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文档简介

ICS7104040

G04..

中华人民共和国国家标准

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

表面化学分析X射线光电子能谱

薄膜分析结果的报告

Surfacechemicalanalysis—X-rayphotoelectronspectroscopy—

Reportingofresultsofthin-filmanalysis

(ISO13424:2013,IDT)

2018-06-07发布2019-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

缩略语

4……………………1

薄膜分析综述

5XPS………………………1

引言

5.1…………………1

常规

5.2XPS……………2

变角

5.3XPS……………3

峰形分析

5.4……………3

可变光子能量

5.5XPS…………………3

溅射深度剖析

5.6XPS…………………3

样品处理

6…………………3

仪器和操作条件

7…………………………3

仪器校准

7.1……………3

操作条件

7.2……………4

方法实验条件分析参数和分析结果的报告

8XPS、、……………………4

薄膜分析方法

8.1XPS…………………4

实验条件

8.2……………4

分析参数

8.3……………5

汇总表示例

8.4…………………………6

分析结果

8.5……………8

附录资料性附录常规

A()XPS…………9

附录资料性附录变角

B()XPS………………………15

附录资料性附录峰形分析

C()…………20

附录资料性附录溅射深度剖析

D()XPS……………30

参考文献

……………………32

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准使用翻译法等同采用表面化学分析射线光电子能谱薄膜分析结果

ISO13424:2013《X

的报告

》。

本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC38)。

本标准主要起草单位厦门荷清教育咨询有限公司清华大学化学系

:、。

本标准主要起草人汤丁亮李展平岑丹霞姚文清刘芬王水菊

:、、、、、。

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

引言

射线光电子能谱广泛运用于材料表面的表征特别是基材上的覆盖层薄膜可以使用

X(XPS),。

测定薄膜近表面区的化学组成如果薄膜具有均匀的厚度并且该厚度小于所测量光电子平均逃

XPS。,

逸深度的大约倍通过变角或者峰形分析可以测定薄膜的膜厚度以及膜中元素或者元

(MED)3,XPS,

素化学状态的深度剖析对于较厚的膜采用溅射深度剖析可以获得膜中元素的深度剖析如果

。,。XPS

系统具有足够的横向分辨率则可以测定膜厚度或者深度剖面中可能的横向不均匀性这些应用

,。XPS

对于薄膜纳米结构的表征特别有价值因为对于许多物质材料和常规测量条件而言通常小

,XPS,MED

5nm。

本标准的第章和第章为仪器的操作者在测定基材上覆盖层薄膜的有意义的化学组成和

67XPS

膜厚度时所进行的有效测量提供了指导本标准的第章指出了数据的测量和分析报告中应包

。8XPS

括的信息附录附录附录和附录对于薄膜样品的不同类型测量的数据分析方法提供

。A、B、CDXPS

了补充信息

GB/T36401—2018/ISO134242013

:

表面化学分析X射线光电子能谱

薄膜分析结果的报告

1范围

本标准给出了采用对基材上薄膜的分析报告所需的最少信息量要求的说明这些分析涉及

XPS。

化学组成和均匀薄膜厚度的测量以及采用变角溅射深度剖析峰形分析和可变光子能量

,XPS、XPS、

的方式对非均匀薄膜作为深度函数的化学组成的测量

XPS。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

表面化学分析词汇第部分通用术语及谱学术语

ISO18115-1:20101:(Surfacechemicalanaly-

sis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)

3术语和定义

中界定的术语和定义适用于本文件

ISO18115-1:2010。

4缩略语

俄歇电子能谱

AES:(Augerelectronspectroscopy)

变角射线光电子能谱

ARXPS:X(Angle-resolvedX-rayphotoelectronspectroscopy)

非弹性平均自由程

IMFP:(Inelasticmeanfreepath)

平均逃逸深度

MED:(Meanescapedepth)

相对灵敏度因子

RSF:(Relativesensitivityfactor)

迁移平均自由程

TRMFP:(Transportmeanfreepath)

射线光电子能谱

XPS:X(X-rayphotoelectronspectroscopy)

5XPS薄膜分析综述

51引言

.

基材上薄膜的分析可以提供化学组成随深度变化以及薄膜厚度的信息如果总膜厚小于所

XPS。

检测的光电子的

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