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文档简介

模拟电子技术基础1第一章常用半导体器件§1.1半导体基础知识§1.2半导体二极管§1.3双极型晶体管§1.4场效应管2半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。例如:当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能力明显改变。§1.1半导体的基本知识1)导体、半导体和绝缘体3本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。2)本征半导体共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。4二、本征半导体的导电机理在绝对0度(T=0K)和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电能力为0,相当于绝缘体。在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同时共价键上留下一个空位,称为空穴。1.载流子、自由电子和空穴52.本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴。本征半导体中电流由两部分组成:

1.自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。61.1.2杂质半导体P型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为(空穴半导体)。掺入少量的三价元素N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为(电子半导体)。掺入少量的五价元素磷自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。P型半导体中空穴是多子,电子是少子。7三、杂质半导体的示意表示法------------------------P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。89P型半导体------------------------N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区,也称耗尽层。1.1.3PN结1)PN结的形成10漂移运动P型半导体------------------------N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变。111、空间电荷区中没有载流子。2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区

中的电子(都是多子)向对方运动(扩散运动)。3、P

区中的电子和N区中的空穴(都是少),数量有限,因此由它们形成的电流很小。注意:122)

PN结的单向导电性

PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是:

P区加正、N区加负电压。PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是:

P区加负、N区加正电压。13----++++RE一、PN结正向偏置内电场外电场变薄PN+_内电场被削弱,多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。14二、PN结反向偏置----++++内电场外电场变厚NP+_内电场被被加强,多子的扩散受抑制。少子漂移加强,但少子数量有限,只能形成较小的反向电流。RE15§1.2半导体二极管1.2.1基本结构PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型PN二极管的电路符号:161.2.2伏安特性UI死区电压

硅管0.7V,锗管0.2V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR17二极管:死区电压=0.5V,正向压降0.7V(硅二极管)理想二极管:死区电压=0,正向压降=0RLuiuouiuott二极管的应用举例1:二极管半波整流18二极管的应用举例2:tttuiuRuoRRLuiuRuo191.2.5稳压二极管

UIIZIZmaxUZIZ稳压误差曲线越陡,电压越稳定。+-UZ动态电阻:rz越小,稳压性能越好。201.2.6其他二极管1)光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加212)

发光二极管有正向电流流过时,发出一定波长范围的光,目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光,它的电特性与一般二极管类似。22§1.3双极型晶体管1.3.1晶体管的结构及类型BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型23BECNNP基极发射极集电极基区:较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大发射区:掺杂浓度较高24BECNNP基极发射极集电极发射结集电结25ICE与IBE之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。1.3.2晶体管的电流放大作用26BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管27一、输入特性UCE

1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降:

硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V

死区电压,硅管0.5V,锗管0.2V。1.3.3晶体管的共射特性曲线28二、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区(放大区)。当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=IB。29IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏,IB>IC,UCE0.3V称为饱和区。30IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,称为截止区。31输出特性三个区域的特点:放大区:发射结正偏,集电结反偏。

即:

IC=IB,且

IC

=

IB(2)饱和区:发射结正偏,集电结正偏。

即:UCEUBE

IB>IC,UCE0.3V(3)截止区:

UBE<死区电压,

IB=0,

IC=ICEO

032§1.4场效应晶体管场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:331.4.2绝缘栅场效应管:一、结构和电路符号PNNGSDP型基底两个N区SiO2绝缘层导电沟道金属铝GSDN沟道增强型34N沟道耗尽型PNNGSD预埋了导电沟道GSD35NPPGSDGSDP沟道增强型36P沟道耗尽型NPPGSDGSD预埋了导电沟道37二、MOS管的工作原理以N沟道增强型为例PNNGSDUDSUGSUGS=0时D-S间相当于两个反接的PN结ID=0对应截止区38PNNGSDUDSUGSUGS>0时UGS足够大时(UGS>VT)感应出足够多电子,这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。感应出电子VT称为阈值电压39UGS较小时,导电沟道相当于电阻将D-S连接起来,UGS越大此电阻越小。PNNGSDUDSUGS40PNNGSDUDSUGS当UDS不太大时,导电沟道在两个N区间是均匀的。当UDS较大时,靠近D区的导电沟道变窄。41PNNGSDUDSUGS夹断后,即使UDS继续增加,ID仍呈恒流特性。IDUDS增加,UGD=VT时,靠近D端的沟道被夹断,称为予夹断。42三、增强型N沟道MOS管的特性曲线转移特性曲线0IDUGSVT43输出特性曲线IDUDS0UGS>044输出特性曲线IDUDS0UGS=0UGS<0UGS>045第二章

