChemicalVaporDeposition)OVD(OutsideVaporDeposition)VAD

(VaporAxialDeposition)汽相沿轴沉淀积法

PCVD(PlasmaChemicalVaporDeposition)等离子体化学汽相淀积

2023/2/5工业界大多采用MCVD制作多模光纤。在石英管中加氧气及高纯度的卤化物，加热形成多层折射率不同的玻璃，玻璃再收缩变成实心棒，即为预制棒，此法很容易控制预制棒的形状及大小。预制棒成形后，先作量测，再移到石墨炉中加热抽丝成为光纤2023/2/5为保护其强度，避免受潮及污染，必须在裸光纤表面镀上保护层，整个生产流程须4～5天（预制棒～2天）。纤芯包层一次涂覆二次涂覆2023/2/5该工艺由AT&T贝尔实验室于1974年开发。利用SiCl4与GeCl4等气态原料导入旋转石英玻璃管中，并在石英管外侧进行加热使管内物质进行氧化反应，产生SiO2、GeO2在石英管内壁形成30~100层之层积状态而构成光纤之主要成分。若针对制造需有折射率变化规格的光纤产品而言，可透过气态添加物的成分浓度加以控制来完成。返回MCVD2023/2/5SiO2、GeO2SiCl4、GeCl4、O22023/2/52023/2/52023/2/5Alcatel目前已针对MCVD进行制程上的更新设计，称为AdvancedPlasma&VaporDeposition(APVD法)。主要不同于MCVD法之处在于气态物质沉积之后，利用另外一专用车床机台来熔合沉积物质以构成预制棒，并以石墨感应炉替代原氢氧焰热源进行熔合。

2023/2/5外部气象沉积法是由康宁公司开发，OVD与MCVD最大不同在于沉积物质形成于由石英、石墨或氧化铝材料制成的“母棒”外表面，意即混合材料的玻璃蒸气物质透过氢氧焰的直接燃烧，使气体材料因热分解以形成SiO2、GeO2之多孔状物质沉积，经过多层累积后形成预型体。返回OVD2023/2/5OVD工艺有沉积和烧结两个具体工艺步骤：先按所设计的光纤折射分布要求进行多孔玻璃预制棒芯棒的沉积（预制棒生长方向是径向由里向外），再将沉积好的预制棒芯棒进行烧结处理，除去残留水份，以求制得一根透明无水份的光纤预制棒芯棒，OVD工艺最新的发展经历从单喷灯沉积到多喷灯同时沉积，由一台设备一次沉积一根棒到一台设备一次沉积多根棒2023/2/52023/2/5VAD工艺是1977年由日本电报电话公司为避免与康宁公司的OVD专利的纠纷所发明的连续工艺。VAD工艺的化学反应机理与OVD工艺相同，也是火焰水解。与OVD工艺不同的是，VAD工艺沉积获得的预制棒的生长方向是由下向上垂直轴向生长的。烧结和沉积是在同一台设备中不同空间同时完成的，即预制棒连续制造。VAD2023/2/5

VAD工艺的最新发展由70年代的芯、包同时沉积烧结，到80年代先沉积芯棒再套管的两步法，再到90年代的粉尘外包层代替套管制成光纤预制棒。VAD的重要特点是可以连续生产，适合制造大型预制棒，从而可以拉制较长的连续光纤。2023/2/5PCVD是由Philips研究实验室开发类似于MCVD的一种技术，但不用氢氧焰进行管外加热，而是改用微波腔体产生的等离子体加热。PCVD工艺的沉积温度低于MCVD工艺的沉积温度，因此反应管不易变形；由于气体电离不受反应管热容量的限制，所以微波加热腔体可以沿着反应管轴向作快速往复移动，这样允许在管内沉积数千个薄层，从而使每层的沉积厚度减小，因此折射率分布的控制更为精确，可以获得更宽的带宽。PCVD2023/2/5PCVD的沉积效率高，沉积速度快，有利于消除SiO2层沉积过程中的微观不均匀性，从而大大降低光纤中散射造成的本征损耗，适合制备复杂折射率剖面的光纤，可以批量生产，有利于降低成本。目前，荷兰的等离子光纤公司占据世界领先水平。

2023/2/5VAD工艺的化学反应机理与OVD工艺相同，也是火焰水解。与OVD工艺不同的是，VAD工艺沉积获得的预制棒的生长方向是由下向上垂直轴向生长的。单模光纤以OVD、VAD技术为主；而多模光纤则以MCVD或PCVD为主。几种制作工艺的比较2023/2/5PCVD与MCVD的工艺相似之处是，它们都是在高纯石英玻璃管管内进行气相沉积和高温氧化反应。所不同之处是热源和反应机理，PCVD工艺用的热源是微波，其反应机理为微波激活气体产生等离子使反应气体电离，电离的反应气体呈带电离子。带电离子重新结合时释放出的热能熔化气态