XXXX年新材料行业报告

新材料行业分析报告

——IGBT行业分析柒江南怪Contents一二三新材料行业分析新材料行业关注选择——IGBTIGBT重点关注公司——吉林华微电子股份有限公司Contents新材料行业分析一新材料行业的简述1新材料行业的发展现状23新材料行业发展预测Contents新材料行业政策解析4新材料行业其他环境5我国新材料行业的谈判地位67中国新材料现有企业的竞争力分析一、新材料行业的简述㈠新材料的相关概念新材料是指新近发展的或正在研发的、性能超群的一些材料，具有比传统材料更为优异的性能。新材料技术则是按照人的意志，通过物理研究、材料设计、材料加工、试验评价等一系列研究过程，创造出能满足各种需要的新型材料的技术。㈡新材料的类型1．按组分类金属材料、无机非金属材料（如陶瓷、砷化镓半导体等）、有机高分子材料、先进复合材料；2．按材料性能分类结构材料、功能材料；3．按领域分类电子信息材料、新能源材料、纳米材料、先进复合材料、先进陶瓷材料、生态环境材料、新型功能材料（含高温超导材料、磁性材料、金刚石薄膜、功能高分子材料等）、生物医用材料、高性能结构材料、智能材料、新型建筑及化工新材料等。二、新材料行业的发展现状㈠产业规模急剧扩大，市场需求旺盛近几年，新材料产业蓬勃发展。据保守估算，现今世界上各种新材料市场规模每年已超过4000多亿美元，新材料产业将是21世纪初叶发展最快的高新技术产业之一｡（相关：图一）㈡上下游进一步融合随着高新技术的发展，新材料与基础材料产业结合日益紧密，基础材料正向新材料产业拓展，这种趋势减少了材料产业化的中间环节，加快了研究成果的转化，降低了研发与市场风险，有利于提高企业竞争力｡㈢多学科交叉和多部门联合材料科学工程与其他学科交叉的领域不断扩大，新材料的发展需要多部门联合推动，为使新材料的开发能满足各部门的要求，许多国家都致力于把材料发展纳入到产、学、研一体化的研发平台｡根据相关研究机构的报告，2001年全球新材料行业产业规模为1928亿美元，2008年为8200亿美元，2010年达到10000亿美元，平均年增长率为20.07%。㈣发展的驱动力由军事需求向经济需求转变上个世纪，国防和战争的需要、核能的利用和航空航天技术的发展是新材料发展的主要驱动力｡而本世纪，卫生保健、经济持续增长以及信息处理和应用将成为新材料发展的根本动力｡工业和商业的全球化更加注重材料的经济性、知识产权价值与商业战略的关系；基于环保的需要，新材料在发展绿色工业方面也会起重要作用｡因此，新材料的发展更加关注人的经济和生活需求，新材料的发展也在很大程度上围绕如何提高经济竞争力和人类的生活质量展开｡三、新材料行业发展预测㈠国际新材料行业的发展趋势

1．向多功能、智能化方向发展，开发与应用联系更加紧密2．低成本、高性能及绿色化发展趋势明显3．新材料产品标准呈现全球化趋势㈡国内新材料行业发展趋势“十一五”规划中，新材料已经是大力发展的高技术产业之一。随着中国逐渐成为全球制造业基地，新材料将越来越显示出其发展潜力，成为支撑中国制造业的基础产业。近年来，我国先后出台一系列政策措施，鼓励、扶持和发展新材料、新能源、节能环保等战略新兴产业。而作为重点支持的领域之一，我国新材料产业在“十二五”这一新的历史发展阶段有望高速发展。四、新材料行行业政策解析析近日，国务院院出台了《国务院关于加加快培育和发发展战略性新新兴产业的决决定》。《决定》中指出要“大大力发展稀土土功能材料、、高性能膜材材料、特种玻玻璃、功能陶陶瓷、半导体体照明材料等等新型功能材材料。积极发发展高品质特特殊钢、新型型合金材料、、工程塑料等等先进结构材材料，提升碳碳纤维、芳纶纶、超高分子子量聚乙烯纤纤维等高性能能纤维及其复复合材料发展展水平。开展展纳米、超导导、智能等共共性基础材料料研究。”同同时，国务院院近期针对十十二五规划，，做出了加快快培育和发展展战略性新兴兴产业的决定定，先后通过过高技术产业业化新材料专专项等7个项目大力支支持新材料产产业发展，更更明确将新材材料产业列为为七大战略性性新兴产业之之一。