新型电力电子产品规范书

PAGE1PAGE13附件一电子信息产业发展基金招标项目新型电力电子器件研发及产业化规范书中华人民共和国工业和信息化部二○一○年三月

目录TOC\o"1-3"\h\z目录 21．总则 31.1一般要求 31.2建议书要求 42.项目的目标和主要内容 52.1项目的目标 52.2主要内容 53．技术总体要求 74．主要经济指标 95．产业化要求 106.项目进度考核 117.资金要求 118.附录 11

1．总则为推动我国电力电子器件产业的发展，支持企业进行技术创新，面向轨道交通、新能源汽车、工业及消费电子等领域应用的需求，开发绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等关键技术和产品，并实现产业化，特设立此招标项目。本规范书由项目招标方（工业和信息化部）编写，用于提出项目的技术和进度等具体要求，供项目投标单位编写项目建议书及报价之用。项目投标方根据自身技术基础及能力在本规范书中选择1项开发内容，在建议书中详细提出实现本规范书所描述各项技术要求的技术实现方案，并满足本规范书提出的各个要求。项目招标方保留对本规范的解释和修改的权利。1.1一般要求1.1.1本规范书用中文书写。项目投标方的建议书和相关资料应用中文书写，并按照下述要求提交： 提交份数：12份（纸质)、1份（电子版） 文件规格：A4、4号宋体，优质纸质封面、封底 截止时间：以《工业和信息化部关于〈2010年度电子信息产业发展基金招标项目〉的通告》的截止时间为准。 接受单位：工业和信息化部电子信息司 联系人：关白玉；刘晓馨联系电话：（010）68208270；（010）68208262联系传真：（010）68271654 地址：北京海淀区万寿路27号 邮政编码：1008461.1.21.1.31.2建议书要求1.2.1.2.2项目建议书内容：项目建议书由封面、目录、正文、附录1.2.3建议书封面：封面由项目名称，项目负责人，财务负责人，单位负责人，联系电话1.2.1.2.1.2.61.2.7建议书各部分的格式和内容参见附件2.项目的目标和主要内容2.1项目的目标通过本项目的支持，以满足轨道交通、新能源汽车、工业及消费电子等领域的应用需求为目标，开发出技术先进的IGBT、MOSFET的芯片、器件、模块等关键技术和产品并实现产业化，推动我国新型电力电子器件的技术进步及产业发展。2.2主要内容本项目主要内容包括以下四个方面，投标方根据自身技术基础及能力选择其中1项内容：一、车用IGBT芯片、模块的开发及产业化针对轨道交通、新能源汽车等领域应用的要求，开发IGBT芯片、模块的关键技术及产品并实现产业化：（投标方可在以下2项内容中选择1项进行申报）1、轨道交通用IGBT模块：IGBT模块的结构设计、关键制造工艺以及模块的批量生产技术等。2、新能源汽车用IGBT芯片及模块：IGBT芯片及模块的设计技术、关键制造工艺以及批量生产技术等。二、工业用IGBT芯片、模块的开发及产业化针对工业领域（如变频、逆变、电源等）应用的要求，开发IGBT芯片、模块的关键技术及产品并实现产业化：包括IGBT芯片及模块的设计技术、关键制造工艺以及批量生产技术等。三、消费类电子用IGBT器件的开发及产业化针对消费类电子应用的要求，开发IGBT器件的关键技术及产品并实现产业化：包括IGBT器件的设计技术、关键制造工艺以及批量生产技术等。四、MOSFET器件的开发及产业化针对工业、消费电子等领域应用的要求，开发MOSFET器件的关键技术及产品并实现产业化：包括MOSFET器件的设计技术、关键制造工艺以及批量生产技术等。