基本放大电路§2.1放大的概念和电路主要指标§2.2基本共射放大电路的工作原理§2.3放大电路的分析方法§2.4放大电路静态工作点的稳定§2.5单管放大电路的三种基本接法46§2.1放大的概念和电路主要指标2.1.1放大的概念电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。472.1.2放大电路的性能指标一、电压放大倍数Au二、输入电阻riAuIi~USUi48步骤:1.所有的电源置零(将独立源置零,保留受控源)。2.加压求流法。UI三、输出电阻ro49§2.2基本共射放大电路的工作原理三极管放大电路有三种形式共射放大器共基放大器共集放大器以共射放大器为例讲解工作原理502.2.1共射放大电路的基本组成放大元件iC=iB,工作在放大区,要保证集电结反偏,发射结正偏。uiuo输入输出?参考点RB+ECEBRCC1C2T51集电极电源,为电路提供能量。并保证集电结反偏。RB+ECEBRCC1C2T52集电极电阻,将变化的电流转变为变化的电压。RB+ECEBRCC1C2T53使发射结正偏,并提供适当的静态工作点。基极电源与基极电阻RB+ECEBRCC1C2T54耦合电容隔离输入输出与电路直流的联系,同时能使信号顺利输入输出。RB+ECEBRCC1C2T55可以省去电路改进:采用单电源供电RB+ECEBRCC1C2T56单电源供电电路+ECRCC1C2TRB572.2.3基本共射放大电路的工作原理及

波形分析一、静态工作点58(IBQ,UBEQ)

和(ICQ,UCEQ

)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。IBUBEQIBQUBEQICUCEQUCEQICQ59§2.3放大电路的分析方法放大电路分析静态分析动态分析估算法图解法微变等效电路法图解法计算机仿真602.3.1直流通道和交流通道

交流通道:只考虑交流信号的分电路。直流通道:只考虑直流信号的分电路。信号的不同分量可以分别在不同的通道分析。61例:对直流信号(只有+EC)开路开路RB+ECRCC1C2T直流通道RB+ECRC62对交流信号(输入信号ui)短路短路置零RB+ECRCC1C2TRBRCRLuiuo交流通路63一、直流负载线ICUCEUCE~IC满足什么关系?1.三极管的输出特性。2.UCE=EC–ICRC。ICUCEECQ直流负载线与输出特性的交点就是Q点IB直流通道RB+ECRC2.3.2图解法1、直流负载线和交流负载线64二、交流负载线ic其中:uceRBRCRLuiuo交流通路65iC

uCE是全量,与交流量ic和uce有如下关系所以:即:交流信号的变化沿着斜率为:的直线。这条直线通过Q点,称为交流负载线。66交流负载线的作法ICUCEECQIB过Q点作一条直线,斜率为:交流负载线672.3.3等效电路法1)静态分析一、估算法(1)根据直流通道估算IBIBUBERB称为偏置电阻,IB称为偏置电流。+EC直流通道RBRC68(2)根据直流通道估算UCE、IBICUCE直流通道RBRC69ubeibuceicubeuceicrce很大,一般忽略。3.三极管的微变等效电路rbeibibrcerbeibibbce等效cbe2)