在未来来的五年规划划中，目标十十分明确。新新材料、新能能源行业将在在国家政策规规划的引导下下，进入黄金金发展十年。。国家多重利利好政策强势势推动，给新新材料技术的的发展带来了了巨大的空间间。五、新材料行行业其他环境境㈠国际环环境新材料行业是是一类在国民民经济中发挥挥重要基础性性和先导性作作用的高技术术产业，发展展潜力巨大。。新材料和信信息、能源并并列为21实际三大支柱柱产业，是发发展信息、航航天、汽车、、机械、生物物医药等高技技术产业的重重要物质基础础和，已成为为全球经济迅迅猛增长的源源动力和各国国提升核心竞竞争力的焦点点。㈡国内环环境中国政府也重重视新材料及及产业化的发发展，在各项项国家计划中中对新材料行行业给予了重重点支持。同同时利用国家家政策进行资资金引导，使使得大量资金金投向新材料料行业。六、我我国新新材料料行业业的谈谈判地地位㈠优优势势1．政政策支支持凸凸显新新材料料优势势2．新新材料料支撑撑经济济转型型3.新材料料产业业上下下游进进一步步融合合4.新材料料向多多功能能、智智能化化方向向发展展，开开发与与应用用联系系更加加紧密密5.我国新新材料料产业业布局局特有有的优优势6.新材料料产业业集群群化态态势7.国防军军工的的现代代化将将极大大的拉拉动新新材料料的需需求8.国内龙龙头企企业自自主创创新能能力提提升，，进口口替代代趋势势明显显新材料料行业业的运运动状状态与与经济济活动动总水水平的的周期期及振振幅相相关性性较小小。即即使在在经济济不景景气的的时期期，新新材料料行业业增长长，也也没有有受到到经济济周期期的影影响，，其推推陈出出新的的技术术进步步与产产品创创新，，为其其保持持良好好的增增长态态势奠奠定了了基础础。此此外，，由于于新材材料行行业技技术的的差距距，导导致行行业进进入壁壁垒大大、产产能扩扩张进进程较较慢，，因此此行业业景气气周期期比一一般行行业长长。从2008年10月到2009年8月，上上证指指数涨涨幅为为70.97%，而新新材料料指数数的涨涨幅了了150%，是上上证指指数的的两倍倍还多多，体体现了了新材材料行行业的的高速速增长长性。。从2010年1月至今今，上上证指指数的的跌幅幅为17.77%，而新新材料料行业业指数数基本本持平平，体体现了了新材材料行行业的的较好好防御御性。。㈡劣劣势势虽然我我国新新材料料产业业取得得了很很大进进步，，但与与发达达国家家相比比还有有很大大差距距，主主要表表现在在：拥拥有自自主知知识产产权的的专利利成果果还不不够多多，高高性能能、高高附加加值的的产品品相对对较少少；新新材料料的工工程应应用开开发滞滞后，，成果果转化化率低低，规规模化化生产产程度度低；；材料料的合合成与与加工工装备备落后后，资资源和和能源源利用用率低低，单单位国国民生生产总总值所所消耗耗的矿矿物原原料比比发达达国家家高2-4倍，二二次资资源利利用率率只相相当于于世界界发达达水平平的1/4-1/3，废弃弃资源源的回回收技技术和和水平平低，，环境境问题题突出出等｡㈢我我国国新材材料行行业发发展的的成就就在一些些重点点、关关键领领域，，如新新材料料的制制备技技术、、工艺艺技术术、新新产品品开发发及节节能、、环保保和资资源综综合利利用等等方面面取得得了明明显成成效，，促进进了一一批新新材料料产业业的形形成和和发展展，初初步形形成了了完整整的新新材料料体系系，特特别是是在电电子信信息材材料领领域取取得了了显著著成就就。七、中中国新新材料料现有有企业业的竞竞争力力分析析㈠新新材材料产产业的的三大大特点点1．覆覆盖范范围广广、关关联度度小2．投投资与与技术术高度度密集集3．高高风险险、高高收益益㈡中国国新材材料产产业具具有的的竞争争优势势1．需需求旺旺盛，，产产业规规模不不断扩扩大2.产业集集聚，，发发展凸凸显新新特色色3.政府支支持，，形成成初步步产业业体系系㈢中中国国新材材料产产业发发展的的部分分制约约因素素1．