2012级机务《模拟电路》期末复习题资料

P1习题课半导体材料特性掌握PN结导电原理了解二极管特性:单向导电性,伏安特性,发光特性,光电特性,温度特性,变容特性,稳压特性二极管应用了解:开关、整流、限幅、稳压等掌握内容:二极管电路计算二极管认识,判断好坏,会用复习:二极管有哪些特性?单向导电性稳压效应电容效应伏安特性U（V）0Is0.40.85151020U（BR)i(mA)光电效应温度特性发光效应ＬＥＤ1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于

掺杂浓度。2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为

漂移

。3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的

单向导电性性能。4．PN结加正向电压时，空间电荷区将

变窄

。5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被

削弱

。6．三极管最重要的特性是

电流放大作用

。7.要使三极管放大电路不失真，必须设置合理的

静态工作点

。10.基本共射放大电路，当温度升高时，Q点将向

上

移。11.若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于

饱和

状态。12.共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位

相同

。（共射相反）13.放大器的输入电阻越大，表明放大器获取输入电压的能力越

强

。1、填

空

题14．理想运算放大器同相输入端接地时，则称反相输入端为

虚地

端。15．理想运放工作在线性区，流进集成运放的信号电流为零，称此为

虚断16．理想运算放大器的两条重要法则是

净输入电压等于零和净输入电流等于零

。17．理想运放工作在线性区存在虚短和虚断的概念，虚短指

两输入端电位相等

。18．理想运放工作在线性区存在虚短和虚断的概念，虚断是指

输入端无电流

。19．集成运放作线性应用时，一般工作在

负反馈

状态。20.色环电阻的色环顺序是棕红黄金，其阻值120K±5%21.色环电阻的色环顺序是红黑绿银，其阻值2M±10%22.本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。23．直流稳压电源的主要组成部分是

电源变压器

、

整流电路

、滤波电路

、

稳压电路

。24．整流的目的是

将交流变为脉动直流

。25．在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则整流管将

因电流过大而烧坏

。26．直流稳压电源中滤波电路的目的是

滤掉交流成分

。27．串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是

基准电压与采样电压之差

。28．单相半波整流电路的输出电压平均值是副边电压有效值的

0.45

倍，单相全波整流电路的输出电压平均值是副边电压有效值的

0.9

倍。29.整流二极管利用的是二极管的单向导电性。30．在电容滤波电路中，当电容量一定时，负载RL越大，其滤波效果

越好

。31．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的

反向击穿

区。32.

放大电路中Q点设置不正确，输出波形会失真，Q点过低

截止失真

Q点过高饱和失真

。33.自动控制系统的任务是利用

控制器

操纵

被控对象

使被控量按

技术要求变化。34.晶体三极管的发射区作用

发射

载流子，集电区作用是

收集

载流子，基区作用是

传送

和

控制

载流子。35.理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性。36.步进电动机的转速由

电脉冲频率

决定，步进电动机的旋转方向由

电源接通顺序

决定。37.温度升高时，二极管的

正向

特性曲线向左移动，二极管的

反向

特性曲线向下移动。38.光敏二极管也叫

光电

二极管，其管芯是一个具有光敏特征的

PN结，工作时需加上

反向

电压。39.晶体三极管的输入特性曲线是以

输入

端的电压

为参变量时输入端

电压

和

电流

之间关系的曲线，40.PROTEL软件中，下列文件的扩展名为：数据库文件DDB

，原理图SCH库文件LIB印制板文件PCB。41.步进电机主要分为反应式和励磁式。1.因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F）2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(T)3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（T）5．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（F）6．在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（F）7．只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。（F）8．当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。（T）9．在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。（T）10．凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（T）11．处于线性工作状态下的集成运放，反相输入端可按“虚地”来处理。（F）2、判断题12．整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（T）13．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。（T）14.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为截止失真。（T）15.不含杂质的半导体就称为本征半导体。(F)

16.步进电机的转向取决于电源接通的顺序。(T)17.稳压管动态电阻越大，管子的稳压性能越好。（F）18.负反馈可以提高放大器的增益。（F）19.光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种光→电转换器件。（F）20.基区的作用是收集和传送载流子。

（F）21.整流电路能把交流电变换成脉动直流电。（T）22.控制式同步器不直接驱动机械负载。（T）23.直流电动机和直流发电机一样都存在换向问题。（T）24.同相输入比例运算放大器的闭环电压放大倍数数值一定大于1。（T）25.对于稳定电压为12V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将升高。(F)

