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文档简介
1、准经典运动一、
波包与电子速度在晶体中,可以用含时间的Bloch函数来组成波包。一维情况:设波包由以k0为中心,在Dk的范围内的波函数组成,
并假设Dk很小,近似认为uk
x
uk0
x
不随k而变对于一确定的k
,含时的Bloch函数为y
k
x,
t
ei
kx
w
t
uk
x
w
k
E
k
Hume-Rothery定律实验发现,在许多合金体系中,电子浓度是决定合金具有什么相结构的重要参量。一定的电子浓度将出现一定的相,这种现象称为Hume-Rothery定律。具有一定电子浓度的合金相称为电子化合物。以Cu
-Zn合金相图为例:纯Cu的晶体结构是面心立方,
当掺入Zn后,随Zn含量的逐渐增加,其结构将发生一系列变化:由a相®b相®g相®e相®h相。修正的依据v
电子的能量只在布里渊区边界附近偏离自由电子能量,周期场的影响使等能面在布里渊区边界面附近发生畸变,形成向外突出的凸包;v
等能面几乎总是与布里渊区边界面垂直相交;v费米面所包围的总体积仅依赖于电子浓度,而不取决于电子与晶格相互作用的细节;v
周期场的影响使费米面上的尖锐角圆滑化。En(k)的平移对称性:
En(k)=En(k±Gn’)
En
En
在布里渊区边界面附近:
k
=k
∥+k^
在布里渊区边界面上:
k
Gn
证明在一般情况下,等能面与布里渊区边界面垂直相交:En(k)具有反演对称性:
En(k)=En(-k)
k
k
k
k
Gn
En
k
En
k
-kk
E
E
E
k
Gn
k
Gn
0如果沿一个边界面的法线方向上处处都有
kn
Gn
0那么,与该边界面相交的等能面必与此边界面垂直。nnnnnnnnnnnnnnnnn
En
En
En
En
k
k
k
-k
k
k
k
k
Gn
En
Gn
k
Gn
En
Gn
k
Gn
沿布里渊区边界面的法线方向上,
En
k
En
k例:二维正方晶格近自由电子的费米面图形。设二维晶格的晶格常数为a
,晶体的原胞数为N,k的分布密度:
rk
设平均每个原子有h个价电子,
即电子浓度为h电子/原子。对于简单晶格:hN
2r
k
pk
2
pk
k
kF
1
p
k1
F2F2F2a
a
p
p电子浓度hkF/k110.79821.12831.38241.59651.78461.954为简约区的内切圆半径k
p
a其中yxkk1简约区中自由电子的费米面第一能带h=4,
5,
6第二能带第四能带第三能带h=2,
3h=1简约区中近自由电子的费米面第一能带h=4,
5,
6第二能带第四能带第三能带h=2,
3h=1v当Zn的原子浓度在~38%以下时,是以Cu为基的fcc
固溶体,称为a相;v当Zn的原子浓度在38
-50%之间时,将出现新相,称为b相,是bcc结构,
其化学式为CuZn
,电子-原子比(即电子浓度)为3/2
,是一种电子化合物;v
当Zn的原子浓度大于50%时出现g相,为复杂立方结构,
每个晶胞中有52个原子,
其化学式为Cu5Zn8,电子-原子比(电子浓度)为21/13;v当Zn的原子浓度~67%时,出现e相,为密排六方结构,
c/a
<1.633
,化学式为CuZn3
,电子浓度为7/4;v在纯Zn附近,
形成以Zn为基的固溶体h相,为近似密排六方结构,
c/a
>
1.633。l在近自由电子情况下,当离布里渊区边界面较远时,
其等能面与自由电子基本相同,近似为球面。l当等能面靠近布里渊区边界面时,由于周期场的影响,等能面将发生畸变,形成向外突出的凸包,从而使其能态密度大于自由电子的能态密度。l当等能面与布里渊区边界面相切时,能态密度达到极大值。其后,能态密度随能量的增加而迅速减小。l当考虑电子填充时,随着电子浓度的增加,费米面逐渐靠近布里渊区边界面;当电子浓度达到一定值时,
费米面将与布里渊区边界面相切。l如电子浓度继续增加,由于能态密度随能量的增加而迅速减小,电子将不得不往更高的能态上填,从而使系统的总能量升高,这种结构将不再是稳定的,
而趋于转变为另一种可使系统的总能量降低的结构,
即发生相变。纯Cu的晶体结构:
fcc当掺入的Zn含量较少时,其晶体结构是以Cu为基的fcc
固溶体(a相)。设fcc
的晶格常数为a
,则其倒格子是格常数为4p/a的bcc
。其简约区是由8个{111}面和6个{100}面所围成的十四面体。
简约区内切球的半径k1(a)及内切球所对应的饱和电子浓度(电子-原子比)h1(a)。当体系的电子浓度大于h1(a)
时,
a相固溶体将不再稳定,
而趋于转变为另一种其内切球中可以填充更多电子的b相(bcc
)。这时,
b相比a相更稳定,
于是,发生了从a相向b相转变的相变。对于b相(bcc结构),
同样可求出其简约区的内切球半径k1(b)及
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