企企业转转制的的缺陷陷2．市市场关关联度度小3．技技术深深度落落后4．价价格协协调能能力弱弱5.与发达达国家家差距距大㈣新新材材料现现有企企业竞竞争激激烈，，挑挑战与与机遇遇并存存在稀土土新材材料领领域，，我国国稀土土资源源占世世界总总储量量的80%，产量量占世世界总总产量量的70%，但其其中的的2/3以资源源或初初级产产品的的方式式出口口国外外。从从整体体看，，国内内稀土土新材材料厂厂商主主要生生产、、供应应和出出口低低端材材料产产品。。在电池池新材材料方方面，，近年年来国国内电电池新新材料料厂商商不断断加强强技术术研发发，产产品竞竞争力力逐步步增强强，但但在锂锂电池池隔离离膜方方面，，几乎乎全部部依赖赖进口口。目前，，我国国新材材料产产业基基地发发展较较快，，新材材料产产业基基地正正成为为区域域经济济发展展的推推动力力量之之一，，同时时也成成为各各个区区域竞竞争的的焦点点，，这种种竞争争促进进了当当地新新材料料产业业的发发展，，也使使我国国新材材料产产业呈呈现区区域差差异。。由于新新材料料生产产对技技术、、生产产工艺艺要求求较高高，国国外一一些企企业在在材料料供应应上占占据主主导地地位，，主要要原因因就是是其在在技术术研发发和生生产工工艺上上领先先。由由于新新材料料研发发和生生产资资金投投入大大，达达到规规模经经济的的产量量也相相对提提高，，规模模较大大的厂厂商可可以降降低生生产成成本，，建立立成本本优势势，因因为此此时生生产规规模成成了新新的竞竞争手手段。。Contents新材料料行业业关注注选择择——IGBT二IGBT概述1IGBT所处环环境2IGBT发展前前景3IGBT投资理理念4一、IGBT概述㈠IGBT概念IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘缘栅双双极型型晶体体管，，是由由BJT(双极型型三极极管)和MOS(绝缘栅栅型场场效应应管)组成的的复合合全控控型电电压驱驱动式式功率率半导导体器器件,兼有MOSFET的高输输入阻阻抗和和GTR的低导导通压压降两两方面面的优优点。。GTR饱和压压降低低，载载流密密度大大，但但驱动动电流流较大大;MOSFET驱动功功率很很小，，开关关速度度快，，但导导通压压降大大，载载流密密度小小。IGBT综合了了以上上两种种器件件的优优点，，驱动动功率率小而而饱和和压降降低。。非常常适合合应用用于直直流电电压为为600V及以以上上的的变变流流系系统统如如交交流流电电机机、、变变频频器器、、开开关关电电源源、、照照明明电电路路、、牵牵引引传传动动等等领领域域。。㈡IGBT发展展历历史史1979年，，MOS栅功功率率开开关关器器件件作作为为IGBT概念念的的先先驱驱即即已已被被介介绍绍到到世世间间。。这这种种器器件件表表现现为为一一个个类类晶晶闸闸管管的的结结构构（（P-N-P-N四层层组组成成）），，其其特特点点是是通通过过强强碱碱湿湿法法刻刻蚀蚀工工艺艺形形成成了了V形槽槽栅栅。。80年代代初初期期，，用用于于功功率率MOSFET制造造技技术术的的DMOS（双扩散散形成的的金属-氧化物-半导体））工艺被被采用到到IGBT中来。这这是随着着硅片上上外延的的技术进进步，以以及采用用对应给给定阻断断电压所所设计的的n+缓冲层而而进展的的。几年年当中，，这种在在采用PT设计的外外延片上上制备的的DMOS平面栅结结构，其其设计规规则从5微米先进进到3微米。90年代中期期，沟槽槽栅结构构又返回回到一种种新概念念的IGBT，它是采采用从大大规模集集成（LSI）工艺借借鉴来的的硅干法法刻蚀技技术实现现的新刻刻蚀工艺艺，但仍仍然是穿穿通（PT）型芯片片结构。。在这种种沟槽结结构中，，实现了了在通态态电压和和关断时时间之间间折衷的的更重要要的改进进。1996年，CSTBT（载流子子储存的的沟槽栅栅双极晶晶体管））使第5代IGBT模块得以以实现，，它采用用了弱穿穿通（LPT）芯片结结构，又又采用了了更先进进的宽元元胞间距距的设计计。