标准解读
《GB/T 12632-1990 单晶硅太阳电池总规范》是中国关于单晶硅太阳电池产品的国家标准,旨在规定单晶硅太阳电池的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存要求,以确保产品的性能和质量一致性。该标准内容涵盖以下几个关键方面:
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适用范围:明确了本标准适用于以单晶硅片为基底,通过扩散、镀膜、印刷电极等工艺制备的太阳电池。这些电池主要用于光电转换,将太阳光能转换为电能。
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分类与命名:规定了单晶硅太阳电池的分类依据,通常包括电池的尺寸、结构、应用类型等,并对电池的命名规则进行了说明,便于产品识别和分类管理。
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技术要求:详细列出了单晶硅太阳电池在电气性能、机械性能、外观质量等方面的具体要求。例如,规定了电池的开路电压、短路电流、最大功率、转换效率等电气参数的最低标准;同时,也对电池的尺寸公差、表面缺陷、封装材料等有明确要求,以确保电池的可靠性和使用寿命。
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试验方法:介绍了如何对单晶硅太阳电池进行性能测试和质量检验的具体步骤和条件,包括光照条件、测试设备、测试程序等,确保测试结果的准确性和可重复性。
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检验规则:规定了产品出厂前应进行的检验类型(如全检、抽样检)及合格判定准则,明确了不合格品的处理方式,确保只有符合标准要求的产品才能进入市场。
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标志、包装、运输和储存:要求产品上需有清晰、耐久的标识,标明制造商信息、产品型号、生产日期等;同时,对电池的包装材料、方式、运输条件及储存环境提出了具体要求,以防止在流通和存储过程中对电池造成损害。
该标准的实施,为单晶硅太阳电池的生产、检测、销售提供了统一的技术指导和质量控制依据,促进了太阳能光伏行业的规范化发展。
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- 废止
- 已被废除、停止使用,并不再更新
- 1990-12-28 颁布
- 1991-10-01 实施



文档简介
DC621.352K83中华人民共和国国家标准GB12632-90单晶硅太阳电池总规范Generalspecificationofsinglesiliconsolarcells1990-12-28发布1991-10-01实施国家技术监督局发布
中华人民共和国国家标准单晶硅太阳电池总规范GB12632-90中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045电话:63787337、637874471991年7月第一版2004年12月电子版制作书号:155066·1-8160版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533
中华人民共和国国家标准单晶硅太阳电池总规范GB12632-90Generalspccificationotsinglesiliconsolarcells主题内容与适用范围本规范规定了未封装的硅太阳电池的一般要求。本规范适用于地面、航天应用的单品硅太阳电池。2引用标准GB1550硅单晶导电类型测定方法GB1551硅单品电阻率直流二探针测量方法GB1552硅单品电阻率直流四探针测量方法GB1553硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法GB1554硅单品(111)晶面位错蚀坑腐蚀显示测量方法·GB1555硅单晶晶向光图测量方法GB1556硅单品晶向×光衍射测量方法B2828逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)GB2829周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查)GB.6494航天用太阳电池电性能测试方法GB6495地面用太阳电池电性能测试方法技术要求3.1设计和结构3.1.1基体设计按产品详细规范要求,选用单品硅片为基体材料和制备有光电效应的P-N结。3.1.2电极根据电池使用条件的要求,设制有一定形状尺寸的单层或多层金属结构系统的上、下电极,其热膨胀系数应与硅基体材料相匹配,接触电阻小,有良好的导电性和可焊性,有效光照面积不小于90%。3.1.3减反射膜为减少光反射,提高输出功率,电池光照面应设制减反射膜。。减反射膜材料的光学性质应与电池相匹配,要求层数应在产品详细规范中规定。3.1.4电极焊接区电池的上电极应设制有电极焊接区,电极焊接区的厚度、光洁度、导电性、热物理性能、形状尺寸、选材、力学疲劳强度应在产品详细规范中规定。3.1.5尺寸和
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