标准解读
《GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法》相比于其前版《GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》，主要在以下几个方面进行了更新与调整：
-
技术内容的更新：2013版标准对测量原理、测试设备、样品制备、测试步骤及数据分析方法等方面的技术描述进行了修订和完善，以反映近年来该领域技术的发展和进步。例如，可能包含了更精确的测量技术和数据处理算法，以提高测试结果的准确性和重复性。
-
标准适用范围的明确：新版标准可能对适用的样品类型、外延层厚度、以及测量条件等给出了更为具体或扩展的界定，确保标准的适用性和实用性得到增强。
-
术语和定义的规范：随着科学技术的进步，相关专业术语可能有所变化或新增。2013版标准对涉及的专业术语进行了更新和规范，以保持与国际标准的一致性，并便于读者理解和应用。
-
测量精度与误差分析的改进：新标准可能引入了更严格的数据处理规则和误差分析方法，包括对测量不确定度的评估指南，以帮助用户更好地理解并控制实验中的误差来源。
-
参考文献和案例研究的更新：为保证标准的先进性和实用性，2013版标准引用了最新的科研成果和实践经验，可能增加了新的参考文献，提供更丰富的案例分析或比较研究，以指导实际操作。
-
格式与表述的优化：遵循国家标准的最新编写规则，2013版在文档结构、图表设计、语言表述等方面进行了优化，提高了标准的可读性和易用性。
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- 废止
- 已被废除、停止使用，并不再更新
- 2013-12-31 颁布
- 2014-08-15 实施
文档简介
ICS29045
H80.
中华人民共和国国家标准
GB/T14863—2013
代替
GB/T14863—1993
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系
测定硅外延层中净载流子浓度的方法
Methodfornetcarrierdensityinsiliconepitaxiallayersbyvoltage-capacitance
ofgatedandungateddiodes
2013-12-31发布2014-08-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T14863—2013
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准代替用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流
GB/T14863—1993《-
子浓度的标准方法
》。
本标准与相比主要有下列变化
GB/T14863—1993,:
增加了标准的前言
———“”;
调整并增加了引用标准
———;
对试验条件试验方法进行了简化和调整
———、;
对附录进行了调整
———。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本标准由中国电子技术标准化研究院归口
。
本标准起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究
:、
所中国电子技术标准化研究院
、。
本标准主要起草人何秀坤董颜辉周智慧段曙光刘筠
:、、、、。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为
:
———GB/T14863—1993。
Ⅰ
GB/T14863—2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系
测定硅外延层中净载流子浓度的方法
1范围
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法
。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值见附录相同或相反导电类型衬底上的型或
(A)n
型外延层的净载流子浓度测量本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量
p。。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
硅外延层扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法
GB/T14141、
硅外延层载流子浓度测定汞探针电容电压法
GB/T14146-
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延厚度的红外反射测量方法
GB/T14847
用磨角和染色技术测定硅外延或扩散层厚度的试验方法
SEMIMF110-1105
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件
。
31
.
击穿电压breakdownvoltage
被测二极管出现漏电电流时的反向偏压
10μA。
4方法原理
测量栅控或非栅控结或肖特基二极管的小讯号高频电容与反向偏压的函数关系由所测电容
p-n,
和反向偏压值确定净载流子浓度与深度的函数关系对于栅控二极管的测量栅极加一恒定偏压
。,。
5测量仪器
51电容电桥或电容计
.
量程满刻度为以倍增大或减小测量频率范围为每个
1pF~1000pF,10。0.09MHz~1.1MHz,
量程准确度优于满刻度的重复性优于满刻度的仪器应能承受或绝对值更高的外
1.0%,0.25%。200V
加直流偏压能补偿不低于的外部探针架的杂散电容内部交流测量讯号不大于
,5pF,0.05V(r.m.s)。
52数字电压表或电位计
.
其灵敏度优于
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