目前前，包括括一种““反向阻阻断型””（逆阻阻型）功功能或一一种“反反向导通通型”（（逆导型型）功能能的IGBT器件的新新概念正正在进行行研究，，以求得得进一步步优化。。现在,大电流高高电压的的IGBT已模块化化,它的驱动动电路除除上面介介绍的由由分立元元件构成成之外,现在已制制造出集集成化的的IGBT专用驱动动电路.其性能更更好,整机的可可靠性更更高及体体积更小小。二、IGBT所处环境境全球IGBT主要供应应商集中中在英飞飞凌、三三菱、ABB、富士等等少数几几家，我我国只有有少数企企业从事事中小功功率IGBT的封装，，而且尚尚未形成成产业规规模，在在IGBT芯片的产产业化以以及大功功率IGBT的封装方方面，几几乎是一一片空白白。目前前有近十十家企业业正在或或者打算算进入这这个行业业。国家发改改委2007年发布的的《关于组织织实施新新型电力力电子器器件产业业化专项项有关问问题的通通知》，国家将将实施电电力电子子器件产产业专项项，其中中重点支支持的项项目就包包括IGBT。2007年，国家家科技部部已将IGBT的研制列列为七大大课题之之一。国国家信息息产业部部产品司司也在今今年8月召开研研讨会，，旨在研研究如何何在国内内发展IGBT并拨款予予以扶持持。IGBT产业将遇遇到前所所未有的的发展契契机。三、IGBT发展前景景IGBT是功率半半导体的的技术前前沿，具具有节能能效率高高，便于于规模化化生产，，较易实实现节能能智能化化等优点点，将成成为功率率半导体体市场发发展的主主流技术术。而目目前该产产品市场场应用率率较低，，市场增增长空间间巨大。。2009年我国IGBT市场为53亿元左右右，目前前我国IGBT市场占整整个功率率器件市市场份额额尚不足足10%，我们预预计未来来几年IG-BT市场随着着节能减减排的推推进将得得到快速速发展，，增速将将达到20%~30%，远超整整个功率率器件市市场。中国已经经拥有较较好的IGBT的产业规规模，同同时，部部分本土土企业已已经积极极进行IGBT制造技术术的突破破，并取取得较好好的进展展。而智智能电网网、高铁铁建设、、新能源源汽车以以及家电电节能等等本土市市场，更更为这些些企业的的技术突突破，实实现IGBT的“进口口替代””创造了了坚实的的市场基基础。四、IGBT投资理念念IGBT目前主要要应用在在电机、、变换器器(逆变器)、变频器器、UPS、EPS电源、风风力发电电设备、、数码相相机闪光光灯充电电器、电电磁炉、、变频家家电等工工业控制制和消费费电子产产品中，，其中消消费电子子产品所所占的比比重较大大。投资标的的：根据据这三大大标准，，我们推推荐华微微电子、、中环股股份与长长电经济济，关注注科达股股份。Contents三新材料行行业的简简述1新材料行行业的发发展现状状23新材料行行业发展展预测IGBT重点关注注公司——吉林华微微电子股股份有限限公司一、公司司概要股票代码码：600360公司名称称(中)：吉林华华微电子子股份有有限公司司公司名称称(英)：JilinSino-MicroelectronicsCo.,Ltd.行业分类类：电电子元器器件制造造业公司经营营范围：：半导体体分立器器件、集集成电路路、电力力电子产产品、汽汽车电子子产品、、自动化化仪表、、电子元元件、应应用软件件的设计计、开发发、制造造与销售售：经营营本企业业自产产产品及相相关技术术的出口口业务(国家限定定公司经经营或禁禁止出口口的商品品除外)、经营本本企业生生产、科科研所需需的原辅辅材料、、机械设设备、仪仪器仪表表、零配配件及相相关技术术的进口口业务(国家限定定公司经经营或禁禁止进口口的商品品除外)；经营本本企业的的进料加加工和““三来一一补”业业务。