• 现行
  • 正在执行有效
  • 2016-12-13 颁布
  • 2017-11-01 实施
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GB/T 33236-2016多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法_第1页
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文档简介

ICS7104040

G04..

中华人民共和国国家标准

GB/T33236—2016

多晶硅痕量元素化学分析

辉光放电质谱法

Polycrystallinesilicon—Determinationoftraceelements—

Glowdischargemassspectrometrymethod

2016-12-13发布2017-11-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T33236—2016

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC38)。

本标准起草单位中国科学院上海硅酸盐研究所

:。

本标准主要起草人卓尚军钱荣董疆丽申如香盛成高捷郑文平

:、、、、、、。

GB/T33236—2016

多晶硅痕量元素化学分析

辉光放电质谱法

1范围

本标准规定了采用辉光放电质谱法测量多晶硅中杂质元素的测试方法

(GD-MS)。

本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定测量范围是本

,

方法的检出限至质量分数检出限根据所用仪器及测量条件确定通过合适的标准样品校正

0.1%(),。,

也可以测量质量分数大于的杂质元素含量单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量

0.1%。。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

分析实验室用水规格和试验方法

GB/T6682

表面化学分析辉光放电质谱使用介绍

ISO/TS15338:2009(Surfacechemicalanalysis—

Glowdischargemassspectrometry(GD-MS)—Introductiontouse)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

31

.

离子强度ionintensity

仪器记录到的指定元素的离子流总量

32

.

针状试样pinsample

横截面为圆形或方形的针状棒状或线状试样通常长度为截面的直径圆形或对角线

、,20mm、()

方形不超过

()10mm。

33

.

片状试样flatsample

薄片状或块状试样通常为圆形或方形并至少有一面是光滑的光滑面能形成直径大于的

,,,10mm

圆形测量面

34

.

针状放电池pincell

用于分析针状试样的样品池

35

.

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