标准解读

《GA/T 1651-2019法庭科学 真空镀膜显现手印技术规范》是一项由中国公安部发布的技术标准,旨在为法庭科学领域中利用真空镀膜技术来显现和提升手印证据的质量与可识别性提供一套统一的操作指导和质量控制要求。该标准详细阐述了从预处理、镀膜过程到后期分析的全链条技术细节和评价方法,以确保手印证据的可靠性和法庭接受度。以下是该标准的主要内容概览:

  1. 范围:明确了本标准适用于利用真空镀膜技术在多种承痕客体上显现潜在手印的过程,包括但不限于纸质、塑料、金属及玻璃表面。

  2. 术语和定义:界定了与真空镀膜显现手印相关的专业术语,如“真空镀膜”、“溅射”、“手印显现率”等,以便于读者准确理解标准内容。

  3. 基本原则:概述了进行真空镀膜显现手印时应遵循的基本原则,强调保护证据完整性、最小干预及可追溯性的重要性。

  4. 设备与材料要求:详细描述了进行真空镀膜显现所需设备(如真空镀膜机、真空泵等)及耗材(如金属靶材、衬底材料)的具体技术规格和质量标准。

  5. 预处理方法:介绍了手印承痕客体在镀膜前的清洁、干燥及其它必要预处理步骤,以提高手印显现效果和减少污染风险。

  6. 真空镀膜操作规程:详细说明了真空镀膜的全过程操作流程,包括真空室的准备、抽真空、选择合适的金属靶材、控制镀膜参数(如沉积速率、镀膜厚度)、以及镀膜后的缓慢泄压等关键环节。

  7. 质量控制与评估:提供了手印显现质量的评估指标和方法,如显影后手印的对比度、清晰度、完整性的评价标准,以及如何通过显微镜或图像处理技术进行客观分析。

  8. 安全与环保要求:强调了操作过程中对人员的安全防护措施及废弃物处理的环保要求,确保操作符合国家相关安全环保法规。

  9. 记录与报告:规定了操作记录的详细内容和格式,以及最终报告需包含的信息,如案件基本信息、采用的设备与材料、操作步骤、显现结果分析等,以保证工作的可追溯性和透明度。


如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2019-10-14 颁布
  • 2019-12-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS13310

A92.

中华人民共和国公共安全行业标准

GA/T1651—2019

法庭科学真空镀膜显现手印技术规范

Forensicsciences—Technicalspecificationsforfingerprintdevelopment

byvacuumdepositionsystem

2019-10-14发布2019-12-01实施

中华人民共和国公安部发布

中华人民共和国公共安全

行业标准

法庭科学真空镀膜显现手印技术规范

GA/T1651—2019

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100029)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

:400-168-0010

年月第一版

20205

*

书号

:155066·2-35136

版权专有侵权必究

GA/T1651—2019

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由全国刑事技术标准化技术委员会指纹检验分技术委员会提出并

(SAC/TC179/SC3)

归口

本标准起草单位上海市公安局物证鉴定中心公安部物证鉴定中心

:、。

本标准主要起草人张伟方孙胜军刘寰梁彦林曲会英李孝君薛静

:、、、、、、。

GA/T1651—2019

法庭科学真空镀膜显现手印技术规范

1范围

本标准规定了真空镀膜显现手印技术的原理设备镀膜材料及实验室环境要求显现准备操作步

、、、、

骤及注意事项等

本标准适用于显现大多数非渗透性及部分半渗透渗透性客体表面潜在手印包括部分胶熏

、,“502”

显后的客体等

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

法庭科学指纹专业名词术语

GA/T144

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GA/T144。

31

.

镀膜真空度degreeofdepositionvacuum

镀膜显现手印时显现容器内所需达到的真空度

,。

32

.

镀膜deposition

在客体表面镀上介质薄膜的工艺

33

.

蒸发源meltingpot

将镀膜材料蒸发成气体的高温加热装置

34

.

显现角度developmentangle

所显客体手印遗留面与水平方向的夹角

35

.

显现距离developmentdistance

所显客体手印遗留部位与蒸发源的距离

36

.

蒸发时间meltingtime

镀膜材料受热挥发的时间

3

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