法人代表表：夏夏增文公司成立立时间：：1999-10-21㈣公司产业业布局2006年我国半半导体分分立器件件（含光光电子器器件）市市场需求求额为1088亿元，比比2005年增长16.1%,占全球半半导体分分立器件件（含光光电子器器件）市市场规模模的35.7％从2006年中国半半导体分分立器件件市场区区结构来来看，珠珠三角地地区是最最大的区区域市场场，该地地区的分分立器件件市场占占国内市市场总规规模的45.8％。随着着国内外外IT制造业向向长江三三角洲地地区的转转移，该该地区对对分立器器件在内内的各类类元器件件的需求求高于全全国平均均增长速速度，长长三角地地区销售售占40％，京津津渤海地地区占10.3％，其他他占3.9％。和市场结结构相符符，在产产业布局局方面，，公司制制定了““积极拓拓展上下下游产业业、积极极寻求扩扩大产能能、积极极开拓珠珠三角、、长三角角市场””的投资资扩张战战略，公公司利用用吉林总总厂成熟熟的制造造能力和和成本优优势将其其定位为为制造基基地，而而根据公公司主要要客户分分布，在在无锡和和广州设设立封测测厂，拉拉近和客客户的关关系，产产业布局局合理。。这样可可以减少少封测的的外包，，进一步步降低公公司运营营成本、、增加边边际贡献献利润，，而且能能够发挥挥规模优优势。㈤公司司竞争能能力swot分析相对国际际对手有有成本优优势，相相对国内内企业有有技术和和规模的的领先优优势。市市场和技技术的结结合，贴贴近市场场，为客客户量身身定做产产品。实实在可靠靠的品质质，加上上有竞争争力的价价格，加加上庞大大的销量量，构成成公司持持续的竞竞争力。。公司的的销售售以直直销为为主，，这可可以降降低渠渠道成成本；；同时时，由由研发发、推推广和和技术术支持持组成成统一一团队队，使使得公公司开开发的的产品品更贴贴近市市场，，响应应速度度更快快，有有利于于实现现差异异化优优势。。在价价格定定位方方面追追求长长远发发展，，产品品品质质、性性能向向国际际先进进公司司看齐齐，而而价格格却低低于国国际大大公司司的进进口产产品价价格。。此外外，公公司在在产品品推广广方式式上打打破常常规，，在研研发阶阶段就就让客客户介介入，，从而而缩短短产品品进入入市场场的时时间，，满足足客户户的差差异化化需求求，并并与客客户建建立深深入、、长远远的合合作关关系。。1.成本优优势（1）国内内生产产、管管理、、运营营成本本低廉廉公司在在劳动动力成成本方方面具具有明明显的的优势势。在在中低低端产产品领领域，，由于于没有有成本本优势势，国国外企企业已已很难难跟内内资企企业竞竞争，，目前前跨国国公司司在一一些常常规产产品市市场中中已经经逐渐渐退出出；在在中高高端产产品领领域，，随着着资金金、技技术、、人力力资源源的积积累，，目前前国内内企业业也开开始加加强对对中高高端产产品市市场的的开发发，个个别产产品也也开始始挤占占跨国国公司司的市市场份份额。。公司司作为为国内内最大大的功功率半半导体体器件件厂商商，凭凭借着着多年年研发发能力力的积积累和和低成成本优优势，，在彩彩电用用晶体体管、、机箱箱电源源用晶晶体管管、节节能灯灯用晶晶体管管等产产品市市场已已逐渐渐取代代跨国国厂商商，成成为国国内市市场的的主要要供应应商。。半导体体对动动力和和水的的要求求较高高，公公司地地处吉吉林省省吉林林市，，成本本优势势明显显，当当地的的水、、电资资源丰丰富、、价格格低廉廉，人人工成成本也也较低低，与与国内内同行行相比比，具具有一一定的的成本本优势势。（2）产业业链一一体化化优势势全球主主要半半导体体功率率器件件厂商商的经经营模模式基基本可可以分分为两两类，，即垂垂直整整合模模式（（IDM，即业业务涵涵盖从从设计计、制制造、、封装装测试试到对对外销销售整整个流流程的的经营营模式式）和和专业业化分分工经经营模模式（（如专专门从从事专专业设设计的的Fabless模式和和专门门从事事芯片片代工工的Foundry模式）），其其中产产业链链一体体化模模式是是大型型国际际厂商商的传传统经经营模模式。。公司采采用的的是垂垂直整整合模模式，，即产产业链链上下下游一一体化化，公公司控控制市市场和和芯片片的生生产。。