毕业实习答辩,纳米薄膜,太阳能电池

暑期实习报告极端条件实验室，纳米薄膜生长工艺暑期实习报告目录1.实习地点介绍2.计划工作安排3.实际工作进度4.实习工作总结暑期实习报告实习地点介绍东六C半导体工艺实验室东九B极端条件实验室主要设备：高纯水净水器磁力搅拌器等离子刻蚀机大功率烘干机超声波清洗机主要设备：高温硼扩散炉高温磷扩散炉高温氧化炉化学实验操作平台RCA清洗平台大功率烘干机高真空磁控溅射仪暑期实习报告实习地点介绍东六C半导体工艺实验室主要工作：硅片的清洗，切割磁控溅射薄膜生长样品退火工艺暑期实习报告实习地点介绍东九B极端条件实验室主要工作：ITO导电玻璃测试，标记超声波清洗ITO水热法制备纳米棒状整列样品烘干暑期实习报告计划工作安排计划工作安排：预计时间探究Ag溅射的最佳功率和时间08.1-08.02探究WO3溅射的最佳功率和时间08.03-08.04探究ZnO溅射的最佳功率和时间08.05-08.06探究TiO2溅射的最佳功率和时间08.07-08.08制备核壳结构光阳极08.09-08.12核壳结构光阳极退火08.13制备Ag薄膜对电极08.13-08.14制备TiO2@ZnO核壳结构的染料敏化电池08.15-08.20暑期实习报告实际工作进度探究Ag溅射的最佳功率和时间（08.01-08.02）主要实验步骤：1.将硅片切割成1*2cm规格5片2.RCA清洗法清洗硅片暑期实习报告实际工作进度探究Ag溅射的最佳功率和时间（08.01-08.02）主要实验步骤：3.设置薄膜生长参数编号功率时间反射功率气压1201500.52301000.53301500.54401000.5560500.54.进行薄膜生长（40W溅射辉光）暑期实习报告实际工作进度探究Ag溅射的最佳功率和时间（08.01-08.02）主要实验步骤：5.薄膜数据检测30w15min参数下SEM扫描图像aba、厚度扫描成像b、平面扫描成像暑期实习报告实际工作进度探究WO3溅射的最佳功率和时间（08.03-08.04）主要实验步骤：1.将硅片切割成1*2cm规格6片2.RCA清洗法清洗硅片3.高纯氮气吹干硅片4.设置溅射参数5.安装WO3靶材6.进行薄膜生长7.薄膜数据检测暑期实习报告实际工作进度探究WO3溅射的最佳功率和时间（08.03-08.04）主要实验步骤：3.设置溅射参数编号功率（W）时间(min)反射功率(W)气压(Pa)1503001.02603000.93653001.04703000.95803000.961003000.94.进行薄膜生长暑期实习报告实际工作进度探究WO3溅射的最佳功率和时间（08.03-08.04）主要实验步骤：5.薄膜数据检测（利用台阶仪测试扫描厚度和粗糙度）编号功率（W）时间(min)厚度（nm）速率（nm/min）RaRq1503065.672.192.983.922603065.502.182.883.923653084.672.822.112.6947030113.003.772.293.3458030108.673.622.183.06610030150.255.012.483.17最佳功率65W，速率较快但是表面平整暑期实习报告实际工作进度探究ZnO溅射的最佳功率和时间（08.05-08.06）主要实验步骤：1.将硅片切割成1*2cm规格6片2.RCA清洗法清洗硅片暑期实习报告实际工作进度探究ZnO溅射的最佳功率和时间（08.05-08.06）主要实验步骤：3.设置溅射参数4.进行薄膜生长编号功率（W）时间(min)反射功率(W)气压(Pa)1606000.52806000.931006000.541206020.951406030.561606040.5暑期实习报告实际工作进度探究ZnO溅射的最佳功率和时间（08.05-08.06）主要实验步骤：5.薄膜数据检测（利用SEM扫描测试厚度和表面）编号功率（W）时间(min)平均厚度（nm）平均速率（nm/min）16060296.694.94528060334.325.572310060381.706.362412060509.538.492514060568.089.468616060642.4210.70760w60min参数下SEM扫描图像a、厚度扫描成像b、平面扫描成像ab暑期实习报告实际工作进度探究TiO2溅射的最佳功率和时间（08.07-08.08）主要实验步骤：1.将硅片切割成1*2cm规格6片2.RCA清洗法清洗硅片暑期实习报告实际工作进度探究TiO2溅射的最佳功率和时间（08.07-08.08）主要实验步骤：4.进行薄膜生长3.设置溅射参数编号功率（W）时间(min)反射功率(W)气压(Pa)145300125530013653001475300158530016953001暑期实习报告实际工作进度探究TiO2溅射的最佳功率和时间（08.07-08.08）主要实验步骤：5.薄膜数据检测(台阶仪测试扫描厚度)编号功率（W）时间(min)平均厚度（nm）平均速率（nm/min）14530213.157.1225530241.268.0436530273.129.1147530299.689.9858530342.5411.4269530375.1112.50在65W的功率下表面粗糙度最小，故采用65W的功率暑期实习报告实际工作进度制备核壳结构光阳极（08.09-08.12）主要实验步骤：1.测试ITO导电面，并作上标记2.超声清洗ITO暑期实习报告实际工作进度制备核壳结构光阳极（08.09-08.12）主要实验步骤：3.制备ZnO晶种层（100nm）在ITO导电面进行氧化锌纳米薄膜生长，做为后期水热法制备氧化锌棒状阵列的晶种层溅射参数为:功率时间气压60W20min13s0.5Pa暑期实习报告实际工作进度制备核壳结构光阳极（08.09-08.12）主要实验步骤：4.水热法制备ZnO可控棒状阵列结构反应主要方程式：NH3·H2O→NH4++OH-

