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半导体物理习题课件第五章用强光照射n型样品，假定光被均匀吸收，产生过剩载流子，产生率为，空穴的寿命为。⑴写出光照下过剩载流子满足的方程⑵求出光照达到稳定状态时过剩载流子浓度解答：⑴少子（过剩载流子）满足的运动方程为：根据题意：①光被均匀的吸收,故不存在少子浓度梯度，故扩散项为零。②电场为零，不存在漂移因素，则漂移项为零∴过剩少子满足⑵稳态时，半导体材料寿命，光照时产生非平衡载流子，试求光照突然停止后，非子衰减到原来的百分之几？解答：t=0时非子浓度为当而时非子衰减为原来的：画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的费米能级和光照时的准费米能级。解答：，且，故偏离较小，，偏离较大，，，，对Si，，光照产生，试计算准费米能级位置，并与原来的费米能级作比较。解答：<2><1><2>代入<1>得：解出又①原来的费米能级位置：由可得：②由可得：③①+③得②-①得对N型半导体，偏离较小，而偏离较大p型Ge，T=300K，，解答：，求电子的扩散长度。由爱因斯坦关系：，空穴浓度线性分布，

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