26.稳压管动态电阻越小，管子的稳压性能越好。(T)27.基区的作用是控制和传送载流子。（T）28.三极管在本质上具有电压放大作用。（F）29.理想集成运放的“虚断”是由于其输入阻抗无穷大。

（F）30.电感滤波原理是利用其两端电压不能突变来平滑输出电压的。（F）31.控制式同步器可直接驱动机械负载。（F）32.晶闸管可以硬开通。（T）33.电容滤波电路中RLC越大，

电容器放电越慢，

输出电压的平均值Uo越大，波形越平滑（T）。34.共射极电路又称反相放大电路,共集电极电路电压跟随器（T）。35.三极管可以用2个二极管代替；（F）

36.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（F）

37.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（T）38.放大电路中输出的电流和电压都是由电源提供的；（F）39.放大电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（F）

40.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（T）

41.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（F）42.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（F）43.三极管工作在饱和区时，IC基本不受IB的控制.（T)44.可利用三极管的一个PN结代替同材料的二极管；（T）1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D

）。A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（

C

）。A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大3.NPN型和PNP型晶体管的区别是(C)A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4．下列选项中，不属三极管的参数是（B）。A．电流放大系数B．最大整流电流C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率3、选择题5．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。A．多数载流子B．少数载流子C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同6．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏）A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管7.工作在放大区域的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约为：（B)A、10B、50C、80D、1008.在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（C）。A．增大B．减少C．不变D．不能确定9．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（C）。A．增大B．减少C．不变D．不能确定10．在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是（C）。A．共射放大电路B．共基放大电路C．共集放大电路D．不能确定11．在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（B）。A．共射放大电路B．共基放大电路C．共集放大电路D．不能确定12．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE­近似等于电源电压UCC时（无电流），则该管工作状态为（B）。A．饱和B．截止C．放大D．不能确定12．晶体管能够放大的外部条件是（B）。A．发射结正偏，集电结正偏B．发射结正偏，集电结反偏C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏13．单相桥式整流电路变压器次级电压为10V(有效值)，则每个整流二极管所承受的最大反向电压为（B）。A.10VB.14.14VC.20VD.28.28V14．桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为（B）。A.18VB.24VC.9VD.28.2V15．单相桥式整流电路，变压器次级电压为10V(有效值)，则整流后的输出直流电压为（B）。A.4.5VB.9VC.10VD.12V16．单相桥式整流电路变压器次级电压为15V(有效值)，则每个整流二极管所承受的最大反向电压为（Ｂ

）。A．15VB．21.21VC．30VD．42.42V17．滤波电路的主要元件是（Ｃ

）。A．电阻B．二极管C．电容和电感D．稳压管18.工程上通常从(ABC)方面来衡量自动控制系统。A稳B快C准D静19.正常情况下步进电机的转速取决于(

A

)

A.控制绕组通电频率

B.绕组通电方式

C.负载大小

D.绕组的电流

20.某三相六拍步进电机的转子齿数为50，其步距角为(

B

)

A.7.2°

B.1.2°

C.3.6°

D.2.4°21.某四拍反应式步进电机的转子齿数为60，其步距角为(

A

)

A.1.5°

B.0.75°

C.45°电角度

D.90°22.某三相反应式步进电机的初始通电顺序为CBA，下列可使电机反转的通电顺序为（A

）

A.ABC

B.ACB

C.BCA

D.CAB23.

用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是(C)。A（B、C、E）B（C、B、E）C（E、C、B）D（B、E、C）24.在本征半导体中掺入(A)构成P型半导体。A3价元素B4价元素C5价元素D6价元素25.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为9V，经过电容滤波后为12V，整流二极管所承受的最大反向电压为(D)。A10VB9VC12VD14V26.PNP型三极管工作于放大状态的条件是(D)。AUBE＞0、UBC＞0BUBE＞0、UBC＜0CUBE＜0、UBC＜0DUBE＜0、UBC＞027.为了使三极管可靠地截止，电路必须满足(D)

A、发射结正偏，集电结反偏

B、发射结反偏，集电结正偏

C、发射结和集电结都正偏

D、发射结和集电结都反偏28.二极管的整流原理为(C)。A半波整流B全波整流C单向导电特性D桥式整流29.下面关于N型半导体导电特性四种说法中，正确的是(A)。A是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，导电性能也就越强；B是靠空穴导电，掺入的杂质越多，导电性能也就越强；C是靠自由电子导电，掺入的杂质越少，导电性能也就越强；D是靠空穴导电，掺入的杂质越少，导电性能也就越强。30.PN结反向偏置时，其内电场被(B)。A削弱B增强C不变D不确定31.下列电动机中，转速控制精度最高的是(B)。

