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文档简介
练习作业实验第2章逻辑门电路习题本章重点因此:关断时间(toff):指三极管由正向导通转为反向截止所需的时间,即关闭时间(主要是清除三极管内存储电荷的时间)(1)三极管在快速变化的脉冲信号的作用下,其状态在截止与饱和导通之间转换,三极管输出信号随输入信号变化的动态过程称开关特性。(3)三级管的开启时间和关闭时间总称为三极管的开关时间,提高开关速度就是减小开关时间。因为有ts
的大小是决定三极管开关时间的主要参数。所以为提高开关速度通常要减轻三极管饱和深度。题2-1三极管的开关特性指的是什么?什么是三极管的开通时间和关断时间?若希望提高三极管的开关速度,应采取哪些措施?(2)开通时间(ton):指三极管由反向截止转为正向导通所需时间,即开启时间是(三极管发射结由宽变窄及基区建立电荷所需时间)练习ts存储时间tf下降时间toff>ton,ts>tf,toff=ts+tf
(1)设三极管T的开启电压VBE=0.7V,<0.7V,代人已知数值得:
因此VI<2.8V时,三极管T截止。
(2)根据三极管T饱和条件:iB>IBS代人已知数值得:则VB<0.7V三极管截止,有:因此VI>4.7V时,三极管T饱和。×I1iBI2VI<2.8VVI>4.7V(1)代人已知数值得:RC=0.58kΩ(2)
临界饱和时,IB=IBS
有:,得:Rb=6.5kΩ逻辑图如下:
输入输出
注释S1S0
YEN1EN2EN3000110
11
题2-10
分析题图2-67所示电路,求输入S1
,S0各种取值下的输
出Y,填入题表2-10中。B'A'C'A'011101000101总线题2-14
设发光二极管的正向导通电流为10mA,与非门的
VCC=5V,VOL=0.3V,IOL=16mA,
试画出与非门驱动发光二极管的电路,并计算出发光二极
管支路中的限流电阻阻值。0.3V16mA设发光二极管导通电压为0.7V,为了满足电流要求,则限流电阻R应满足下面不等式:得到:
i0.3V0.4mA不能提供发光二极管需要的电流。VOH10mA<i<16mA0.25kΩ<R<0.4kΩ题2-17试分析图2-72中各电路的逻辑功能,写出输出的逻辑函数式。(a)
(b)
Y=(A'B'C')''=(A+B+C)'Y=((A'+B'+C')')''=A·B·C题2-18计算图2-73电路中上拉电阻RL的阻值范围。其中G1,G2
,G3是74LS
系列的OC门,输出管截止时的漏电流ICEO
≤100μA,输出低电平VOL≤0.4V时允许的最大负载电流IOL
(max)=8mA。G4,G5
,G6
为74LS
系列与非门,它们的输入电流为|IIL|≤0.4mA、IIH≤20μA。给定VCC=5V,要求OC门的输出高、低电平应满足VOH≥3.2V
,VOL≤0.4V。IRL(1)当vO=VOH时VOHICEOICEOICEO
OC门输出级T5截止,只有很小的漏电流ICEO。IIHIIHIRL=3ICEO+6IIHvO=VCC-IRLRL≥VOH(min)负载TTL与非门,输入高电平电流按脚计。RL的最大值(2)当vO=VOL时IOLIILIILIIL只有一个OC门输出低电平是最不利情况,灌入电流小于IOL(max)。VOLIOL(max)=IRL+3IIL
负载TTL与非门,输入低电平电流按门计。RL的最小值IRLvO=VCC–IRLRL≤VOL(max)题2-2
试写出三极管的饱和条件,并说明对于题图2-62的电路,下列方法中,哪些能使未达到饱和的三极管饱和。三极管的饱和判断条件为:
作业题所以,能使未达到饱和的三极管饱和的方法:iB>IBSRb
6-VBEiB=βRC
VCC-VCESIBS=Rbβ题2-5为什么说TTL反相器输入端在以下4种接法下都属于逻辑0?(1)输入端接地。(2)输入端接低于0.8V的电源。(3)输入端接同类门的输出低电压0.2V。(4)输入端接200Ω的电阻到地。(4)TTL反相器接的输入端负载200Ω<Roff(700Ω)则TTL反相器输出为高电平。0.7V3.6V0.8V1.5V(1)TTL反相器VB1=0.7V,
T5截止,相当于输入低电平。(2)TTL反相器VB1=1.5V,
T5截止,相当于输入低电平。VB1<2.1V,T5截止,(3)TTL反相器VB1=0.9V,
T5截止,相当于输入低电平。0.2V0.9V<2.1V(1)输入端A悬空,VB1=2.1V,T5饱和导通,输出低电平。题2-6为什么说TTL反相器输入端在以下4种接法下都属于逻辑1?(1)输入端悬空。(2)输入端接高于2V的电源。(3)输入端接同类门的输出高电压3.6V。(4)输入端接10kΩ的电阻到地。悬空2.1V0.2V(2)TTL反相器VIH(min)=2.0V,输入端接高于2V的
电源相当于输入高电平。(此时反相器输出低电平)(4)因为TTL反相器接的输入端负载10kΩ>RON(2kΩ)则TTL反相器输出低电平。所以输入端接10kΩ的电阻到地相当于接高电平。>2.0V2.1V0.2V(3)输入端接同类门的输出高电压3.6V。3.6V2.1V1.4V2.1V1.4V题2-7