公司司拥有有自己己的研研发力力量和和核心心技术术，能能够根根据市市场需需求进进行新新技术术和新新工艺艺的研研发，，按照照客户户要求求进行行产品品设计计；拥拥有芯芯片生生产线线和测测试封封装生生产线线，具具有芯芯片生生产和和测试试封装装能力力；拥拥有自自己的的品牌牌，直直接面面向市市场进进行销销售；；能够够保持持对销销售渠渠道较较强的的控制制能力力，独独立经经营能能力强强，资资源使使用效效率也也较高高。2.技术优优势公司的的自主主研发发能力力始终终处于于国内内同行行前列列，一一直把把转化化和推推广高高水平平的科科研成成果作作为公公司的的经营营发展展方向向。多多年来来一直直重视视产品品开发发和技技术创创新工工作，，公司司业务务的拓拓展也也是以以产品品和技技术创创新为为先导导。公公司秉秉承““企业业的生生命在在于产产品，，产品品的生生命在在于创创新””的产产品研研发理理念，，不断断进行行技术术创新新促进进企业业发展展动力力。公公司建建立研研发机机构——省级技技术中中心，，公司司主要要通过过技术术中心心开展展各项项研究究开发发和技技术创创新工工作。。此外，，通过过与飞飞利浦浦、仙仙童半半导体体等国国际大大公司司的合合作，，公司司的技技术水水平和和管理理能力力也得得到很很大提提高，，逐渐渐拉大大了与与国内内同行行的技技术差差距。。公司司是2006年科学学技术术部、、国务务院国国资委委和中中华全全国总总工会会确定定的首首批103家创新新型试试点企企业之之一，，是半半导体体行业业唯一一入选选的企企业。。3.规模优优势半导体体行业业在设设备、、产品品研发发等方方面投投入较较大，，而且且产品品在技技术成成熟后后价格格下跌跌的趋趋势较较为明明显，，因此此规模模效益益对于于半导导体企企业维维系生生存、、保持持可持持续发发展非非常重重要。。发行行人是是国内内最大大的功功率半半导体体器件件生产产厂家家，与与其他他国内内同行行相比比，在在规模模效益益上具具有明明显优优势。。这种优优势不不仅体体现在在对前前期设设备投投入、、产品品研发发投入入等沉沉积成成本的的消化化上，，而且且在原原材料料供应应方面面也能能够获获得比比国内内同行行更优优惠的的供货货价格格、供供货条条件和和供应应保障障。如如果公公司有有行业业整合合的打打算，，则有有利于于行业业竞争争秩序序的改改善。。4．行业威胁胁半导体行业业在中国市市场中属于于新兴行业业，有较大大的发展前前景，行业业还是较有有吸引力的的，但存在在较高的壁壁垒，包括括：(1)成为合格供供应商的资资质壁垒公司要想成成为下游企企业的合格格供应商，，除要达到到行业标准准，更要通通过严格的的供应商资资质认定。。对供应商商的资质认认定至少在在半年，一一般需要多多次试用后后方能通过过资质认定定，再通过过相当一段段时间的小小批量供货货测试后才才能正式成成为其供应应商。企业业一旦通过过供应商资资质的最终终审定，将将被纳入到到企业的全全球供应链链，可以接接受其全球球生产基地地的采购。。而且一旦旦确定合作作关系，为为保证产品品品质及维维护供货的的稳定性，，这些企业业通常不会会轻易改变变分立器件件供应商。。这种严格格的供应商商资质认定定，以及基基于长期合合作而形成成的稳定客客户关系，，形成了极极强的资质质壁垒。(2)资金和生产产规模壁垒垒半导体行业业属于资金金密集型的的行业，行行业的进入入需要在净净化厂房、、设备、技技术、人力力资源等方方面有较高高的资金投投入。从事事生产所需需的大部分分生产和检检测设备需需要进口；；同时由于于产品配套套化及生产产规模化的的要求，新新进入本行行业的企业业需要一次次性投入大大量的设备备资金。除需要投资资较为昂贵贵的制造设设备及检测测设备外，，由于客户户的帐期从从一个月到到三个月，，厂商还需需要较大的的流动资金金投入，服服务对象也也要求厂商商又较大的的生产规模模，有足够够的产能保保证供货的的及时。此外，近年年随着单晶晶硅片供应应的日益紧紧张和引线线框架、键键合金丝价价格的持续续上涨，企企业运营对对流动资金金的需求量量也越来越越大，对企企业资金实实力提出了了更高的要要求，从而而进一步增增加了行业业新进入者者的市场风风险。