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文档简介

1、准经典运动一、

波包与电子速度在晶体中,可以用含时间的Bloch函数来组成波包。一维情况:设波包由以k0为中心,在Dk的范围内的波函数组成,

并假设Dk很小,近似认为uk

x

uk0

x

不随k而变对于一确定的k

,含时的Bloch函数为y

k

x,

t

ei

kx

w

t

uk

x

w

k

E

k

Hume-Rothery定律实验发现,在许多合金体系中,电子浓度是决定合金具有什么相结构的重要参量。一定的电子浓度将出现一定的相,这种现象称为Hume-Rothery定律。具有一定电子浓度的合金相称为电子化合物。以Cu

-Zn合金相图为例:纯Cu的晶体结构是面心立方,

当掺入Zn后,随Zn含量的逐渐增加,其结构将发生一系列变化:由a相®b相®g相®e相®h相。修正的依据v

电子的能量只在布里渊区边界附近偏离自由电子能量,周期场的影响使等能面在布里渊区边界面附近发生畸变,形成向外突出的凸包;v

等能面几乎总是与布里渊区边界面垂直相交;v费米面所包围的总体积仅依赖于电子浓度,而不取决于电子与晶格相互作用的细节;v

周期场的影响使费米面上的尖锐角圆滑化。En(k)的平移对称性:

En(k)=En(k±Gn’)

En

En

在布里渊区边界面附近:

k

=k

∥+k^

在布里渊区边界面上:

k

Gn

证明在一般情况下,等能面与布里渊区边界面垂直相交:En(k)具有反演对称性:

En(k)=En(-k)

k

k

k

k

Gn

En

k

En

k

-kk

E

E

E

k

Gn

k

Gn

0如果沿一个边界面的法线方向上处处都有

kn

Gn

0那么,与该边界面相交的等能面必与此边界面垂直。nnnnnnnnnnnnnnnnn

En

En

En

En

k

k

k

-k

k

k

k

k

Gn

En

Gn

k

Gn

En

Gn

k

Gn

沿布里渊区边界面的法线方向上,

En

k

En

k例:二维正方晶格近自由电子的费米面图形。设二维晶格的晶格常数为a

,晶体的原胞数为N,k的分布密度:

rk

设平均每个原子有h个价电子,

即电子浓度为h电子/原子。对于简单晶格:hN

2r

k

pk

2

pk

k

kF

1

p

k1

F2F2F2a

a

p

p电子浓度hkF/k110.79821.12831.38241.59651.78461.954为简约区的内切圆半径k

p

a其中yxkk1简约区中自由电子的费米面第一能带h=4,

5,

6第二能带第四能带第三能带h=2,

3h=1简约区中近自由电子的费米面第一能带h=4,

5,

6第二能带第四能带第三能带h=2,

3h=1v当Zn的原子浓度在~38%以下时,是以Cu为基的fcc

固溶体,称为a相;v当Zn的原子浓度在38

-50%之间时,将出现新相,称为b相,是bcc结构,

其化学式为CuZn

,电子-原子比(即电子浓度)为3/2

,是一种电子化合物;v

当Zn的原子浓度大于50%时出现g相,为复杂立方结构,

每个晶胞中有52个原子,

其化学式为Cu5Zn8,电子-原子比(电子浓度)为21/13;v当Zn的原子浓度~67%时,出现e相,为密排六方结构,

c/a

<1.633

,化学式为CuZn3

,电子浓度为7/4;v在纯Zn附近,

形成以Zn为基的固溶体h相,为近似密排六方结构,

c/a

>

1.633。l在近自由电子情况下,当离布里渊区边界面较远时,

其等能面与自由电子基本相同,近似为球面。l当等能面靠近布里渊区边界面时,由于周期场的影响,等能面将发生畸变,形成向外突出的凸包,从而使其能态密度大于自由电子的能态密度。l当等能面与布里渊区边界面相切时,能态密度达到极大值。其后,能态密度随能量的增加而迅速减小。l当考虑电子填充时,随着电子浓度的增加,费米面逐渐靠近布里渊区边界面;当电子浓度达到一定值时,

费米面将与布里渊区边界面相切。l如电子浓度继续增加,由于能态密度随能量的增加而迅速减小,电子将不得不往更高的能态上填,从而使系统的总能量升高,这种结构将不再是稳定的,

而趋于转变为另一种可使系统的总能量降低的结构,

即发生相变。纯Cu的晶体结构:

fcc当掺入的Zn含量较少时,其晶体结构是以Cu为基的fcc

固溶体(a相)。设fcc

的晶格常数为a

,则其倒格子是格常数为4p/a的bcc

。其简约区是由8个{111}面和6个{100}面所围成的十四面体。

简约区内切球的半径k1(a)及内切球所对应的饱和电子浓度(电子-原子比)h1(a)。当体系的电子浓度大于h1(a)

时,

a相固溶体将不再稳定,

而趋于转变为另一种其内切球中可以填充更多电子的b相(bcc

)。这时,

b相比a相更稳定,

于是,发生了从a相向b相转变的相变。对于b相(bcc结构),

同样可求出其简约区的内切球半径k1(b)及

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