第一节晶体管的结构

第一节

晶体管的结构第二节

晶体管的放大作用第三节

晶体管的三种工作状态第四节

晶体管的主要参数第五节

晶体管的管型和管脚判断本章小结第八章

晶体管第一节

晶体管的结构

1．结构和符号

（1）结构：

三个区对应引出三个极：

如图所示

（2）符号发射极的箭头表示电流的方向，文字符号用“V”表示。

PNP型如图（a）所示，NPN型如图（b）所示。第一节

晶体管的结构

2．晶体管类型按结构分按材料分按功率分按工作频率分

3．型号及命名可通过晶体管手册查阅。第一节

晶体管的结构第二节

晶体管的放大作用

1．晶体管的工作电压晶体管工作在放大状态的条件：

如图所示为NPN型和PNP型晶体管工作在放大状态采用的双电源接线图。NPN型PNP型

（2）注意：

①电源极性：两种晶体管外接电源的正、负极相反。

③集射极间反向电压为几伏至十几伏。

②

基、射极之间的正向电压（偏压）：

第二节

晶体管的放大作用

2．晶体管的放大作用实验电路。第二节

晶体管的放大作用

操作：调节(或改变E1)以改变基极电流IB的大小,记录每一次测得的数据次数电流12345IB/mA00.010.020.030.04IC/mA0.010.561.141.742.33IE/mA0.010.571.161.772.37

（1）直流电流分配关系：

由于IB<<IC，则IEIC。第二节

晶体管的放大作用（2）电流放大作用

可见，基极电流的微小变化可引起集电极电流的较大变化，即为晶体管的放大作用，用表示，即

①交流放大系数，根据实验的数据有第二节

晶体管的放大作用

不同的晶体管，值不同，即电流的放大能力不同，一般为20～

200。

②直流电流放大系数

通常

晶体管的放大作用的意义：基极电流的微小变化引起集电极电流的较大变化，当基极电路中输入一个小的信号电流ib，就可以在集电极电路中得到一个与输入信号规律相同的放大的电流信号ic。可见，晶体管是一个电流控制元件。第二节

晶体管的放大作用第三节

晶体管的三种工作状态

1．除了放大状态（工作在模拟电路中）以外，还有两种工作状态即截止状态和饱和状态（工作在脉冲数字电路中）。

（1）截止状态故晶体管处于截止状态的条件：发射结反偏（或零偏），集电结反偏。

低于发射结的死区电压时，IB=0，此时IC

0，称为穿透电流，但很小，可以认为IC=ICEO

0。晶体管处于截止状态，c、e间呈现很大电阻，相当于断开，此时UCE

E2。

判断方法：用万用表的直流电压挡三极点电位，有VC>VB，VB≤VE。第三节

晶体管的三种工作状态

（2）放大状态

UBE

大于死区电压，IB>0，集电极电流IC

受IB

控制，即

或

晶体管处于放大状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏，即VC>VB>VE。第三节

晶体管的三种工作状态

（3）饱和状态基极电流IB

不断增大，当IB增大到一定数值时，IC不再随IB增加而增大，晶体管输出回路有

当IC随IB曾加而增大时，UCE逐渐下降，由于UCE的下降有一定的限度，所以IC的增加也是有一定限度的。假设UCE=0，那么IC达到最大，即，IC不再随IB

增大了。这就是饱和状态，此时IB失去了对IC的控制作用。集电极和发射极之间相当于短路或认为是一个导通开关。

晶体管处于饱和状态的条件：集电结、发射结处于正偏状态，VB>VE，VB>VC。

第三节

晶体管的三种工作状态第四节

晶体管的主要参数通常取值在60

～

100之间。

2．穿透电流

ICEO

1．电流放大系数或。

共发射极交流和直流放大系数

（1）定义：基极开路IB=0时，集电极和发射极之间的反向电流ICEO称为穿透电流。

（2）特点：①ICEO随温度升高而增大。②ICEO越小，管子的性能越好。

（3）应用：ICEO越小，管子的性能越好。

3．集电极最大允许电流ICM。

（1）定义：晶体管正常工作时集电极所允许的最大电流称为集电极最大允许电流ICM

。

（2）特点：IC增大，

开始下降，直到IC超过了ICM

，就下降到不允许的程度了。

（3）应用：IC<ICM第四节

晶体管的主要参数

4．反向击穿电压UCEO

（1）定义：基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。（2）应用：UCE<UCEO

，否则三极管击穿。

5．集电极最大耗散功率PCM（1）定义：晶体管正常工作时，集电结允许的最大耗散功率为集电极最大耗散功率。小功率管：≤1W；大功率管：

1W。（2）特点：当实际功率超过，晶体管会因工作温度过高而损坏。大功率管的值是在常温下并带有散热器的数值。第四节

晶体管的主要参数第五节

晶体管的管型和管脚的判断利用万用表来测试晶体管的各个管脚。

1．判定晶体管的基极和管型（1）测试原则：依据PN结正向电阻小，反向电阻大的特点。利用万用表的电阻挡来判断基极和管型。

①万用表转换开关，选择R100或R1k挡。

②黑表笔（内接电池正极）接晶体管假想的基极，用红表笔接其余两只管脚，若两次测量阻值都很小，则黑表笔接的是基极，且管型为NPN型；红表笔重复上述步骤，有相同结果，则管型为PNP型。（2）测试方法如图所示：第五节

晶体管的管型和管脚的判断

2．判定集电极和发射极

（1）测试方法如图所示

①测定基极后，假设其余两只管脚中的一只为集电极c，在b、c之间接入一个电阻Rb（10～100k），或用手捏两极以代替。

②用手指捏住基极b和假定的集电极c（两极不能接触），用黑表笔接触c极，红表笔接触e极，测出一个数值。

以NPN型管为例第五节

晶体管的管型和管脚的判断

③将假定两极对调，以同样方法再次测出一个数值。

④比较两次读数大小，读数较小的即电流较大的一次假设为正确。第五节

晶体管的管型和管脚的判断本章小结

1．晶体管结构概括为：三区