(1)Zn2++NH3·H2O→[Zn(NH3)4]2++H2O(2)[Zn(NH3)4]2+→[Zn(OH)n](n-2)-→ZnO

(3)实验条件：（1）配置0.03mol/l的ZnCl2溶液60ml*6（2）利用氨水将溶液PH值调制9（3）恒温烘箱调制90度（4）晶种层置于反应釜内胆，接触溶液（5）恒温生长6h采用晶籽辅助水热法，即在前面实验中生长的氧化锌晶种层作为晶籽层，在水热试验中生长可控纳米棒状阵列a、水热法反应釜b、恒温反应箱暑期实习报告实际工作进度制备核壳结构光阳极（08.09-08.12）主要实验步骤：4.水热法制备ZnO可控棒状阵列结构上述条件下制备的氧化锌纳米棒状阵列SEM图像abc

(a)正面图(b)正面局部放大图(c)截面图暑期实习报告实际工作进度制备核壳结构光阳极（08.09-08.12）主要实验步骤：5.制备TiO2壳层组成TiO2@ZnO核壳结构在生长完好的氧化锌棒状阵列结构中制备TiO2@ZnO核壳结构，其主要目的是提高电荷的存储量，提高开路电压溅射参数为:功率时间气压85W43min18s1.0Pa暑期实习报告实际工作进度核壳结构光阳极退火（08.13）主要实验步骤：1.将核壳结构样品取出，将退火炉的温控程序设置在成三步，分别为上升（450度、30min），恒温(450度、70min)，下降（50度、30min）3.将光阳极放置在石英皿中退火退火参数为（450度，45min），退火三片，与未退火进行比较暑期实习报告实际工作进度制备Ag薄膜对电极（08.13-08.14）主要实验步骤：1.取出ITO导电玻璃测试标记2.超声洗净暑期实习报告实际工作进度制备Ag薄膜对电极（08.13-08.14）主要实验步骤：3.Ag薄膜生长在洁净的ITO表面生长一层Ag薄膜，增加对电极的电导，同时增加电池中电解液氧化还原反应速率溅射参数为:功率时间气压60W12min1s1.0Pa暑期实习报告实际工作进度制备TiO2@ZnO核壳结构的染料敏化电池（08.15-08.20）主要实验步骤：1.对光阳极进行染料敏化将N719染料与酒精1：10的体积比进行混合，在暗室中将制作好的光阳极放置在配置好的敏化液中敏化12h，敏化的主要作用是拓宽光阳极的光谱吸收宽度，提高光的吸收a、N719敏化液样品b、N719敏化液化学式暑期实习报告实际工作进度制备TiO2@ZnO核壳结构的染料敏化电池（08.15-08.20）主要实验步骤：2.光阳极对电极封装组成电池，并注入电解液在实验室中利用酒精灯对光阳极进行加热，然后将热塑性塑料在加热后的光阳极边缘涂覆一周，同时将对电极盖在光阳极的四周，冷却后即可形成简单的封装

冷却后，将电解液利用细针孔注入但电池中，直到电解液注满为止暑期实习报告实际工作进度制备TiO2@ZnO核壳结