场效应管保护及驱动

驱动小结目录TOC\o"1-5"\h\z一、 栅极 1\o"CurrentDocument"（一） 栅极电压 3\o"CurrentDocument"（二） 栅极与源极电容 3二、 漏极 3三、 3图1IRF4905的转移特性如图2、漏极特性如图3TOPD80」云口0一，£2{1-0BOTTOM■■■■匕匕z20^isPULSETc=25:CWIDTH0.1 1 10 1C0-Vqs:Drain-to-SourceVoltage(V)图2图1IRF4905的转移特性如图2、漏极特性如图3TOPD80」云口0一，£2{1-0BOTTOM■■■■匕匕z20^isPULSETc=25:CWIDTH0.1 1 10 1C0-Vqs:Drain-to-SourceVoltage(V)图2管子特性及驱动一、场响应管特性1所示。增强型绝缘栅场效应管以IRF4905为例，图1所示。<■)lu<Dlm<■)lu<Dlmo<Do」nos§um」cl-0-,-VGS,Gate-to-SourceVoltage(V)图3转移特性表明，当一'"淡值小于开启电压（Vt）时，Id=0;当、三门存在，一眼，点值大于开启电压时，Id才有输出；漏极特性表明，当一'*名大于开启电压VT后,每一个一'上.£，对应一个Id。当一名小于Vt,矿云】过大，将击穿管子，Id会很大，并损坏。随着妇'三口增加，Id开始一段线性增加，在该阶段，管子通态压降较大。当 =—Vt—'"，：名，进入临界饱和，在一\上.£不变情况下，即使F继续增加，Id也基本不变，处于饱和状态。MOS管饱和导通时，通态电阻很小，上图中是外加短时测试电压脉冲。如果测试电源负载能力不够，饱和时，V'招维持不了。饱和后，继续增加7三门，电流Id不会有太大变化，但通态电阻会增大。

栅极（一） 栅极电压VGS小于Vt，管子关断；大于Vt开始导通，每一个VGS，对应一条电流曲线，都包含线性段和饱和段，取决于VSD。VGS大于最大容许值，就会栅极击穿（一般不能超过20V），避免击穿，设计栅极电路时，要控制该压差。当可能存在瞬时高压时，可以用瞬态保护二极管限压。（二） 栅极与源极电容栅极与源极之间有电容，如果是脉冲驱动，为了提高工作速度，可采用推挽驱动。关断时电容快速放电。GDesignExplorer-[E:\+一五项目\徽小型机器人'接近传感器'十一五接近传感器电路'最终电路'接近传感器终版电路.ddb] 以回区FileEditViewPlaceDesignToolsReportsWindowHelp _51XRQ回MX/、：：">:+®剖y►蝴用iscc?]/ (7^ATIS□□oG£1]SSS令卡卜画言。®HtXE,Explorer|BrowseSch| 接近传感器终版电路.ddb|Documents域发射电路制板图.Sch|DesignDesktop国"燮iActiveDesigjiStationsI-卸接近传感器终版电路.ddb[+£誓DesignTeam如DesignDesktop国"燮iActiveDesigjiStationsI-卸接近传感器终版电路.ddb[+£誓DesignTeam如寸Fis'-Z'-leBinEI"IDocumentsj-gj7640.Sch固HCPL2'531.Lib留U1340.Libj席MSP430.libMSF430-duli.FCBTffMSP430备用制版原理图.SchOMSP430>终制版原理ELHET蒲MSP430>终制版原理ELSch"铜FCBLIB1.LIB…囤Sctilibl.Lib专亍八五宜昌电路LM1812.SchOi•发射电路^.lib曲专射电路拔-心u.PCEl□发射电路制械圈.NET域发射电路制极圈.Sch宜接收-xiu.FCBf?"接收电路制板图.Sch｝匐拼接松.PCBOJ三探头ECB.LIB疝三探头FCB.f£F三探头电KTAT640.SCH固三探头发射2.^.TA7B40.Ixb三探头发射2.MTA7640.SchW三探头发射2.^.TA7640最终版.1此其三探头发射2及TA764。最终版Sch▼T^ltrrr-方案一定时<1增强型MOS管有等效栅源电也用臧输出，提高工作速度+12方波到旧玄波只可能通过谐振变换V-1_T除WX：oY:267三、 漏极漏源极电流大，开关快。内部已经考虑反向电压保护二极管。正向电压和正向电流不能超过推荐值，当管子关断时，过大正向电压，可以击穿漏极，可以考虑瞬态二极管保护。此外，对于电感和电容负载，还是要进一步考虑，限制电流及电压的变化率。四、第二级编号，如果出现不能重编号，而是接前面续编，可以重编号。鼠标点击选择二级编号，右键进入重新