标准解读
《GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法》是一项国家标准，主要针对以GaN为代表的Ⅲ族氮化物材料的外延片结晶质量进行评估。该标准详细规定了用于评价这些材料结晶性能的各种测试方法及其具体操作流程，旨在为行业内提供统一、准确的质量检测依据。
标准中涉及的主要测试方法包括但不限于X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）观察、原子力显微镜（AFM）表面形貌分析等。其中，XRD技术被广泛应用于测定样品的晶体结构参数，如晶格常数、位错密度等；SEM则可以直观地显示材料表面及断面微观结构特征；而AFM则能够实现对样品表面纳米级粗糙度的精确测量。
此外，《GB/T 30653-2014》还特别强调了实验条件控制的重要性，比如温度、湿度等因素对外延生长过程的影响，并给出了相应的推荐值或范围。同时，对于每种测试方法的具体实施步骤、数据处理方式以及结果表示形式都做了明确规定，确保不同实验室之间可以获得可比性强且重复性好的测试结果。
如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
....
查看全部
- 现行
- 正在执行有效
- 2014-12-31 颁布
- 2015-09-01 实施
文档简介
ICS7704020
H21..
中华人民共和国国家标准
GB/T30653—2014
Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
TestmethodforcrystalqualityofⅢ-nitrideepitaxiallayers
2014-12-31发布2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T30653—2014
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
。。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本标准起草单位中国科学院半导体研究所
:。
本标准主要起草人孙宝娟赵丽霞王军喜曾一平李晋闽
:、、、、。
Ⅰ
GB/T30653—2014
Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
1范围
本标准规定了利用高分辨射线衍射仪测试族氮化物外延片结晶质量的方法
XⅢ。
本标准适用于在氧化物衬底等或半导体衬底等上外延生长的
(Al2O3、ZnO)(GaN、Si、GaAs、SiC)
氮化物单层或多层异质外延片结晶质量的测试其他异质外延片结晶质量的测试也可
(Ga、In、Al)N。
参考本标准
。
2术语和定义
下列术语和定义适用于本文件
。
21
.
对称衍射symmetricdiffraction
入射束和反射束相对于样品晶面法线处于对称位置入射角与反射角相等时发生的衍射
,。
22
.
非对称衍射asymmetricdiffraction
若衍射晶面与样品表面有个夹角χ入射束和反射束相对于样品晶面法线处于非对称位置入射角
,,
与反射角不相等时发生的衍射
。
23
.
斜对称衍射skewdiffraction
入射束和反射束相对于样品表面法线处于对称位置而衍射晶面相对于样品表面有个倾斜角χ此
,,
时发生的衍射为斜对称衍射
。
24
.
螺型位错screwdislocation
一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移原子平面沿着一根轴线盘旋上升每绕轴线一周
,,,
原子面上升一个晶面间距在中央轴线处即为一螺型位错
。。
25
.
刃型位错edgedislocation
晶体在切应力的作用下一部分相对于另一部分沿一定的晶面滑移面和晶向滑移方向产生位
,()()
移从而形成多余半原子面也就形成了刃型位错
,,。
26
.
摇摆曲线rockingcurve
把探测器固定在样品hkl晶面的θ位置探测器前不加狭缝试样在衍射位置附近以θ角度摇
()2B,,Δ
摆衍射强度会随着角度而发生变化记录得到的衍射强度与ω的关系曲线
,,。
3符号
下列符号适用于本文件
温馨提示
- 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
- 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
- 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。
评论
0/150
提交评论