动态分析70二、放大电路的微变等效电路将交流通道中的三极管用微变等效电路代替:交流通路RBRCRLuiuouirbeibibiiicuoRBRCRL71三、电压放大倍数的计算特点:负载电阻越小,放大倍数越小。rbeRBRCRL72四、输入电阻的计算输入电阻的定义:是动态电阻。rbeRBRCRL73五、输出电阻的计算计算输出电阻的方法:(1)所有电源置零,然后计算电阻(对有受控源的电路不适用)。(2)所有独立电源置零,保留受控源,加压求流法。74所以:用加压求流法求输出电阻:rbeRBRC00752.3.4失真分析在放大电路中,输出信号应该成比例地放大输入信号(即线性放大);如果两者不成比例,则输出信号不能反映输入信号的情况,放大电路产生非线性失真。为了得到尽量大的输出信号,要把Q设置在交流负载线的中间部分。如果Q设置不合适,信号进入截止区或饱和区,造成非线性失真。76iCuCEuo可输出的最大不失真信号选择静态工作点ib77iCuCEuo1.Q点过低,信号进入截止区放大电路产生截止失真输出波形输入波形ib78iCuCE2.Q点过高,信号进入饱和区放大电路产生饱和失真ib输入波形uo输出波形79§2.4静态工作点的稳定为了保证放大电路的稳定工作,必须有合适的、稳定的静态工作点。但是,温度的变化严重影响静态工作点。对于前面的电路(固定偏置电路)而言,静态工作点由UBE、

和ICEO决定,这三个参数随温度而变化,温度对静态工作点的影响主要体现在这一方面。TUBEICEOQ80一、温度对UBE的影响iBuBE25ºC50ºCTUBEIBIC81二、温度对

值及ICEO的影响T、ICEOICiCuCEQQ´总的效果是:温度上升时,输出特性曲线上移,造成Q点上移。82小结:TIC

固定偏置电路的Q点是不稳定的。

Q点不稳定可能会导致静态工作点靠近饱和区或截止区,从而导致失真。为此,需要改进偏置电路,当温度升高、

IC增加时,能够自动减少IB,从而抑制Q点的变化。保持Q点基本稳定。常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点。电路见下页。83分压式偏置电路:RB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuo一、静态分析I1I2IBRB1+ECRCC1TRB2RE1RE2直流通路84I1I2IBRB1+ECRCC1TRB2RE1RE2直流通路85可以认为与温度无关。I1I2IBRB1+ECRCC1TRB2RE1RE2直流通路86TUBEIBICUEIC本电路稳压的过程实际是由于加了RE形成了负反馈过程I1I2IBRB1+ECRCC1TRB2RE1RE287二、动态分析+ECuoRB1RCC1C2RB2CERERLuirbeRCRLR'B微变等效电路uoRB1RCRLuiRB2交流通路88CE的作用:交流通路中,

CE将RE短路,RE对交流不起作用,放大倍数不受影响。问题1:如果去掉CE,放大倍数怎样?I1I2IBRB1+ECRCC1C2RB2CERERLuiuo89去掉

CE后的交流通路和微变等效电路:rbeRCRLRER'BRB1RCRLuiuoRB2RE90RB1+ECRCC1C2TRB2CERE1RLuiuoRE2问题2:如果电路如下图所示,如何分析?91I1I2IBRB1+ECRCC1C2TRB2CERE1RLuiuoRE2I1I2IBRB1+ECRCC1TRB2RE1RE2静态分析:直流通路92RB1+ECRCC1C2TRB2CERE1RLuiuoRE2动态分析:交流通路RB1RCRLuiuoRB2RE193交流通路:RB1RCRLuiuoRB2RE1微变等效电路:rbeRCRLRE1R'B94问题:Au和

Aus的关系如何?定义:放大电路RLRS95§2.5单管放大电路的三种基本接法

2.5.1基本共集放大电路RB+ECC1C2RERLuiuoRB+ECRE直流通道96一、静态分析IBIE折算RB+ECRE直流通道97二、动态分析RB+ECC1C2RERLuiuorbeRERLRB微变等效电路981.电压放大倍数rbeRERLRB991.所以但是,输出电流Ie增加了。2.输入输出同相,输出电压跟随输入电压,故称电压跟随器。结论:1002.输入电阻rbeRERLRB输入电阻较大,作为前一级的负载,对前一级的放大倍数影响较小。1013.输出电阻用加压求流法求输出电阻。rorbeRERBRSrbeRERBRS电源置0102一般:所以:射极输出器的输出电阻很小,带负载能力强。103uiRC1R1T13.3.1直接耦合电路的特殊问题R2

