课件教程案例

HUAZHONGUNIVERSITYOFSCIENCE HUAZHONGUNIVERSITYOFSCIENCEANDCH2 2.12.1Avo的≥105（很高输入输出ro≤100Ω（很小 （V－＜vO＜V＋明德、厚学、求是当A当Avo(vP－vN)≥VvO＝当Avo(vP－vNV电压传输特vO＝f线性范围内-线性Avo——斜限幅区：voV+或V-，uid可以较大，不再“虚短厚学、求是、创2.21.vO的饱和极限值等于运放若V－<vO则（vP－vN）0---虚4.输入电阻r的阻值很使iP≈0、iN≈0---图2.2.1理想：ri vo 明德、厚学、求是、创v＝A(v－v AvoR1R AvoR1R21R2Rvi R 电压增益输入电阻输出电阻2.4.12.4.1从结构上看，它是反相输入和同相输入相结合的放v(R1R4)(R3R R4 当RR v(vv若继续有R4则vv明德、厚学、求是2.4.2AR4(12R2v1v 2.4.32.4.3（该电路也称为加法电路明德、厚学、求是2.4.4设电容器C的初始电压为零，式中，负号表示vO与vI在位上是相反2.4.4 2.4.4CH3CH3二极管及其基本二极管的基本电路及其分析方法特殊二极管明德、厚学、求是德德 是创半导体二极管的结构、V-I特性、参数、及掌握二极管（包括稳压管）的V-I 3.1半导体二极管的结构、V-I特性、参数、及掌握二极管（包括稳压管）的V-I3.13.13.1明德、厚学、求是空穴空穴——共价键中的空位产生的自由电子和空空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子明德、厚学、求是明德、厚学、求是1.N1.N自由电子是少数载流子，由热激发形成。nn=p明德、厚学、求是明德、厚学、求是明德、厚学、求是明德、厚学、求是3.2.2PN3.2.23.2.2PN明德、厚学、求是明德、厚学、求是3.2.33.2.3PN增强扩散运漂移运明德、厚学、求是3.2.3PN(2)PN结加反向电压由于反向漂移电流很小，故可近似认为其明德、厚学、求是 3.2.3PN(3)PN结V-I3.2.3PN(3)PN结V-IiI(ev/V 其IS——反向饱和电流VD——PN结外加电压且在常温下k为波 q为电子电荷3.2.33.2.3PNiI(ev/V VDVT时，iDVD成指VD<0,|VD|<<明德、厚学、求是3.2.4PN向电流突然快速增加击穿明德、厚学、求是3.2.53.2.5PN扩散电容示明德、厚学、求是、创3.2.5PN运动在结的附近产生一电增量扩散电容示明德、厚学、求是3.2.5PN(2)势垒电容CB3.2.5PN(2)势垒电容CBQCT SV1V B3.2.5PNPN结的电容效应是势垒电容和扩散电容CD当PN大（主要决定于扩散电容 正偏时，Cj≈当PN结处于反向偏置时，结电容较反偏时，CjCB（主要决定于势垒电容CB）明德、厚学、求是 明德、厚学、求是工频工频大电流整流电路明德、厚学、求是二极管的V-I特性曲线可用下式表iIv 硅二极管2CP10的V-特性锗二极管2AP15的V-特明德、厚学、求是P72,表3.3.1P72,表3.3.1 二极管电路的简化模型分析方法明德明德、厚学、求是3.4.1明德、厚学、求是v和流过二极管的电流iiVDDv即iDRvDRVDD是一条斜率为-1/R的直线，称为明德、厚学、求是 将指数模iI v 分段线性化，得到二管特性的等（1）理想（a）V-I特性（b）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）明德、厚学、求是3.4.21.二极管V-I3.4.21.二极管V-I （a）V-I特性（b）电路模 （a）V-I特性（b）电路模1.二极管V-I特性的建 i1v1(Vv R 3.4.23.4.21.二极管V-I特性的建rD根据iDIS v（a）V-I特性（b）gdi ISeviDI则r1 rV I明德、厚学、求是1.二极管V-I特性的建（a）V-I特性（b）明德、厚学、求是2．模2．模型分析法应用举例P78-例（1）整流电路:已知vs为正弦波，利用二极管理想模（a）电路（b）vs和vO的波明德、厚学、求是2．模型分析法应用举（2）静态工作情况分（a）简单二极管电路（b）明德、厚学、求是 2．模型分析法应用举例P80-例 解：先断开D，以 2．模型分析法应用举例P80-例解：先断开D，以O为基准电位，即O点为0V导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D2．模型分析法应用举（5）小信号工作情况分 概念，在放大电路的分析中非常重要ID=(VDD-VD)/R=26(mV明德、厚学、求是图所示，输出的交流量叠加在直流量明德、厚学、求是二极管(稳压二极管)变容二极管二极管光电子器件明德、厚学、求是稳定电压动态电阻rZ=VZIZmax和最小稳定工作电流(5)稳定电压温度系数——二二极正常稳压时VO明德、厚学、求是3.5.2变容二极管---明德、厚学、求是（a）符 （b）正向V-I特明德、厚学、求是利用金属（与明德、厚学、求是3.5.41.（a）符号（b）电路模型（c厚3.5.41.（a）符号（b）电路模型（c厚学、