标准解读
《GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法》是一项国家标准，规定了使用二次离子质谱（SIMS）技术测定氮化镓（GaN）材料中镁元素含量的方法。该标准适用于评估和控制GaN基半导体器件制造过程中掺杂剂镁浓度的质量。
标准详细描述了实验所需仪器设备的基本要求，包括二次离子质谱仪及其相关配件的技术规格；同时，对样品准备、测试条件设定等方面给出了具体指导，确保不同实验室间结果的一致性和可比性。此外，还明确了数据处理流程，比如如何选择适当的同位素比值进行计算以提高测量准确性，并提出了质量控制措施来保证分析结果的有效性。
对于实际操作者而言，遵循此标准可以有效地减少因操作差异导致的数据偏差，从而为科学研究与工业生产提供更加准确可靠的镁掺杂浓度信息。通过采用标准化的SIMS方法，能够促进国内外在GaN材料研究领域的交流与合作。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2020-10-11 颁布
- 2021-09-01 实施
文档简介
ICS77040
H17.
中华人民共和国国家标准
GB/T39144—2020
氮化镓材料中镁含量的测定
二次离子质谱法
Testmethodformagnesiumcontentingalliumnitridematerials—
Secondaryionmassspectrometry
2020-10-11发布2021-09-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T39144—2020
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本标准起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所北京聚睿众邦科技有限公司东莞市中
:、、
镓半导体科技有限公司有色金属技术经济研究院厦门市科力电子有限公司
、、。
本标准主要起草人马农农何友琴陈潇刘立娜何烜坤杨素心闫方亮杨丽霞颜建锋
:、、、、、、、、、
倪青青
。
Ⅰ
GB/T39144—2020
氮化镓材料中镁含量的测定
二次离子质谱法
1范围
本标准规定了氮化镓材料中镁含量的二次离子质谱测试方法
。
本标准适用于氮化镓材料中镁含量的定量分析测定范围为不小于14-3
,5×10cm。
注氮化镓材料中的镁含量以每立方厘米中的原子数计
:。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
半导体材料术语
GB/T14264
表面化学分析词汇
GB/T22461
分析仪器性能测定术语
GB/T32267
3术语和定义
和界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264、GB/T22461GB/T32267。
4方法原理
在高真空真空度优于-6条件下氧离子源产生的一次离子经过加速纯化聚焦后轰击氮
(10Pa),,、、,
化镓样品表面溅射出多种粒子将其中的离子即二次离子引出通过质谱仪将不同质荷比的离子分
,。(),
开记录并计算样品中镁与镓的离子计数率之比利用相对灵敏度因子定量分析并计算出氮化镓材料中
,,
的镁含量
。
5干扰因素
51二次离子质谱仪存在记忆效应若测试过镁含量较高的样品仪器样品室内会残留高含量镁影响
.,,,
镁含量的测试结果
。
52仪器型号不同或者同一仪器的状态不同例如电子倍增器效率光圈大小一次束流大小聚焦状
.(、、、
态等会影响本方法的检出限
),。
53在样品架窗口范围内的样品分析面应平整以保证每个样品移动到分析位置时其表面与离子收
.,,
集光学系统的倾斜度不变否则会降低测试的准确度
,。
54样品表面吸附的镁离子可能影响镁含量的测试结果
.。
55测试的准确度随着样品的表面粗糙度增大而显著降低应通过对样品表面化学机械抛光或者化学
.,
腐蚀抛光降低表面粗糙度
。
56标准样品中镁含量的不均匀性会限制测试结果的准确度
.
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