、RE2

:用于设置合适的Q点。问题1:前后级Q点相互影响。§3.3差动放大电路+UCCuoRC2T2R2RE2问题2:零点漂移。uot0有时会将信号淹没

ui

等于零时,

uo不等于零。104一、基本型结构特点:结构对称。3.3.2差动放大器ui1ui2uoRCR1T1RBRCR1T2RB105二、

抑制零漂的原理uo=uC1-uC2

=0uo=(uC1+uC1

)-(uC2+uC2)=0当

ui1

=

ui2=0

时:当温度变化时:+UCCuoui1RCR1T1RBRCR1T2RBui2106三、

共模电压放大倍数AC+UCCuoui1RCR1T1RBRCR1T2RBui2共模输入信号:

ui1=ui2=uC

(大小相等,极性相同)理想情况:ui1=ui2

uC1=uC2

uo=0共模电压放大倍数:(很小,<1)但因两侧不完全对称,

uo0107uoui1RCR1T1RBRCR1T2RBui2四、差模电压放大倍数Ad差模输入信号:

ui1=-ui2=ud

(大小相等,极性相反)(很大,>1)设uC1=UC1+uC1

uC2=UC2+uC2

。因ui1=-ui2,

uC1=-uC2

uo=uC1-uC2=uC1-uC2=2uC1

差模电压放大倍数:+UCC108五、共模抑制比(CMRR)的定义例:

Ad=-200

Ac=0.1KCMRR=20lg(-200)/0.1=66dBCMRR—CommonModeRejectionRatioKCMRR=KCMRR

(dB)=(分贝)109(一)差模输入均压器RRuoui+UCCRCT1RBRCT2RBRE–UCC110RE对差模信号作用ui1ui2ib1

,ic1ib2

,ic2ic1

=-ic2iRE

=ie1+

ie2

=0uRE

=0RRuoui+UCCRCT1RBRCT2RBRE–UCCib2ib1ic2ic1iRERE对差模信号不起作用111若差动电路带负载RL(接在

C1与

C2之间),对于差动信号而言,RL中点电位为0,所以放大倍数:即:总的差动电压放大倍数为:差模电压放大倍数:RRuodui1RCT1RBRCT2RBib2ib1ic2ic1ui2uod1uod2E112(二)共模输入RE对共模信号起作用,并且iRE=2ie1。uCic1、

ic2iRE

uRE

+UCCuocRCT1RBRCT2RBRE–UCCuCuoc2uoc1ic1ic2iREuRE113共模信号通路:uocRCT1RBRCT2RB2REuC1uoc2uoc1ic1ic2uC22RE1143)

差放电路的几种接法输入端

接法双端单端输出端

接法双端单端双端输入双端输出:Ad

=Ad1双端输入单端输出:ui1+UCCui2uoC1B1C2EB2RCT1RBRCT2RBIC3-UEE115双端输出:Ad

=Ad1单端输出:双端输入与单端输入效果是一样的。ui1+UCCui2uoC1B1C2EB2RCT1RBRCT2RBIC3-UEEib2ib1ud

=0.5ui,uc

=0双端输入:ui1=-ui2=0.5uiud

=0.5ui,uc

=0.5ui单端输入:ui1=-ui

,ui2=0116功率放大器的作用:

用作放大电路的输出级,以驱动执行机构。如使扬声器发声、继电器动作、

仪表指针偏转等。

§9.1功率放大电路概述117如何解决效率低的问题?办法:降低Q点。既降低Q点又不会引起截止失真的办法:采用推挽输出电路,或互补对称射极输出器。缺点:但又会引起截止失真。118§9.2互补对称功率放大电路

