GB/T 13062-2018半导体器件集成电路第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序)

ICS31200

L57.

中华人民共和国国家标准

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

代替:

GB/T13062—1991

半导体器件集成电路

第21-1部分膜集成电路和混合膜集成

:

电路空白详细规范采用鉴定批准程序

()

Semiconductordevices—Integratedcircuits—

Part21-1Blankdetailsecificationforfilminteratedcircuitsandhbridfilm

:pgy

integratedcircuitsonthebasisofthequalificationapprovalprocedures

(IEC60748-21-1:1997,IDT)

2018-12-28发布2019-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

前言

半导体器件集成电路已经或计划发布以下部分

《》:

半导体器件集成电路第部分总则

———GB/T16464—19961:(idtIEC60748-1:1984);

半导体器件集成电路第部分数字集成电路

———GB/T17574—19982:(idtIEC60748-2:

1985);

半导体器件集成电路第部分模拟集成电路

———GB/T17940—20003:(idtIEC60748-3:

1986);

半导体器件集成电路第部分接口集成电路第一篇线性数

———GB/T18500.1—20014::

字模拟转换器空白详细规范

/(DAC)(idtIEC60748-4-1:1993);

半导体器件集成电路第部分接口集成电路第二篇线性模

———GB/T18500.2—20014::

拟数字转换器空白详细规范

/(ADC)(idtIEC60748-4-2:1993);

半导体器件集成电路第部分半定制集成电路

———GB/T20515—20065:(idtIEC60748-5);

半导体器件集成电路第部分半导体集成电路分规范不包括混

———GB/T12750—200611:(

合电路

)(idtIEC60748-11:1990);

膜集成电路和混合膜集成电路总规范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988);

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合膜集成电路分

———GB/T11498—201821:

规范采用鉴定批准程序

()(IEC60748-21:1997,IDT);

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合膜集成电路

———GB/T13062—201821-1:

空白详细规范采用鉴定批准程序

()(IEC60748-21-1:1997,IDT);

膜集成电路和混合膜集成电路分规范采用能力批准程序

———GB/T16465—1996()(idt

IEC60748-22);

膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范采用能力批准程序

———GB/T16466—1996()(idt

IEC60748-22-1)。

本部分为半导体器件集成电路的第部分

《》21-1。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范采用鉴定批准程

GB/T13062—1991《(

序与相比主要技术变化如下

)》,GB/T13062—1991,:

修改了鉴定检验程序由一个程序扩展为程序和程序两个程序见表表年版的

———,AB(4、5,1991

表表

2、3);

删除了有关文件的规定见年版的第章

———“”(19913);

增加了封盖前目检和电耐久性两个试验项目见表

———“”“”(2);

增加了可焊性试验见表

———“4.5.10”(3b)。

本部分采用翻译法等同采用半导体器件集成电路第部分膜集成

IEC60748-21-1:1997《21-1:

电路和混合膜集成电路空白详细规范采用鉴定批准程序

()》。

与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下

:

膜集成电路和混合膜集成电路总规范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988);

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合膜集成电路分

———GB/T11498—201821:

规范采用鉴定批准程序

()(IEC60748-21:1997,IDT)。

本部分做了下列编辑性修改

:

Ⅰ

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

表中易燃性试验栏增加脚注建议该试验宜规定为破坏性试验见表

———3b“D/ND”,(3b);

表中分组电耐久性有误改为电耐久性见

———IEC60748-21-1:19974bB8“4.4.14”,,“4.5.14”(

表

4b)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第四十三研究所中国电子技术标准化研究院

:、。

本部分主要起草人冯玲玲陈裕焜雷剑王琪王婷婷管松林

:、、、、、。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T13062—1991。

Ⅱ

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

半导体器件集成电路

第21-1部分膜集成电路和混合膜集成

:

电路空白详细规范采用鉴定批准程序

()

引言

电子元器件质量评定体系遵循章程并在授权下工作该体系的目的是确定质量评

IECIECIEC。

定程序以这种方式使一个参加国家按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有

,

参加国同样接受

。

编制详细规范时将总规范中和分规范中和的内容考虑进去

,3.52.33.2。

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一并与下列标准一起使用

,:

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合集成电路总规范

IEC60748-2020:(Semi-

conductordevices—Integratedcircuits—Part20:Genericspecificationforfilmintegratedcircuitsand

hybridfilmintegratedcircuits)

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合膜集成电路总规范

IEC60748-20-120-1:

第部分内部目检要求

1:(Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part20:Genericspecification

forfilmintegratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuits—Section1:Requirementsforinternal

visualexamination)

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合膜集成电路分规范采用

IEC60748-2121:(

鉴定批准程序

)(Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part21:Sectionalspecificationforfilm

integratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuitsonthebasisofqualificationapprovalprocedures)

对于目录内电路已经出版详细规范其格式及最少内容应符合表表要求

a),,2~4;

对于定制电路未出版详细规范其格式和内容是可以选择的但是定制电路与其外形安装

b),,;,、

和功能等方面有关的要求需经过验证可在鉴定批准的维持试验程序中规定也可在详细规范

,,

中规定亦或两者组合规定

,;

对于未出版详细规范其格式及内容宜符合表表要求

c)CQCs,,2~4。

本部分规定了编制膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范采用鉴定批准程序的基本要求