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实验一真空蒸发和磁控溅射薄 抽真 六、思考 1、真空蒸发薄膜原抽真空后处在同一温度下的残余气体分子（（原子cm一般可以取平均自由程10L， r2 得 r)2n为残余气体分子的密度r’为残余气体分子半径，r为蒸发膜料分子的半径，p为残余气体的压强，k为常数。样： 常要把膜料加热到使其平衡蒸气压达到几帕以lgp A、B是和材料有关的常数，可 10 p Pa；u为摩尔质量；T为蒸发温度(K)2、磁控1.

溅射原理—反常辉光放电0.1Torr高压，惰性气体被激发，有少量 离生成Ar离子向阴极加速并轰击，产生二次电子二次电子反向加速，与Ar原子碰撞电离Ar Ar和二次电子产生等离子zOyxzOyx如图，xoy面是靶材（阴极。磁控溅射是在溅射区加了EB2式中e和m分别为电子的电量和质量。电子的运动轨迹如图2所示。1有效提高了溅射效率电子以轮摆线的形式沿着靶材的表面前进极大的延长了电子的行程增加了电子和气体分子的碰撞几率提高了电离的效率增加等离子体的密度，高密度的等离子体被约束在靶面附近正离子能有效的轰击靶面极大地增加溅射效率。2降低衬底温度3提高淀3所示，一组磁铁放置于靶后型的磁场强度为几百。在溅射3溅射靶，安装于一个真空法兰上。图5则显示了改靶工作时表面出现的辉光。5446察密封橡胶圈是否完全置于凹；达1pa真空度所需时间；如图，最左上方示数9.7Pa为点偶规示数，无法读数。因仪器故障所限，步骤8中电离10Pa的恒定气压； 打开直流溅射电源，调节溅射电流，到达额定功率(电压：～600V,电流：0.3~0.5A),观空腔中起辉状况，开始镀膜；（5min）到150 C后关闭氩气；抽真空

由于样品之前已经镀过颜色较深的类金（膜所在160材料饱和蒸汽压与加热温度之间的关系为lg B，其中p可以由电离规测得TA=11.79，B=1.594×103TA、由于电离规读数故障，我们无法得到饱和蒸汽压p的值。1Pa1Pa1Pa是电离规与热偶规测量范1PaPt4min10-2Pa。切实证明电离材料饱和蒸汽压与加热温度之间的关系为lg B，其中p可以由电

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