互补对称功放的类型

无输出变压器形式

(OTL电路)无输出电容形式

(OCL电路)OTL:OutputTransformerLessOCL:OutputCapacitorLess互补对称:电路中采用两支晶体管,NPN、PNP各一支;两管特性一致。类型:1199.2.1无输出电容的互补对称功放电路一、工作原理(设ui为正弦波)电路的结构特点:ui-USCT1T2uo+USCRLiL1.由NPN型、PNP型三极管构成两个对称的射极输出器对接而成。2.双电源供电。3.输入输出端不加隔直电容。120ic1ic2动态分析:ui

0VT1截止,T2导通ui>0VT1导通,T2截止iL=ic1

;ui-USCT1T2uo+USCRLiLiL=ic2T1、T2两个晶体管都只在半个周期内工作的方式,称为乙类放大。因此,不需要隔直电容。静态分析:ui=0V

T1、T2均不工作

uo=0V121乙类放大的输入输出波形关系:ui-USCT1T2uo+USCRLiL交越失真死区电压uiuou"ou´o

´tttt交越失真:输入信号

ui在过零前后,输出信号出现的失真便为交越失真。122ui-USCT1T2uo+USCRLiL(1)静态电流ICQ、IBQ等于零;(2)每管导通时间等于半个周期

(3)存在交越失真。

乙类放大的特点:123三、电路的改进1.克服交越失真交越失真产生的原因:

在于晶体管特性存在非线性,ui

<uT时晶体管截止。iBiBuBEtuitUT124克服交越失真的措施:电路中增加

R1、D1、D2、R2支路。R1D1D2R2+USC-USCULuiiLRLT1T2

静态时:

T1、T2两管发射结电位分别为二极管D1、

D2的正向导通压降,致使两管均处于微弱导通状态;两管导通时间均比半个周期大一些的工作方式称为“甲乙类放大”

动态时:设

ui加入正弦信号。正半周

T2截止,T1基极电位进一步提高,进入良好的导通状态;负半周T1截止,T2

基极电位进一步提高,进入良好的导通状态。125uB1tUTtiBIBQ甲乙类放大的波形关系:ICQiCuBEiBib特点:存在较小的静态电流

ICQ、IBQ。每管导通时间大于半个周期,基本不失真。

iCQuceUSC/REUSCIBQ1263.电路中增加复合管增加复合管的目的是:扩大电流的驱动能力。复合管的构成方式:cbeT1T2ibicbecibic方式一:127becibic

1

2晶体管的类型由复合管中的第一支管子决定。方式二:cbeT1T2ibic复合管构成方式很多。不论哪种等效方式,等效后晶体管的性能确定均如下:128改进后的OCL准互补输出功放电路:

T1:电压推动级

T1、R1、R2:

UBE倍增电路

T3、T4、T5、T6:

复合管构成的输出级准互补

输出级中的T4、T6均为NPN型晶体管,两者特性容易对称。+USC-USCR1R2RLuiT1T2T3T4T5T61299.2.2无输出变压器的互补对称功放电路一、特点1.单电源供电;2.输出加有大电容。二、静态分析则

T1、T2特性对称,令:0.5USCRLuiT1T2+USCCAUL+-UC130三、动态分析设输入端在0.5USC直流电平基础上加入正弦信号。若输出电容足够大,

UC基本保持在0.5USC,负载上得到的交流信号正负半周对称,但存在交越失真。ic1ic2交越失真RLuiT1T2+USCCAUL+-时,T1导通、T2截止;时,T1截止、

