标准解读
《GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范》是一项国家标准,旨在定义串行NAND型快闪存储器与主机系统之间的电气和逻辑接口。该标准适用于各种使用串行NAND型快闪存储器作为非易失性存储解决方案的应用场景,包括但不限于消费电子、工业控制以及嵌入式系统等领域。
标准中详细规定了串行NAND型快闪存储器的数据传输协议、命令集、时序要求等关键参数,确保不同制造商生产的设备能够遵循统一的通信规则,从而提高互操作性和兼容性。此外,它还涵盖了物理层特性,比如工作电压范围、信号完整性要求等,为设计人员提供了清晰的设计指导原则。
对于数据传输模式,《GB/T 35009-2018》支持多种速率选项以满足不同类型应用的需求,从低速到高速均有覆盖,并且特别强调了在保证数据完整性的前提下实现高效传输的重要性。同时,标准内也包含了错误检测与纠正机制的相关描述,这对于提升存储系统的可靠性和稳定性至关重要。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2018-03-15 颁布
- 2018-08-01 实施
![GB/T 35009-2018串行NAND型快闪存储器接口规范_第1页](http://file4.renrendoc.com/view/24620d1a42037a2f7f0da1f2294ee242/24620d1a42037a2f7f0da1f2294ee2421.gif)
![GB/T 35009-2018串行NAND型快闪存储器接口规范_第2页](http://file4.renrendoc.com/view/24620d1a42037a2f7f0da1f2294ee242/24620d1a42037a2f7f0da1f2294ee2422.gif)
![GB/T 35009-2018串行NAND型快闪存储器接口规范_第3页](http://file4.renrendoc.com/view/24620d1a42037a2f7f0da1f2294ee242/24620d1a42037a2f7f0da1f2294ee2423.gif)
![GB/T 35009-2018串行NAND型快闪存储器接口规范_第4页](http://file4.renrendoc.com/view/24620d1a42037a2f7f0da1f2294ee242/24620d1a42037a2f7f0da1f2294ee2424.gif)
文档简介
ICS31200
L56.
中华人民共和国国家标准
GB/T35009—2018
串行NAND型快闪存储器接口规范
SpecificationforserialNANDflashinterface
2018-03-15发布2018-08-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T35009—2018
目次
前言
…………………………Ⅲ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
物理接口
4…………………1
引出端功能定义
4.1……………………1
数据接口类型
4.2………………………2
存储阵列架构
5……………3
存储架构
5.1……………3
状态寄存器
5.2…………………………4
器件保护功能
5.3………………………5
器件自毁功能
5.4………………………6
指令定义
6…………………7
指令集说明
6.1…………………………7
指令集描述
6.2…………………………8
指令格式模式
6.3………………………19
参数表说明
7………………20
参数表头定义
7.1………………………20
参数列表定义
7.2………………………20
附录资料性附录块保护方式
A()(BP)………………25
Ⅰ
GB/T35009—2018
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
。。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口
(SAC/TC78)。
本标准起草单位北京兆易创新科技股份有限公司工业和信息化部电子工业标准化研究院深圳
:、、
市中兴微电子技术有限公司中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所清华大学微电子学研
、、
究所安凯广州微电子技术有限公司
、()。
本标准主要起草人苏志强刘超刘会娟高硕罗晓羽武鹏林建京吴华强邹天翔
:、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T35009—2018
串行NAND型快闪存储器接口规范
1范围
本标准规定了串行与非型快闪存储器以下称为器件的物理接口存储阵列架构指令定
(NAND)()、、
义和参数表说明等
。
本标准适用于串行型快闪存储器的设计和使用
NAND。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
半导体器件集成电路第部分数字集成电路
GB/T17574—19982:
3术语和定义
界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T17574—1998。
31
.
状态寄存器statusregister
存储器内部标志内部状态的寄存器
。
32
.
一次性可编程one-timeprogrammableOTP
;
存储器内只可编程一次的存储区域该区域一次编程后不可再次修改
,。
33
.
纠错码errorcorrectioncodeECC
;
一种可提高快闪存储器可靠性的纠错方法
。
4物理接口
41引出端功能定义
.
器件引出端功能定义见表
1。
表1引出端功能定义
引出端输入输出
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