3．技术总体要求3.1产品主要技术参数一、车用IGBT芯片及模块1、轨道交通用IGBT模块参数名称符号IGBT模块参数值集电极-发射极电压VCES3300V集电极直流电流IC800A、集电极-发射极饱和压降（典型值）VCE(SAT)）3.6V2、新能源汽车用IGBT芯片及模块参数名称符号IGBT芯片参数值IGBT模块参数值集电极-发射极电压VCES1200V1200V集电极直流电流IC100A750A集电极-发射极饱和压降（典型值）VCE(SAT)）2.5V2.5V二、工业用IGBT芯片及模块参数名称符号IGBT芯片参数值IGBT模块参数值集电极-发射极电压VCES1200V、1700V（可选一档）1200V、1700V（可选一档）集电极直流电流IC100A200A、400A、600A（可选两档）集电极-发射极饱和压降（典型值）VCE(SAT)）2.5V2.5V三、消费类电子用IGBT器件参数名称符号IGBT器件参数值集电极-发射极电压VCES1200V集电极直流电流IC15A、20A、（可选两档）集电极-发射极饱和压降（典型值）VCE(SAT)）2.5V四、MOSFET器件参数名称符号MOSFET器件参数值漏极-源极电压VDSS500V、700V（可选一档）漏极连续电流ID30A（可选两档）漏源间通态直流电阻RDS(on)0.17-0.055ohm3.2有关要求1、除“轨道交通用IGBT模块”子项外，投标单位（团队）须同时完成项目中芯片和模块（器件）的开发内容，模块（器件）的制造须采用本单位（团队）自行开发的芯片。2、投标方须明确列出模块（器件）产品针对的整机应用。3、第3.1节中仅列出对主要技术参数的要求，产品的其他技术指标需符合相关标准和规范。4、每片圆片、每批次器件/模块的参数应具有较好的均匀性，各批次产品应具有较好的重复性。

4．主要经济指标项目验收时实现以下主要经济指标：车用IGBT芯片及模块：轨道交通用：完成2000个IGBT模块的生产、销售，实现主要经济指标要求；新能源汽车用：完成3万颗IGBT芯片及1万个IGBT模块的生产、销售，实现主要经济指标要求。工业用IGBT芯片及模块：完成3万颗IGBT芯片及5000个IGBT模块的生产、销售，实现主要经济指标要求。消费类电子用IGBT器件：完成5万个IGBT器件的生产、销售，实现主要经济指标要求。MOSFET器件：完成5万个MOSFET器件的生产、销售，实现主要经济指标要求。

5．产业化要求项目完成时达到批量生产能力：车用IGBT芯片及模块：轨道交通用：形成5000个IGBT模块的年生产能力；新能源汽车用：形成10万个IGBT芯片及3万个IGBT模块的年生产能力。工业用IGBT芯片及模块：形成10万颗IGBT芯片及2万个IGBT模块的年生产能力。消费类电子用IGBT器件：形成100万个IGBT器件的年生产能力。MOSFET器件：形成100万个MOSFET器件的年生产能力。制定规模化生产计划和可持续发展规划

6.项目进度考核本项目要求在2012年6月底之前完成合同要求的所有内容。投标方应根据其基础条件在项目建议书里明确时间进度及主要内容。7.资金要求7.1承担方应有能力并保证为该项目的实施提供配套资金，配套资金与电子信息产业发展基金的比例至少为2：1，列出项目总费用以及具体费用结构。7.2承担方应提供上述经费中的用汇预算额度。7.3承担方应列出项目预算明细，具体报价格式见附录表1。8.附录8.1提供“项目资金来源及使用情况表”（内容见表1）8.2提供“企业股权结构及项目实施目标情况表”（内容见表2）8.3提供经审计的2008和2009年度企业资产负债表、利润及利润分配表、现金流量表等财务报表；如因受公开上市公司信息披露规则所限无法及时提供经审计的2009年财务报表，应提供经审计的2007年度、2008年度和2009年前三季度投标方财务报表（企业自行制表，并附在建议书后）。表1项目资金来源及使用情况表单位（万元）资金来源落实情况及使用计划资金来源项目及使用年份电子发展基金银行贷款企业自筹其它合计资助贴息投资小计投资总概算累计已投入资金计划期投入资金年（本年）年年项目简介基金资助开支范围具体内容人民币金额外汇金额供应厂