(3)技术壁垒半导体行业业同时也是是技术密集集型的行业业，需要有有较强的整整体技术实实力，工艺艺技术、品品质控制水水平和生产产管理技术术都非常重重要，需要要长时间的的实践和积积累。同时时，由于下下游电子产产品更新换换代较快，，企业需要要长期不断断进行工艺艺技术、品品质控制及及生产管理理等多方面面的更新和和提高。半导体分立立器件制造造对工艺设设计和工艺艺过程控制制的要求非非常高，很很多关键技技术都需要要通过工艺艺过程来实实现，半导导体分立器器件行业的的创新在很很大程度上上主要体现现为产品生生产工艺上上的创新，，技术水平平也主要体体现为产品品加工的工工艺水平。。生产工艺艺的创新和和技术水平平主要来源源于企业长长时间、大大规模的生生产实践，，需要持续续的生产经经验的积累累，行业新新进入者很很难在短期期内获得。。此外，功功率半导体体器件企业业和下游企企业在技术术和产品开开发上具有有非常紧密密的互动关关系，下游游企业开发发新产品往往往需要所所使用功率率器件在工工艺上进行行改进或创创新，甚至至共同开发发出新的工工艺和技术术。由于半导体体器件产品品单位制造造成本高，，产品合格格率极为重重要，新产产品上线后后需要通过过工艺磨合合、调整和和改进逐渐渐提高合格格率，而成成熟产品也也需要制造造过程控制制技术保持持合格率。。虽然功率器器件与其他他半导体产产品相比，，产品的生生命周期相相对较长，，但产品在在进入技术术成熟期后后价格仍有有一个自然然下跌的过过程，如果果原材料成成本持续大大幅上涨，，小企业就就将面临严严峻的考验验，而大企企业往往能能够通过不不断的工艺艺改进降低低生产成本本，从而取取得竞争优优势。研发、生产产和管理等等方面的专专业人才稀稀缺。通过过自我开发发需经过多多年的努力力和积累，，要在短时时间内掌握握成熟、稳稳定的核心心技术是非非常困难的的，技术壁壁垒比较强强。㈥公司募投项项目的前景景公司募投项项目的前景景可以从市市场渠道、、市场容量量、技术三三个方面予予以说明。。1.市场渠道利用现有客客户渠道，，以优惠的的价格给客客户试用。。以国内现现有的双极极型功率晶晶体管升级级换代的需需求为契机机，充分利利用公司现现有市场资资源和市场场网络，借借助双极型型功率晶体体管的品牌牌优势，以以平板电视视、白色家家电、开关关电源、计计算机、节节能照明等等公司已成成熟市场为为切入点，，以较快的的速度抢先先成为国内内VDMOS等新型功率率半导体器器件的主供供应商，然然后进一步步拓展产品品应用领域域进入数码码产品、通通讯等行业业。公司现有的的产品有晶晶体管、二二极管、软软快恢复二二极管、阻阻尼二极管管、可控硅硅、半导体体放电管、、MOSFET等，产品应应用于家电电、绿色照照明、计算算机及通讯讯、汽车电电子等四大大领域，主主要产品包包括：应用用于彩色电电视机和绿绿色照明的的大功率晶晶体管；应应用于机箱箱电源的高高频大功率率晶体管等等；应用于于彩显、PC机的高频大大功率晶体体管；应用用于汽车、、摩托车自自动点火装装置的达林林顿晶体管管和可控硅硅系列产品品；应用于于计算机及及外设、移移动通讯以以及便携式式电子产品品的肖特基基二极管；；广泛应用用于程控交交换机、电电话机、ISDN、FAX、MODEM和无线电遥遥控设备等等领域的保保护器件放放电管；应应用于家电电音响装置置的功率放放大和功率率输出的NPN、PNP对管等等。。2.市场容量方方面双极型和MOSFET的市场需求求在1：4左右，MOSFET的市场容量量更大。新新型功率半半导体器件件领域，国国内当前的的发展水平平与国际相相比，大约约落后十几几年，其发发展与国内内市场的需需求相比存存在巨大落落差，所需需新型功率率半导体器器件90%以上仍需依依赖进口，，国内生产产厂家也以以合资企业业为主。因因此，即使使仅仅从替替代进口的的角度看，，对于国内内功率器件件企业而言言，新型功功率半导体体器件是一一个巨大的的市场。