汇总-5第五章HT-7上ECEI诊断初步实验

第五章HT-7ECEI诊断的初步HT-7上的实验已快结束了，而这时系统虽然已经有正常的信号了，但各道条件HT-7实验运行插入安排些放电，记录些测量数据，为下一轮的实验积HT-7ECEITe道后,成像通道的水平位置也就决定了。从而成像系统的取样就清楚了。图所示的就是HT-7上第78896到78914，ECEI诊断系统各道所对应的位5.2.2所显示的HT-7上观测到的锯齿信号分布的对称性表明系统已经对准了HT-7的等离子体中心，所以通道垂直位置0.5cm5.2.2516道在系统安装在到HT-7上时没有了信号，由于时间紧迫，这一问题在这轮实验中一直没有被解决。此外，第7道中出现的矩形脉冲是经过处理后被削平掉了的HT-7ECEI97.5GHz的固定频率上，因此，我们不为了得到校准系数，我们在相同参数条件下可以得出一个校准系数。经过校准后的温度分布如图5.2.3(b)所示。图示经过程中出现的误差较大所制。也有可能是HT-7放电控制偏上了点。5.2.3Te的绝对值，就需要对比来实现。然而，ECEI系统安装在HT-7上时，散射测量还没有调试好，诊断数据无法获得。我们是根据与软X射线能谱（SDD）测量到的Te剖面5.2.4X射线能谱是一个小Te剖面的时间演化清楚地显示出了锯齿振荡（1-8道信号的噪声太大，被剔除研究托卡等离子体的低频相干涨落。ECEI系统校准完后，我们尝试用扫描磁场的方法来获得一个二维的电5.2.6所示，在相同放电条件下相邻的两78927与78928之间，系统的状态出现了变化。各道信号，尤其是第3对后面的不可用，因而没有获得一个二维的电子温度分布。HT- 背为这三个不同的区域可能有完全不同的输运特性[12]q=1面子体的小半径)的区域。这个区域通常可以通过金属探针接近。在这个区域，等[1,2]。在锯齿芯部与边界区之间的环形区域(rq=1<r<0.8a)被称之为约束区，在这里的温度和密度梯度最大[1,2]。在本中，等离子体芯部指锯齿芯部和约束TEXT-UECEITe涨落的功率谱密度和统计色散关系与漂移波理论的相一致[3]，但在RTP上的ECEI诊断却不支持这一结论，而与环位形i模的理论预期相吻合[4]。边界探针测量表明，在HT-7中了进一步研HT-7上等离子体芯部的电子温度涨落，为反常输运的理论研究提我们对HT-7芯部等离子体的电子温度涨落进行了初步的诊断研究。5.3.1所示的就是自相关方法失败的一个例子。数据是从取样区位于托卡的混频通道中获得的。处理过程中联接了从78936到78940(Ip=150kA,ne21019m3,B1.92T)这5 可以看出，计算到的涨落值远高于统计噪声水平(StatisticalNoiseLevel)，总的涨5.3.19道信号的自相关可以看出，在正中间代表随机噪声的Te所示的就是由第15道信号计算得的位于托卡中平面以下7.1cm，低场侧距等离子体中心12.4cm处的局域电子温度涨落。计算得的电子温度涨落Te2.47%。测量是在HT-7的欧姆加热等离子体中进行的，R=1.22m,a=0.27m,B=1.92TIp=150kA,ne=21019m-3。数据是在从360到560ms的放电平顶获取78936到78940(Ipne21019m3B1.92T)5欧姆放电的平顶段(360-560ms)15kHz的MHD信号,这里所有的自相关局域电子温度涨落功率谱的计算都是通过将每360-560ms平顶段下用6MHz采样得到的数据先经过处理除去零漂计算出平均detrend5个取样点，也就是约0.83us，这样两列数据中的热噪声就是非相关的，而涨落信号依然相关，分200kHz200kHz时有个下降)，再除以前面计算出的平均值，就得到了两列信号相对涨落的数据。再拼合5这样的数据，1s400kcpsd通过改变纵场B（由1.82T1.92T，纵场变化3%），我们总共得到了托这个位置两边都逐渐变小。百kHz左右的宽谱涨落在这个位置没有出现。78936到78940(Ip=150kA,ne21019m3B1.92T)5欧姆放电的平顶段(360-560ms)1s上进样区是在r=12.4cm(r/a=0.46)2.1cm，轻微地在等离子体的中平面低场侧偏TEXT-URTP都被观察到过[3-6]。但类似的峰还711道信号的互功率谱中看到（5.3.5所示）。我们认为这应该是一个5.3.4的统计色散关系kf5.3.6kf是采用2.3.30b式通过两个信号之间的交叉相位角测量计算得到的，误差棒代表计算上的标准偏差[7]。由于两个取样区域的径向分离是很小，分别约为r=12.5cm和12.4cm，波数的计算得到的kf绝大部分是在极向方向上的波数。由图上可以看出涨落在40kHz以下是由第9道传向第7道，根据这些放电的纵场方向(由上往下看是顺时针方向)，这一是在电子逆磁漂移方向上的。这与在TEXT-URTP上的结果相一致[34]40kHzkf0附近5.3.757、9两道电子温度涨落信号的互功率r/a=0.45(r=12.4cm)10kHzMHD涨落有一个-5dB左右的MHDr/a>=0.41(r>=11.ocm)r/akf有所增加。法对于系统噪声和干扰的严格要求，仅在15道测量信号上得以实现。但由于的局域涨落信号在r/a=0.41(r=11.0cm)处较大，在其两边有下降的趋势。在第79TEXT-URTP上所看到位于40kHz以上时，信号已经接近统计噪声水平所致。在不同径向位置上的比较中，在10-40kHz之间的低频MHD涨落在较大，在其两边有下降的趋势，同时k(f)随着频率的增加有所增长。附5.2.5Te剖面的时间演化(shot#78911)1-8道信号的噪图5.2.6在相邻的相同放电参数的两78927与78928间一维ECEI诊断系统给场的方法测定电子温度的二维分布。放电参数B0=1.88T,Ipa=150kA,5.3.195.3.215平顶段(360-560ms)的数据

ne21019m3B1.92T)7893678940Ip=150kAne21019m3B1.92T)5欧姆放电的平顶段(360-560ms)，在1s上进行平均得到的。5.3.57115.3.65.3.479道电子温度涨落信号的统计色散关系kf5.3.7795.3.879道测量到的统计色散关系kf)（Wootton,A.J.,etal.,FluctuationsandAnomalousTransportinPhysicsofFluidsB-PlasmaPhysics,1990.2(12):p.2879-Rogister,A.,etal.,TransportThroughDissipativeTrappedElectronModeandToroidalIonTemperatureGradientModeinTEXTOR.NuclearFusion,1988.28:p.1053.Deng,B.H.,etal.,ModestructureofturbulentelectrontemperaturefluctuationsintheTexasExperimentalTokamakUpgrade.PhysicsofPlasmas,1998.5(12):p.4117-4120.Deng,B.H.,etal.,ElectroncyclotronemissionimagingdiagnosticofT-eprofilesandfluctuations.PhysicsofPlasmas,2001.8(5):p.2163-2169.Deng,B.H.,etal.,ECEimagingofplasmaT-eprofilesandFusionEngineeringandDesign,2001.53:p.77-Deng,B.H.,etal.,ElectroncyclotronemissionimagingdiagnosticsystemforRijn