标准解读
《GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》是一项国家标准,主要规定了使用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定硅片表面金属元素含量的方法。该标准适用于单晶硅、多晶硅及其它类型的硅材料表面微量至痕量级金属污染元素的分析。
根据此标准,首先需要对样品进行预处理,包括清洗以去除表面污染物,并可能采用化学方法或物理方法来进一步处理样品,确保后续分析过程中能够准确反映硅片表面的真实状态。接下来是样品溶解步骤,通常会将处理过的硅片放入适当的酸性溶液中加热溶解,形成适合ICP-MS检测的液体样品。
在完成样品制备后,利用电感耦合等离子体质谱仪对样品中的目标金属元素进行定性和定量分析。ICP-MS技术通过产生高温等离子体使样品中的原子和分子电离成正负离子,然后通过质量分离器按质荷比分开这些离子,并由检测器记录下来,从而实现对不同元素及其同位素的精确测量。对于每种待测金属元素,都需要选择合适的内标物来校正基体效应和其他干扰因素的影响,保证结果的准确性与可靠性。
此外,该标准还详细描述了实验条件的选择、仪器参数设置、数据处理方法等内容,并给出了具体的操作指南以及质量控制措施,旨在提高测试结果的一致性和可比性。同时,也提供了关于如何评估方法性能指标如检出限、精密度等方面的信息,帮助实验室建立和完善相应的质量管理体系。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2020-10-11 颁布
- 2021-09-01 实施



文档简介
ICS77040
H17.
中华人民共和国国家标准
GB/T39145—2020
硅片表面金属元素含量的测定
电感耦合等离子体质谱法
Testmethodforthecontentofsurfacemetalelementsonsiliconwafers—
Inductivelycoupledplasmamassspectrometry
2020-10-11发布2021-09-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T39145—2020
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本标准起草单位南京国盛电子有限公司有研半导体材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公
:、、
司上海合晶硅材料有限公司有色金属技术经济研究院无锡华瑛微电子技术有限公司龙腾半导体有
、、、、
限公司厦门科鑫电子有限公司
、。
本标准主要起草人骆红潘文宾赵而敬孙燕张海英徐新华温子瑛胡金枝李素青马林宝
:、、、、、、、、、、
李俊需
。
Ⅰ
GB/T39145—2020
硅片表面金属元素含量的测定
电感耦合等离子体质谱法
1范围
本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法
。
本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠镁铝钾钙铬锰铁钴镍铜锌元
、、、、、、、、、、、
素含量的测定测定范围为8-213-2本标准同时也适用于硅退火片硅扩散片等无图形
,10cm~10cm。、
硅片表面痕量金属元素含量的测定
。
注硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计
:。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T6624
半导体材料术语
GB/T14264
冶金产品化学分析基础术语
GB/T17433
硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T19921
洁净室及相关受控环境第部分空气洁净度等级
GB/T25915.1—20101:
四级杆电感耦合等离子体质谱方法通则
GB/T37837
四级杆电感耦合等离子体质谱仪校准规范
JJF1159
半导体加工用超纯水指南
SEMIF63(Guideforultrapurewaterusedinsemiconductorprocess-
ing)
3术语和定义
和界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T14264、GB/T17433、GB/T37837JJF1159。
31
.
扫描溶液scanningsolution
通过扫描方式收集的含有硅片表面痕量金属元素的溶液
。
32
.
直接酸滴分解法directaciddropletdecompositionDADD
;
用含有氢氟酸的提取液分解硅片表面的氧化层形成疏水性表面使硅片表面的痕量金属被收集到
,,
提取液中形成扫描溶液
。
33
.
气相分解法vaporphasedecompositionVPD
;
用氢氟酸蒸汽分解
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