T2导通。0.5USCuit131实用OTL互补输出功放电路调节R,使静态UAQ=0.5USCD1

D2使b1和b2之间的电位差等于2个二极管正向压降,克服交越失真。Re1

Re2:电阻值1~2,射极负反馈电阻,也起限流保护作用。D1D2ui+USCRLT1T2T3CRBRe1Re2b1b2A132

第七章信号的运算与处理§7.1概述§7.2基本运算电路§7.4有源滤波器133由于运放的开环放大倍数很大,输入电阻高,输出电阻小,在分析时常将其理想化,称其所谓的理想运放。理想运放的条件虚短路放大倍数与负载无关。分析多个运放级联组合的线性电路时可以分别对每个运放进行。虚开路运放工作在线性区的特点一、在分析信号运算电路时对运放的处理134二、分析运放组成的线性电路的出发点虚短路虚开路放大倍数与负载无关,

可以分开分析。u+uo_++u–Ii信号的放大、运算有源滤波电路运放线性应用1357.2.1比例运算电路§7.2基本运算电路作用:将信号按比例放大。类型:同相比例放大和反相比例放大。136i1=i2uo_++R2R1RPuii1i21.放大倍数虚短路虚开路一、反相比例运算电路结构特点:负反馈引到反相输入端,信号从反相端输入。虚开路137二、同相比例运算电路_++R2R1RPuiuou-=u+=ui反馈方式:电压串联负反馈。输入电阻高。虚短路虚开路结构特点:负反馈引到反相输入端,信号从同相端输入。虚开路138_++uiuo此电路是电压并联负反馈,输入电阻大,输出电阻小,在电路中作用与分离元件的射极输出器相同,但是电压跟随性能好。三、电压跟随器结构特点:输出电压全部引到反相输入端,信号从同相端输入。电压跟随器是同相比例运算放大器的特例。1397.2.2加减运算电路作用:将若干个输入信号之和或之差按比例放大。类型:同相求和和反相求和。140一、反相求和运算R12_++R2R11ui2uoRPui1实际应用时可适当增加或减少输入端的个数,以适应不同的需要。141i12iFi11R12_++R2R11ui2uoRPui1调节反相求和电路的某一路信号的输入电阻,不影响输入电压和输出电压的比例关系,调节方便。142二、同相求和运算实际应用时可适当增加或减少输入端的个数,以适应不同的需要。-R1RF++ui1uoR21R22ui2143此电路如果以u+为输入,则输出为:-R1RF++ui1uoR21R22ui2u+与ui1

ui2的关系如何?注意:同相求和电路的各输入信号的放大倍数互相影响,不能单独调整。流入运放输入端的电流为0(虚开路)1447.2.3微分运算电路与积分运算电路u–=u+=0uit0t0uoui–++uoRR2i1iFC若输入:则:一、微分运算145i1iFtui0tuo0输入方波,输出是三角波。ui-++RR2Cuo二、积分运算应用举例1:146滤波电路的分类1.按信号性质分类3.按电路功能分类:低通滤波器;高通滤波器;带通滤波器;带阻滤波器2.按所用元件分类§7.4有源滤波器7.4.1滤波电路的基础知识模拟滤波器和数字滤波器无源滤波器和有源滤波器4.按阶数分类:一阶,二阶…高阶147低通高通带通带阻四种典型的频率特性1487.4.2低通滤波器一、一阶有源低通滤波器传递函数中出现

的一次项,故称为一阶滤波器。RR1RFC+-+149幅频特性:相频特性:1507.4.3其他滤波器将低通滤波器中的R、C对调,低通滤波器就变成了高通滤波器。RCR1RF+-+低通滤波器R1RF+-+高通滤波器R151一阶有源高通滤波器R1RF+-+高通滤波器R152幅频特性:0o153第六章

放大电路中的反馈

§6.1反馈的概念§6.2负反馈放大电路的四种基本组态§6.5负反馈对放大电路性能的影响154§6.1反馈的概念凡是将放大电路输出端的信号(电压或电流)的一部分或全部引回到输入端,与输入信号迭加,就称为反馈。若引回的信号削弱了输入信号,就称为负反馈。若引回的信号增强了输入信号,就称为正反馈。这里所说的信号一般是指交流信号,所以判断正负反馈,就要判断反馈信号与输入信号的相位关系,同相是正反馈,反相是负反馈。155放大器输出输入取+加强输入信号

正反馈

用于振荡器取

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