况况且，如前前所述，与与传统功率率半导体器器件相比，，VDMOS、IGBT和PIC等新型功率率半导体器器件的增长长速度要快快得多，市市场增长空空间极为可可观。募集资金项项目计划产产量为4万片/月，其中VDMOS2.8万片/月、IGBT0.6万片/月、PIC0.6万片/月。六英寸寸VDMOS每片按2,300粒、片内合合格率按95%计算，则每每片6英寸硅片可可产出2,200粒产品，封封装成成品品后最多为为2,200只/片，据此计计算，本项项目建成后后，VDMOS的计划产量量为6,160万只/月，年产量量近7.4亿只，只占占2005年国内市场场需求量的的6.1%；IGBT按每片合格格芯粒为320粒计算，则则项目建成成后，IGBT的年产量为为2,300万只/年，只占2005年国内市场场需求量的的10%左右；同样样，项目PIC的计划产量量也仅占国国内市场需需求量的极极少份额。。综上分析析可见，项项目建成投投产后，公公司的产能能对市场的的影响较小小，还不能能满足中国国MOS产品的自然然增长，产产品供过于于求的风险险较小。3.技术方面公司经过多多年MOSFET的研究，已已取得突破破性进展。。公司目前前主要是在在其麦吉柯柯的5寸线、6寸线小批量量生产这类类产品，公公司已经解解决了MOS生产产中中的的关关键键技技术术，，如如VDMOS、IGBT和PIC设计计技技术术、、高高压压功功率率器器件件结结终终端端处处理理技技术术、、大大面面积积高高质质量量均均匀匀栅栅氧氧化化层层制制造造技技术术等等，，并并在在这这些些设设计计和和制制造造技技术术中中形形成成了了自自己己的的知知识识产产权权。。公公司司已已经经在在生生产产工工艺艺和和产产品品储储备备上上做做好好了了大大规规模模进进军军6代线线的的准准备备，，技技术术风风险险不不大大。。新产产品品技技术术发发展展方方向向：：MOSFET：功功率率MOSFET的工工艺艺水水平平已已进进入入亚亚微微米米甚甚至至向向深深亚亚微微米米发发展展。。此此外外，，采采用用自自对对准准工工艺艺减减少少掩掩膜膜版版次次数数、、采采用用非非均均匀匀漂漂移移区区降降低低导导通通电电阻阻等等新新结结构构、、新新工工艺艺也也正正在在不不断断涌涌现现。。IGBT：由由于于既既有有功功率率MOSFET高输输入入阻阻抗抗、、驱驱动动电电路路简简单单等等优优点点，，又又具具有有功功率率晶晶体体管管漂漂移移区区电电导导调调制制、、导导通通损损耗耗低低的的特特点点，，IGBT在600V以上上中中等等电电压压范范围围内内成成为为主主流流的的功功率率器器件件，，且且正正逐逐渐渐向向高高压压大大电电流流领领域域发发展展。。PIC：技技术术发发展展趋趋势势是是工工作作频频率率更更高高、、功功率率更更大大、、功功耗耗更更低低和和功功能能更更全全，，包包括括：：开开发发出出高高成成品品率率、、低低成成本本工工艺艺且且兼兼容容于于CMOS和BiCMOS；针针对对包包括括多多个个大大功功率率器器件件的的单单片片SPIC的研研究究；；能能在在高高温温下下工工作作并并具具有有较较好好坚坚固固性性的的SPIC的研研究究；；大大电电流流高高速速MOS控制制并并有有自自保保护护功功能能的的横横向向功功率率器器件件的的研研究究。。在在大大功功率率集集成成领领域域，，以以智智能能功功率率模模块块（（IPM）与与IPEM为代代表表的的混混合合集集成成技技术术将将得得到到迅迅速速发发展展。。公司司针针对对新新技技术术的的特特点点，，有有针针对对性性的的进进行行了了技技术术研研发发和和储储备备。。新新型型功功率率半半导导体体器器件件的的制制造造对对厂厂房房、、净净化化、、超超纯纯材材料料、、精精细细线线条条加加工工、、精精确确掺掺杂杂等等多多方方面面与与VLSI有相相似似的的技技术术要要求求，，只只是是线线条条宽宽度度可可稍稍宽宽松松一一些些。。同同时时，，新新型型功功率率半半导导体体器器件件又又有有自自己己特特殊殊