指出图2-65中各门电路的输出是什么状态(高电平、低电平或高阻态)。已知这些门电路都是74系列的TTL电路。IIHVI=VCC-IIHR≥VIH(min)R≤(VCC-VIH(min))/IIH=(5-2)/0.04=75kΩY1=0Y2=1Y3=1Y4=0Y5=0Y6=ZY7=1Y8=0VI根据TTL反相器电路输入端负载特性:关门电阻Roff=0.7kΩ开门电阻Ron=2.0kΩ同时考虑图中各逻辑门的功能特点:题2-8
说明图2-66中各门电路的输出是高电平还是低电平。已知它们都是74HC系列的CMOS电路。根据CMOS门在输入正常工作电压0~VDD时,输入端的电流为“0”的特点,则接输入端电阻时,电阻两端几乎没有压降值。答案如下:
图2-66Y1=1Y2=1Y3=0Y4=0
题2-11
在题图2-68所示的TTL门电路中,要实现下列规定的逻辑功能时,其连接有无错误?如有错误请改正。错误,普通TTL门不能“线与”正确错误,逻辑错误Y2=(AB)'⊙1=(AB)'(a)Y1=(AB)'(CD)'(b)Y2=(AB)'(c)Y2=(AB+C)'题2-12
在图示的由74系列TTL与非门组成的电路中,计算GM门驱动多少同样的与非门。要求GM门VOH≥3.2V,
VOL≤0.4V。非门输入电流为IIL≤-1.6mA
,
IIH≤40uA。VOL≤0.4V时,
IOL(max)=16mA,VOH≥3.2V时,IOH(max)=
-0.4mA。
GM的输出电阻可忽略不计。GM输出的高电平VOH时:分两种情况讨论:GM输出的低电平VOL时:考虑同时满足两种情况:TTL与非门能驱动同类门个数N=5VOHVOL注释:TTL与非门输入低电平按门计,输入高电平按脚计。2×IIH
IOH(max)N1=2×0.040.4==5IIL
IOL(max)N2=1.616==10题2-13
如上题,其他条件相同,在图2-70所示的由74系列TTL
或非门组成的电路中,或非门每个输入端的输入电流为IIL≤-1.6mA,IIH≤40μA计算门GM能驱动多少同样的或非门。GM输出的高电平VOH时:分两种情况讨论:GM输出的低VOL电平时:考虑同时满足两种情况:TTL与非门能驱动同类门个数N=5VOHVOL注释:TTL或非门输入高、低电平均按脚计。2×IIH
IOH(max)N1=2×0.040.4==52×IIL
IOL(max)N2=2×1.616==5题2-15试说明在下列情况下,用万用表测量图2-71中VI2端得到的电压各为多少:(1)VI1悬空;(2)VI1接低电平(0.2V);(3)VI1接高电平(3.2V);(4)VI1经51Ω电阻接地;(5)VI1经10kΩ电阻接地。图中的与非门为74系列的TTL电路,万用表使用5V量程,内阻为20
kΩ/V。
相当于VI2端对地接20kΩ电阻T1(1)悬空端连接的发射结不导通,只有VI2端的发射结导通,总电路等同一个反相器。VB1=2.1V,VI2=1.4V。2.1V(2)接低电平(0.2V)时:连接VI1端的发射结导通,VB1=0.9V,此时接端VI2的发射结也导通,发射结压降0.7V,VI2=0.2V。(3)接高电平(3.2V):情况同(1),则VI2=1.4V。0.9V0.2V·VI2T1(4)经51Ω电阻接地:VB1=0.75V,VI2=0.05V=
0.05V(5)经10kΩ电阻接地:VI1=1.4V,VB1=2.1V,VI2=1.4V0.75V2.1V1.4V10kΩ电阻上和20kΩ电阻上各自的电流值不同。10kΩR1+51Ω
51ΩVI1=(VCC
-VBE)·VI2总结:与门、与非门
情况相同总结:对于或门、或非门无论VI1输入什么电平,VI2=1.4V或逻辑输入电路之间无约束关系,都为1.4V题2-16若上题中TTL门电路改为或非门,用万用表测量VI2端得到的电压各为多少:(1)VI1悬空;(2)VI1接低电平(0.2V);(3)VI1接高电平(3.2V);(4)VI1经51Ω电阻接地;(5)VI1经10kΩ电阻接地。万用表使用5V量程,内阻为20
kΩ/V。
·VI2题2-17
若将图2-71中的门电路改为CMOS与非门,试说明当为题2-15给出的五种状态时测得的各等于多少?万用表的等效内阻(20kΩ)压降为0,则给出的五种状态时测得的VI2均为0V。(1)VI1悬空;(2)VI1接低电平(0.2V);(3)VI1接高电平(3.2V);(4)VI1经51Ω电阻接地;(5)VI1经10kΩ电阻接地。CMOS门输入端不允许悬空;两个输入端的电平互不影响;输入电流为零。·VI2。题2-20计算图2-74所示电路中接口电路输出端的高、低电平,并说明接口电路参数的选择是否合理。三极管β=40
VCE(sat)=0.1V。CMOS或非门VDD
=5V,空载输出VOH=4.95V,VOL=0.05V,
输出电阻小于200Ω,IOH(max)=4mA,IOL(max)=-4mA。
TTL或非门IIH=40μA,IIL=-1.6mA。
CMOS门输出高低电平虽然满足TTL门电路的要求,但输出电流不满足要求。1.CMOS门输出VOL=0.05V时,晶体管T截止,输出:Tvc=Vcc–6IIHRCvc=5-6×0.04×2=4.52V符合高电平要求。VOL三极管反相器×驱动TTL门较多时,采用三极管反相器进行转换,电流满足要求,检验电平是否满足要求:<4mA1.6×6mAVOL(
+6IIL)VCC-VCESRCIBS=1βCMOS门输出VOH
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