A异步电动机

B步进电动机

C交流电动机

D同步电动机32.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的(B)。A多数载流子浓度增大B少数载流子浓度增大C多数载流子浓度减小D少数载流子浓度减小33.测得某一放大电路中一只三极管的三个电极的直流电压分别为：VB=5.3V，VE=6V，VC=1V。由此可以判断该三极管是(C)。ANPN硅管BNPN锗管CPNP硅管DPNP锗管34.在本征半导体中掺入(C)构成N型半导体。A3价元素B4价元素C5价元素D6价元素35.PN结加正向电压时，其正向电流是(A)A、多数载流子扩散形成的B、多数载流子漂移形成的

C、少数载流子漂移形成的D、少数载流子扩散形成的36.NPN型三极管工作于放大状态的条件是(B)。AUBE＞0、UBC＞0BUBE＞0、UBC＜0CUBE＜0、UBC＜0DUBE＜0、UBC＞037.PN结正向偏置时，其内电场被(A)。A削弱B增强C不变D不确定38.温度升高时，二极管(ADE)。A导通压降UF降低B导通压降UF升高C反向击穿电压URM增大

D反向饱和电流IS增大E反向击穿电压URM减小39.集成运算放大器具有(ABE)。A高电压增益B高输入阻抗C高输出阻抗D低输入阻抗

E低输出阻抗40.滤波器的种类有(BCE)。A电阻B电容C电感D单相E复式41.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（C）A、iCB、uCEC、iBD、iE42.放大器的基本性能是放大信号的能力，这里的信号指的是：（D)A、电压B、电流C、电阻D、功率

43.光电耦合器的受光器通常有(ACDE)。A光敏二极管B发光二极管C光敏三极管D光控晶闸管

E集成电路型44.三极管输出特性曲线分有三个工作区，他们分别是：(ACE)A饱和区B击穿区C放大区D导通区E截止区45.晶闸管的工作状态分为(ABCE)。A正向阻断状态B反向阻断状态C关断D正向导通状态E导通状态46.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于：（A)

A、0.98mAB、1.02mAC、0.8mAD、1.2mA47.下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是：(B)A、共射接法

B、共基接法C、共集接法D、任何接法211.在框图中填入组成名称控制器执行机构被控对象扰动给定输入被控制量反馈-比较元件偏差信号e负反馈闭环控制系统结构框图4、综合题2.详述用数字式万用表检测三极管的过程,包括：

(1)管脚判断

(2)PNP、NPN判断

(3)放大倍数检测3.晶体管放大电路如图所示:若要增大该电路的静态基极电流IBQ，应使Rb减小(2)如图该放大电路的输入波形与输出波形的对应关系，则该电路发生何种失真和解决办法：饱和失真，增大Rb，静态工作点下移4.判断下列电路为何种电路，A为运放器件，工作在何种状态设输入波形为峰值为3V的正弦波，V=1V，画出输出波形，标出周期和幅值，分析波形.电压比较电路A1工作在非线性区，开环电路输入输出波形的周期相同，输入为正弦波，输出为方波VOH=6VVOL=-6VVCCVBBRbRc12V6V4KΩ150KΩ+uCE—IB=40μAiCiB=VBB/Rb=40μAM(VCC,0)(12,0)(0,3)iCCE(V)(mA)=60uAIBu=0BBII=20uABI=40uAB=80uAI=100uAIBMN直流负载线斜率：UCEQ6VICQ1.5mAIB=40μAICQ=1.5mAUCEQ=6V

静态工作点Q5.图解法求静态工作点结论：（1）UCC一定时，Q点位置取决于RB的大小，RB大Q沿直流负载线下移，小上移；（2）其他条件不变，RC决定直流负载线斜率，RC减小，Q沿输出线右移，大左移（3）其他条件不变，UCC变换，直流负载线平行移动按照图上已知条件，求静态工作点共射电路如图，已知VCC=12V，RC=4K，Rb=300K，=37.5，计算静态工作点。解：请注意电路中IB和IC的数量级6.估算法求静态工作点VCCVBBRbRc12V6V4KΩ150KΩ+UBE—+UCE—IBIC共射电路如图，已知三极管为硅管，β=40，试求电路中的Q点的直流量IB、

IC、UBE、UCE。7.估算法求静态工作点+VCC+VBBRbRc(+12V)(+6V)4KΩ150KΩ+